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[1]仅在计算机关闭或处于待机模式下或以冬眠模式时保证快速充电。当计算机上电动机时，费用时间将根据系统功耗和交流适配器功率而有所不同。[2]配置1（最大电池寿命）：Wuxga低功率（非接触式），Snapdragon®X1E-78-100，32GB LPDDR5X，WIN 11，58WH电池，最佳功率效率动力模式替代配置2：Wuxga（Wuxga（触摸），触摸），Snapdragon®X1E-78-100，32G 22G，32G lddd55 ldd55 x模式所有电池寿命索赔都是近似最大的，并基于使用Jeita 3.0和连续1080p本地视频播放的结果（使用以150nits亮度和默认音量级别的默认媒体播放器使用默认媒体播放器）。实际电池寿命会因许多因素而异，例如产品配置，软件，无线功能，电源管理设置和屏幕亮度。电池的最大容量将随时间，环境温度和使用而降低。请参阅Microsoft®链接，以获取有关Windows®PerformancePower Slider的更多信息。
用于热集成卡诺电池的先进有机朗肯循环
摘要 卡诺电池是一种新兴的基载电能存储技术。在充电过程中，该概念通过热泵将多余的电能转换为热能。在放电阶段，动力循环将存储的热能转换回电能。基于有机朗肯循环的卡诺电池依靠技术成熟的组件，可以有效整合低温热源，从而达到相当高的效率。然而，热集成的卡诺电池陷入了功率效率、存储大小和热源利用率之间的权衡。本研究提出了两种方法来尽量减少这种三难困境。第一种方案针对包含闪蒸循环的新型循环布局。模拟结果表明，具有两相膨胀器的有机闪蒸循环可提高卡诺电池的效率，特别是对于高存储温度范围，从而实现更紧凑的存储。第二种方案建议将卡诺电池作为可再生能源和区域供热网之间的高度集成链接。这使得卡诺电池成为一种灵活的部门耦合技术，可以根据需求存储和提供电力和热量。
用于高效有机发光二极管的非对称热活化延迟荧光材料
在材料科学中，开发具有聚集诱导发射的热活化延迟荧光 (TADF) 发射器对于构建高效电致发光器件至关重要。在此，基于高度扭曲的强吸电子受体 (A) 硫芴 (SF) 修饰的酮 (CO) 和芳胺供体 (D)，通过简单的合成程序高产率设计和制备了两种具有迷人聚集诱导发射的不对称 TADF 发射器 SFCOCz 和 SFCODPAC。所得分子具有高达 73% 的光致发光量子产率和 0.03 eV 的小单重态-三重态分裂；令人惊讶的是，由这些发射器促进的高效非掺杂和掺杂 TADF 有机发光二极管 (OLED) 显示出 5,598 和 11,595 cd m − 2 的高亮度、16.8 和 35.6 cd/A 的电流效率 (CE)、9.1 和 29.8 lm/W 的功率效率 (PE) 以及 7.5% 和 15.9% 的外部量子效率 (EQE)。这项工作为探索高效的 TADF 发射器提供了一个具体的例子，这对同时促进具有高亮度和出色效率的 TADF OLED 的发展非常有利和令人鼓舞。
ProAI：适用于汽车应用的高效嵌入式 AI 硬件——基准研究
多年来，单板计算机 (SBC) 领域的发展一直在不断加快。它们在计算性能和功耗之间实现了良好的平衡，这通常是移动平台所必需的，例如用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD) 的车辆应用。然而，对更强大、更高效的 SBC 的需求日益增长，这些 SBC 可以实时运行功耗密集型深度神经网络 (DNN)，还可以满足必要的功能安全要求，例如汽车安全完整性等级 (ASIL)。ZF 正在开发“ProAI”，主要用于运行强大而高效的应用程序，例如多任务 DNN，此外，它还具有 AD 所需的安全认证。在这项工作中，我们基于功耗密集型多任务 DNN 架构 Multitask-CenterNet，就 FPS 和功率效率等性能指标比较和讨论了最先进的 SBC。作为一款汽车超级计算机，ProAI 实现了性能和效率的完美结合，其每瓦 FPS 数量几乎是现代工作站笔记本电脑的两倍，几乎是 Jetson Nano 的四倍。此外，根据基准测试期间的 CPU/GPU 利用率，还显示 ProAI 上仍有剩余电量用于执行进一步更复杂的任务。
Andrea Marongiu - 课程
Andrea Marongiu 于 2010 年获得意大利博洛尼亚大学电子、计算机和电信工程博士学位。` 他曾担任瑞士苏黎世理工大学（ETHZ）的博士后研究员和博洛尼亚大学计算机科学与工程系（DISI）的助理教授（RTD A）。他目前是摩德纳和雷焦艾米利亚大学物理、计算机和数学科学系 (FIM) 的副教授。` 他是摩德纳和雷焦艾米利亚大学技术与社会创新计算机与数据科学博士课程的协调员。他的研究兴趣集中于单芯片异构、高度并行系统（MPSoC）的架构和编程模型。这包括语言、编译器和运行时系统方面，用于有效处理多核和众核嵌入式系统中的性能、可预测性、功率效率和可靠性问题，以及基于加速器的 MPSoC 的硬件/软件协同设计。在该领域，他在国际会议和期刊上发表了 120 多篇论文，被引用超过 2000 次，h 指数为 28 [Google Scholar]。他与众多研究和工业机构进行了合作和协作。
CNT 互连优化 - Enlighten Publications
摘要 — 本文第一部分介绍了 5 纳米碳纳米管场效应晶体管 (CNFET) 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元的尺寸和参数优化。在此基础上，我们提出了一种由原理图优化的 CNFET SRAM 和 CNT 互连组成的碳纳米管 (CNT) SRAM 阵列。我们考虑由金属单壁 CNT (M-SWCNT) 束组成的 CNFET SRAM 单元内部的互连来表示金属层 0 和 1 (M0 和 M1)。我们研究了考虑 CNFET 器件、M-SWCNT 互连和金属电极钯与 CNT (Pd-CNT) 触点的 CNFET SRAM 单元的布局结构。探索了两种版本的单元布局设计，并在性能、稳定性和功率效率方面进行了比较。此外，我们实现了一个 16 Kbit SRAM 阵列，由提出的 CNFET SRAM 单元、多壁 CNT (MWCNT) 单元间互连和 Pd-CNT 触点组成。这种阵列表现出明显的优势，其读写总能量延迟积（EDP）、静态功耗和核心面积分别为采用铜互连的7nm FinFET-SRAM阵列的0.28×、0.52×和0.76×，而读写静态噪声裕度分别比FinFET高6%和12%。
用于集成光信号处理器的微型硅光子器件 /作者=Teng, Min；Safian, Reza；Alahmadi, Yousef；Zhuang, Leimeng；Kojima, Keisuke /创建日期=2020 年 1 月 21 日 /主题=通信、电子和光子器件、信号处理
摘要 集成光信号处理器与传统电信号处理器相结合，有望开辟新一代信号处理硬件平台的道路，从而显著提高处理带宽、延迟和功率效率。硅光子学以其众所周知的特性和潜力，被认为是设备实现的理想候选者，特别是对于高电路复杂度的设备，因此一直是研究的重点。从前面对此类处理器的讨论来看，我们正在考虑在硅光子平台中构建新的构建块，以进一步扩展处理器功能和增加实用功能，特别是微型设备，这些设备能够将复杂电路超密集地集成到此类处理器芯片中。作为启发性的例子，我们在此回顾了我们最近的贡献以及其他组的硅光子设备紧凑设计中的代表性作品，这些设计丰富了处理器构建块的功能，例如多路复用、偏振处理和光学 I/O。本综述中显示的结果反映了最先进的光子制造技术的意义和成熟度，并有助于实现芯片级的大容量、通用光信号处理功能。
通过AI增强的Triboelectric多模式传感器启用了对机器人手指的增强触觉感知
机器人技术的最新发展越来越多地强调了传感技术，尤其是触觉感知的重要性，使机器人能够有效地与其环境互动并解释物理相互作用。由于功率效率和低成本，经常研究底层电离机制，用于测量压力和识别材料以增强机器人感知。尽管如此，尽管它们在日常生活中盛行，但仍有使用互动效应来检测弯曲表面的探索有限。在这里，提出了多层结构设计的摩擦多模式触觉传感器（TMTS），以同时识别不同的材料，曲线和压力，从而将不同的方式解耦以启用更准确的检测。通过将传感器连接到机器人的纤维上并利用深度学习分析，定量曲率测量可为对象的详细几何特征提供更精确的见解，而不是仅仅评估其整体形状，因此可以实现具有99.2％精度的12个Grasped对象的自动识别。传感器可以进一步用于准确识别机器人手的不同触摸手势下的物体的柔软度，达到94.1％的精度，证明了其在未来机器人支持的智能社会中的广泛应用。
RISC-V领导未来：CPU体系结构的进化和前景
本文主要讨论了CPU的开发以及基于RISCV的一些指令集架构。CPU被称为中央处理单元，主要应用是RISCV，并且ARM架构的特点是重点是低功耗和高性能之间的平衡。然后x86，其重要优势是其复杂的指令集和出色的性能，因此它可以处理复杂的计算任务。我们还探索了管道技术，它是当今广泛使用的并行处理技术。设计原理是将复杂的多级组合逻辑电路分为多个级别。然后，我们找到一些实验数据来探讨我们的结论。我们发现每个人都有自己的优势，并且更适合不同的情况。在性能方面，X86提供了出色的功能，但会消耗更多的功能，使其非常适合高性能计算和服务器应用程序。手臂在功率效率方面表现出色，并在移动设备和嵌入式系统中找到了其主要用途。RISC-V以其灵活性而闻名，可以根据特定要求在性能和功耗之间保持平衡，使其适合于高度自定义的应用程序，IoT设备以及新兴的高性能计算市场。不同字段中每个体系结构的优点取决于特定的应用程序环境以及对它们的要求。关键字：RISC-V Architecturecpu性能评估管道技术
字母 A 具有低电源电压的 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS 接收器模拟前端
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端（Rx_AFE），主要由有源电压电流反馈跨阻放大器（AVCF-TIA）和交错有源反馈限幅放大器（LA）组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dBΩ，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）