在第一种情况下,使用“理想自举”电路,其中 VCC 由零欧姆电源驱动,理想二极管为 VB 供电。下冲现在与 Vcc 相加,导致自举电容器过充电,如图 2 所示。举例来说,如果 VCC =15V,则超过 10V 的 VS 下冲会迫使浮动电源超过 25V,从而有二极管 D1 击穿和随后闩锁的风险。现在假设自举电源被图 3 中的理想浮动电源取代,这样 VBS 在任何情况下都是固定的。请注意,使用低阻抗辅助电源代替自举电路可以解决这种情况。
(1) TAS5112 封装使用裸露的金属焊盘区域来增强导热冷却性能。将焊盘暴露在环境空气中的器件作为器件的唯一散热方式是不切实际的。因此,在数据表的应用信息部分提供了表征热处理的系统参数 R θ JA。在热信息部分提供了典型系统 R θ JA 值的示例和讨论。此示例提供了有关功率耗散额定值的更多信息。此示例应作为计算特定应用的散热额定值的参考。如果需要,TI 应用工程部门可提供设计散热器的技术支持。
请注意!本文件仅供参考,本文提供的任何信息在任何情况下均不得视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途的适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格,我们恳请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
23 • 总功率输出(桥接负载) – 2 × 100 W,THD+N 为 10% 至 4 Ω TAS5342LA 是一款高性能集成立体声数字放大器功率级,设计用于驱动一个 4 Ω 桥接负载 (BTL),每个通道高达 100 W,具有低谐波失真、低集成噪声和低空闲电流。 – 2 × 80 W,THD+N 为 10% 至 6 Ω – 2 × 65 W,THD+N 为 10% 至 8 Ω– 4 × 40 W,10% THD+N,输入 3 Ω TAS5342LA 具有完整的片上集成保护系统,可保护器件免受可能损坏系统的各种故障情况的影响。这些保护功能包括短路保护、过流保护、欠压保护、过热保护和 PWM 信号丢失(PWM 活动检测器)。• >110 dB SNR(采用 TAS5518 调制器进行 A 加权) 上电复位 (POR) 电路用于消除大多数功率级设计所需的电源排序 • <0.1% THD+N(1 W,1 kHz)。• 支持 192 kHz 至 BTL 输出功率 432 kHz 的 PWM 帧速率,与 • 电阻可编程电流限制电源电压 • 集成自保护电路,包括: – 欠压保护 – 过热警告和错误 – 过载保护 – 短路保护 – PWM 活动检测器 • 独立保护恢复 • 上电复位 (POR) 以消除系统电源排序 • 高效功率级 (>90%),带有 110m Ω 输出 MOSFET • 热增强型封装 44 引脚 HTSSOP (DDV) • 错误报告,符合 3.3 V 和 5.0 V • 与推荐系统设计一起使用时符合 EMI 要求