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World File Search System功率耗散
ECM-S12X-070-1001
A/D分辨率：10位A/D精度：20％ @ 4 A，10％ @ 12 A Note - 实现使用带有飞回（再循环）二极管的低侧驱动器到DRVP。LSO2（3）具有PWM功能IMAX = 2 A fmax = 500 Hz注意的低侧输出 - 500 Hz的最大频率最大频率导致短路到电池中过量功率耗散导致。实现使用低侧驱动器，带有飞回（再循环）二极管到DRVP。lSO3（16），LSO4（61）低侧输出具有PWM功能IMAX = 1 A FMAX = 1000 Hz注意 - 1000 Hz的最大频率最大频率导致短途电池中过量功率耗散导致。实现使用低侧驱动器，带有飞回（再循环）二极管到DRVP。LSO5（63），LSO8（56）低侧输出IMAX = 1 A EMAX = 100 MJ fmax = 1000 Hz注意 - 此输出上没有反式二极管。1000 Hz的最大频率导致短时间电池中过量的功率耗散导致。LSO6（43），LSO9（60），低侧输出IMAX = 500 mA EMAX = 50 MJ NOTE-此输出上没有反式二极管。短，电池短，直至接地保护。未检测到地面。c在45 V（名义）处灯。lso7（2）低端输出注意：通常在（即使关键下）
低功率的有效的绝热4位阵列乘数...
摘要这项研究为基于有效的低功率VLSI方法设计了一种在信号和图像处理中设计的4位阵列乘数的创新技术。建议的架构使用近阈值区域的绝热方法来优化传播延迟和耗能之间的权衡。乘数是许多数字电子环境中必不可少的组成部分，导致了许多针对某些应用程序定制的乘数类型的诞生。与传统的CMOS技术相比，该技术大大降低了动态和静态功率耗散。接近阈值绝热逻辑（NTAL）是使用单个时间变化的电源实现的，这简化了时钟树的管理并提高了能源效率。使用Tanner EDA工具和幽灵模拟器在TSMC 65 nm技术节点上模拟了建议的设计，并确保验证了优化的结果。与典型的CMOS方法相比，在保持相似的设计参数的同时，可变频率，电源电压和负载电容的功率耗散大约有66.6％，14.4％和64.6％的显着提高。值得注意的是，随着频率变化，负载电容在C负载= 10 pf和vdd（max）= 1.2 V时保持恒定。随着电源电压的变化，负载电容在C负载= 10 pf时保持恒定，而频率为f = 4 GHz； and with load capacitance variation, the frequency is maintained at F = 4 GHz and the supply voltage at VDD (max) = 1.2 V. Keywords: - 4-bit array multiplier, adiabatic logic, low-power VLSI, Near Threshold Region, NTAL approach, TSMC 65 nm CMOS technology, mixer circuit, signal and image processing, energy efficiency, Tanner EDA, Spectre simulator, and功率耗散优化。
功率控制器的可靠性预测 - DTIC
[ 直流控制器是一种微电子混合设备。采用了 MIL-HDBK-217B 通知 2《电子设备可靠性预测》第 2.1.7 节中的混合故障率预测模型和程序。这种预测方法需要识别单个电子零件和基板，以及每个零件的单独电应力数据。热应力是由混合封装温度和零件功率耗散引起的。
TMI3253/S/T
参数 最小值 最大值 单位 输入电源电压，EN -0.3 20 V LX 电压 -0.3 20 V FB 电压 -0.3 6 V BS 电压 -0.3 23 V 存储温度范围 -65 150 °C 结温（注释 2） 160 °C 功率耗散 1000 mW 引脚温度（焊接，10 秒） 260 °C
TMI3252/S/T
参数 最小值 最大值 单位 输入电源电压，EN -0.3 20 V LX 电压 -0.3 20 V FB 电压 -0.3 6 V BS 电压 -0.3 23 V 存储温度范围 -65 150 °C 结温（注释 2） 160 °C 功率耗散 1000 mW 引脚温度（焊接，10 秒） 260 °C
德文德拉·库马尔·夏尔马博士
耦合 VLSI 互连中功率耗散的时间效应‖，国际信号、图像处理和模式识别会议论文集（ICCSEA 2012），2012 年 5 月 25-27 日，德里，计算机科学、工程和应用进展，智能和软计算进展，Springer Pub .，第 166 卷，2012 年，第 137-144 页。20. Devendra Kumar Sharma、BK Kaushik 和 RK Sharma，“耦合的定性优化
ELEC3106-电子学期1，2023
电子电路和系统中的非理想效应：噪声；设备噪声，外部噪声，CMRR，PSRR，混合a/d。失真;非线性，动态范围，饱和度。对参数变化的稳定性和性能敏感性。一些简单的设计，用于稳定性和性能。设计优化。功率供应分布和解耦。混合模拟/数字系统设计，包括接地和屏蔽。SPICE中的设备建模。 数据表解释。 模拟和数字电路和系统组件的设计：非线性电路；振荡器，PLL，乘数，AGC，施密特触发。 滤波器设计简介；活动过滤器；运算放大器。 传感器和执行器，PTAT；仪器放大器和信号调节。 数字CMOS门的低级设计和优化。 门延迟，功率耗散，噪音余量，扇出。 集成电路设计简介。对应，电源，可靠性，UC看门狗。SPICE中的设备建模。数据表解释。模拟和数字电路和系统组件的设计：非线性电路；振荡器，PLL，乘数，AGC，施密特触发。滤波器设计简介；活动过滤器；运算放大器。传感器和执行器，PTAT；仪器放大器和信号调节。数字CMOS门的低级设计和优化。门延迟，功率耗散，噪音余量，扇出。集成电路设计简介。对应，电源，可靠性，UC看门狗。
TMI3286 TMI3286B 500kHz，18V，4A 同步 COT 步进...
参数 最小值 最大值 单位 输入电源电压，EN -0.3 20 V LX 电压 -0.3 20 V LX 电压 (<10ns 瞬态) -4.5 22 V FB 电压 -0.3 6 V BS 电压 -0.3 23 V 存储温度范围 -65 150 °C 结温 (注释 2) 160 °C 功率耗散 1500 mW 引脚温度 (焊接, 10s) 260 °C