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低电源电压±0.82V下最低功耗的基于VDTA的电调谐波有源滤波器的CMOS实现
本文介绍了一种基于电压差分跨导放大器 (VDTA) 的波有源滤波器的高阶电压和电流模式低通或高通滤波器。针对波有源滤波器的基本有源构建模块，提出了波等效变量技术和拓扑模拟以及使用波变量技术的操作实现。将所提出的波等效技术与正确选择端子连接一起应用于波有源滤波器。本文提出，实现波有源滤波器的基本元件是串联电感和并联接地电容。通过使用 SPICE 模拟和 0.18 µm TSMC CMOS 技术参数，实现了最低功耗为 ±0.82 V 的 4 阶低通和高通巴特沃斯滤波器，从而验证了所提出的波有源滤波器。
SEGGER 宣布支持意法半导体的STM32C0 MCU 系列
SEGGER 的高性能实时操作系统 embOS-Ultra 也已支持 STM32C0 系列。它使用循环分辨率计 时，提供更高的精度和时间分辨率。使用 embOS-Ultra 可提高性能并节省功耗，它还为应用 程序提供了可同时使用基于周期和基于微秒的计时选项。 API 与 embOS 完全兼容，使迁移变 得简单，无需更改应用程序，并保持 embOS 行为。 embOS-Ultra 只是在使用新的附加 API 调 用时提供循环计时，不用在两者之间做出选择。了解 embOS-Ultra ，可以点击文章： embOS- Ultra ：高分辨率系统时间
TinyML：在超低功耗物联网边缘设备上为人工智能应用启用推理深度学习模型
摘要：最近，物联网 (IoT) 引起了广泛关注，因为物联网设备被放置在各个领域。其中许多设备都基于机器学习 (ML) 模型，这使它们变得智能并能够做出决策。物联网设备通常资源有限，这限制了在其上执行复杂的 ML 模型（例如深度学习 (DL)）。此外，将物联网设备连接到云以传输原始数据并执行处理会导致系统响应延迟、暴露私人数据并增加通信成本。因此，为了解决这些问题，出现了一种称为微型机器学习 (TinyML) 的新技术，它为应对物联网设备的挑战铺平了道路。该技术允许在设备上本地处理数据，而无需将其发送到云端。此外，TinyML 允许推断 ML 模型，而设备上的 DL 模型则被视为资源有限的微控制器。本文的目的是概述 TinyML 的革命并对 tinyML 研究进行回顾，其中主要贡献是对 tinyML 研究中使用的 ML 模型类型进行分析；它还介绍了数据集的详细信息以及设备的类型和特征，旨在阐明最先进的技术并展望发展需求。
基于动态差分信号的逻辑系列，用于稳健的超低功耗近阈值计算
本文提出并评估了用于近阈值计算 (NTC) 的新型电路拓扑。采用 130 nm 技术开发了三种独立的动态差分信号逻辑 (DDSL) 系列，工作电压为 400 mV 和 450 mV。所提出的逻辑系列优于为近阈值实现的当代 CMOS 和电流模式逻辑 (CML) 电路。DDSL 系列被描述为动态电流模式逻辑 (DCML)、锁存 DCML (LDCML) 和动态反馈电流模式逻辑 (DFCML)。通过实现布尔函数和 4 × 4 位阵列乘法器进行仿真和分析。在 450 mV 电源电压下，4 × 4 DFCML 乘法器的总功率降低至 0.95 × 和 0.009 × ，而与 CMOS 和 CML 乘法器相比，最大工作频率分别提高了 1.4 × 和 1.12 ×。与 CMOS 乘法器相比，DCML 乘法器的功耗为 1.48 倍，同时 f max 提高了 1.65 倍。使用开发的动态逻辑系列实现的四个反相器链的能量延迟积 (EDP) 分别为 CMOS 和 CML 实现的 0.27 倍和 0.016 倍。同样使用反相器链评估的 DFCML 和 LDCML 的平均噪声裕度至少比 CMOS 大 2.5 倍。
Silicon N-Channel MOSFET
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ，高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装， 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能，并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
产品说明书SN74HC/HCT02 (LX) 4路2输入或非门
参 数 名 称 符 号 条 件 最小 最大 单 位 电源电压 V CC — -0.5 +7 V 输入钳位电流 I IK V I <-0.5V 或 V I >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出钳位电流 I OK V O <-0.5V 或 V O >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出电流 I O -0.5V
引用：Li A，Li YF，Wang C等。具有可重新配置性能和超低功耗的成型集成光谱仪。
尽管对集成光谱仪的需求紧迫，但仍缺少提供高性能同时实用的效果的解决方案。此外，当前的集成光谱仪缺乏其性能的可重构性，这对于动态工作场景非常可取。这项研究通过在硅上证明了一个用户友好，可重构的光谱仪，提供了可行的解决方案。该创新光谱仪的核心是一个可编程的光子电路，能够表现出不同的光谱响应，可以使用芯片相变换个器对其进行显着调整。我们光谱仪的区别特征在于其反向设计方法，促进了轻松控制和对可编程电路的有效操纵。通过消除对复杂配置的需求，我们的设计减少了功耗并减轻控制复杂性。此外，我们的可重构光谱仪提供了两个不同的操作条件。在超高的绩效模式下，它被多个相移的动物激活，并在维持宽带宽度的同时，在图表尺度上实现了异常的光谱分辨率。另一方面，使用易用模式进一步简化了控制逻辑并通过操纵单相移位器来减少功耗。尽管此模式提供了大约0.3 nm的光谱分辨率略有降级，但它优先考虑易用性，并且非常适合超细光谱重建不是主要要求的应用。
– 定义可再生和可持续的太阳能光伏和存储解决方案，以确保持续供电，同时降低设施功耗
爱德华七世国王高中 (KES) 和爱德华七世国王预科学校 (KEPS) 在此邀请合格的供应商/安装商提交对能源存储和能源消耗减少技术的设计、供应、安装和维护的兴趣表达，包括但不限于：• 单个较小的混合逆变器或较大的集中式逆变器存储（电池）备用系统，用于关键
基于Zno纳米材料的气体传感器的高工作温度可能会缩短传感器的寿命并增加其功耗。 Enhan
基于Zno纳米材料的气体传感器的高工作温度可能会缩短传感器的寿命并增加其功耗。在气体响应和温度方面，增强ZnO纳米材料的气体传感器的挥发性有机化合物（VOC）感应性能对于它们的实际应用至关重要。将贵金属装饰到纳米结构上是改善其感应特性的有效方法。在此，引入了水热合成的ZnO珊瑚色纳米板，并引入了PD纳米颗粒的装饰，以实现改善的VOC感应性能。研究了合成原始和PD E ZnO珊瑚样纳米板的形态，晶体结构，组成，原子结构以及气体传感特性。结果显示，基于PD E ZnO的传感器的原始ZnO传感器的最佳工作温度从450 C的最佳工作温度显着降低。通过用PD纳米颗粒的表面装饰，在350 C最佳工作温度下对丙酮的响应提高了三倍。PD E ZnO传感器的响应时间和恢复时间比原始ZnO传感器的速度快三倍。PD E ZnO传感器达到了17 ppt的理论检测极限，在350 C时达到3.5 E 2.5 e 2.5 ppm丙酮的灵敏度。传感器的瞬态稳定性在几个开/关开关从空气到气体的开关周期后，揭示了制造设备的有效可重复性。还讨论了多孔PD E ZnO珊瑚样纳米板传感器的合理机制。©2021作者。Elsevier B.V.的出版服务代表河内越南国立大学。这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
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灵星芯微发[2021] 1号签发人：
参 数 名 称 符 号 条 件 最小 最大 单 位 电源电压 V CC — -0.5 +7 V 输入钳位电流 I IK V I <-0.5V 或 V I >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出钳位电流 I OK V O <-0.5V 或 V O >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出电流 I O -0.5V