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World File Search System加电压的
根据BET方程计算的表面积如何可重现？基于离子电活性聚合物的三层微型演员的建模，分析和表征
在本文中，基于离子电活性聚合物（IEAP）的三层微型激活器的电响应考虑了在微实施行为中出现的某些现象。分析了对充电和排放过程中测得的电流的详细研究。研究了简化的等效电路的电荷，时间构成，电容和电阻。结果表明，微型演员表现出低于1 V的施加电压的线性行为。除此之外，非线性出现并与放电过程有关，尤其是以非线性方式增加的相应电阻。在此阶段，取决于先前施加的电压的累积电荷在放电过程中未完全恢复。这项研究的结果通过实验和理论结果进行了说明。
分布式电源建设细节...
PSU 的所有其他负载（RRU、MPCU 等）的功耗比 RTU 要低得多，大约不低于整个负载的 20%。对于它们的电源，通常需要额外的电压，例如 +5 V、+2.5 V、-5 V。附加电压的数量通常表明复杂专家的专业性——一个 RTM 中可以实现的附加电压数量越少，可靠性越高，结构越简单，小型化程度越高。然而，通常不需要对不同 RTM 的公共线进行电气隔离，这允许设计非常紧凑的小电压脉冲稳定器（正电压和负电压），其小型化由高于 500 kHz 的高转换频率确保。毫无疑问，EMC 专家必须做大量工作，他们不仅熟悉 HF 设备，而且更熟悉脉冲 PSU 领域。
无无序的朗道能级增宽、无相互作用的非整数平台——量子霍尔效应的另一种模型
我回顾了量子霍尔效应的替代模型的一些方面，该模型不基于无序势的存在。相反，在存在交叉电场和磁场的情况下，采用电子漂移电流的量化来构建非线性传输理论。替代理论的另一个重要组成部分是二维电子气与导线和施加电压的耦合。通过在外部电压固定 2D 子系统中的化学势的图像中工作，实验观察到的电压与量子霍尔平台位置之间的线性关系找到了自然的解释。此外，经典霍尔效应成为量子霍尔效应的自然极限。对于低温（或高电流），非整数子结构将较高的朗道能级分裂为子能级。电阻率中子结构和非整数平台的出现与电子-电子相互作用无关，而是由（线性）电场的存在引起的。一些结果分数恰好对应于半整数平台。
葡萄园葡萄球菌的室温操作单...
图2 |横截面示意图，SEM图像和I-V特征的特征。a，示意图。B植入物用于在GE中创建P接触区域（最深的蓝色），P植入物用于在Si中创建N-Contact区域。SI中的其他B植入物形成GE以下的两个区域，一个作为电荷层（较轻的蓝色），一个作为筛选层（较深的蓝色）。Si中的其他P植入物形成了埋入的SIO 2上方的深N孔区域，以及N-Contact区域和深N-Well区域之间的N-链接区域。b，SEM图像。图像被捕获，对应于图中的黄色虚线包围的黄色区域2（a）。请注意，PT，即白色的共形层，在设备上沉积以避免使用SEM充电。c，d，光电流（实心曲线）和暗电流（虚线曲线）及其相应的增益，绘制为S1（蓝色）和S2（红色）的施加电压的函数。由参考PD的照片电流确定，图。2（c）和图中的统一增益点2（d）分别通过蓝色和红色点缀的圆圈标记和标记。
“ resinpal 2301”场排放发射器
64 Brno，捷克共和国。 doi：https：//doi.org/10.47011/17.2.9接收到：15/02/2023;接受：30/07/2023摘要：在过去的几十年中，环氧树脂已显示出几种优势作为现场发射电子源的涂料材料；这包括降低施加电压的操作以及启动电子排放过程所需的阈值电压。 这项研究说明了使用树脂2301环氧树脂作为现场发射发射器的涂料材料的结果。 结果包括紫外线光谱分析，以获得固化涂层层的局部工作函数和电离能的平均值。 在用固化的环氧树脂涂层之前和之后，使用扫描电子显微镜检查样品。 此外，以全面比较的形式介绍了未涂层的钼和复合钼 - 环氧样品的田间发射显微镜特征。 研究显示了通过涂料材料的应用增强现场排放特性的有希望的结果。 值得注意的是，阈值电压显着降低。 发现来自涂层样品的发射电流值至少是未涂层样品的发射电流值。64 Brno，捷克共和国。doi：https：//doi.org/10.47011/17.2.9接收到：15/02/2023;接受：30/07/2023摘要：在过去的几十年中，环氧树脂已显示出几种优势作为现场发射电子源的涂料材料；这包括降低施加电压的操作以及启动电子排放过程所需的阈值电压。这项研究说明了使用树脂2301环氧树脂作为现场发射发射器的涂料材料的结果。结果包括紫外线光谱分析，以获得固化涂层层的局部工作函数和电离能的平均值。在用固化的环氧树脂涂层之前和之后，使用扫描电子显微镜检查样品。此外，以全面比较的形式介绍了未涂层的钼和复合钼 - 环氧样品的田间发射显微镜特征。研究显示了通过涂料材料的应用增强现场排放特性的有希望的结果。值得注意的是，阈值电压显着降低。发现来自涂层样品的发射电流值至少是未涂层样品的发射电流值。
研究材料
它的内部结构与其他二极管不同，因为它仅由N型半导体材料组成，而大多数二极管都由P和N掺杂区域组成。因此，它在两个方向上进行进行，并且不能像其他二极管一样整流交替的电流，这就是为什么某些来源不使用二极管术语，而是更喜欢TED的原因。在Gunn二极管中，存在三个区域：每个端子上有两个区域，其中两个区域在它们之间，它们之间有一层薄的n掺杂材料。当将电压施加到设备上时，电梯度将在整个薄层中最大。如果电压增加，则层的电流将首先增加。最终，在较高的场值下，中间层的导电性能发生了变化，增加了电阻率并导致电流下降。这意味着Gunn二极管在其电流 - 电压特性曲线中具有负差分电阻的区域，其中施加电压的增加会导致电流减小。此属性允许其放大，充当射频放大器，或者在偏向DC电压时变得不稳定和振荡。
在数字微流体平台上用于定向液滴运动的不对称电极
开发具有大量集成功能的大规模电解式 - 电气（EWOD）平台需要大量电极。传统上通过针计算最小化策略和路线路线方案来解决这一挑战，但我们提出了心形电极，当液滴运动是单向运动时，允许使用更少的引脚。此电极几何形状可确保液滴与前电极的重叠相比，而不是后部电极，从而产生了净毛细管将液滴向前拉的净毛细管。底部直径在0.8到1倍的底部液滴可以在长距离内可靠地驱动电极宽度，仅使用两个交替应用的驱动信号。最大信号开关频率使液滴的可靠运动与施加电压的平方和间隙高度成正比，但与电极直径成反比。互连电路的每个段仅跨越两个电极长度，这简化了电路路由并避免了大规模电极阵列中可能的迹线重叠。通过最小化销钉数，这种不对称设计为多功能大规模的EWOD平台中的电极布置提供了有希望的策略。
引导的等离子体喷气机，直接在湿表面上
摘要大气压力等离子体射流（APPJS）用于治疗表面（无机，有机和液体）的最佳用途取决于能够控制等离子体生成的反应物种流向表面的流动。典型的APPJ是一种稀有的气体混合物（RGM），该混合物（RGM）流过施加电压的管，产生RGM等离子体羽流，可延伸到环境空气中。由于电离波（IW）需要较高的电场才能传播到空气中，因此RGM等离子体羽流由周围的空气罩引导。将环境空气与RGM等离子体羽流的混合确定活性氧和氮种（RONS）的产生。AppJ通常是垂直于被处理的表面的定向。然而，由于AppJ传播性能的变化和所得的气体动力学，APPJ相对于表面的角度可能是控制反应性物种到表面的一种方法。在本文中，我们讨论了针对两个点的计算和实验研究的结果 - 具有或不具有指导气体罩的Appj中的IWS作为AppJ相对于表面的APPJ角度的函数；并使用该角度控制薄水层的血浆激活。我们发现，从等离子体管中传播到同一气体环境中的APPJ缺乏裹尸布引导的喷气机的任何方向性特性，并且随着等离子管的角度的变化，很大程度上遵循电场线。引导的Appjs随着角度的变化而同轴繁殖，并垂直向表面垂直转动，仅在表面上方只有几毫米。APPJ的角度产生不同的气体动态分布，从而可以对转移到薄水层的RON的含量进行一定程度的控制。
忆阻器——第四大基本无源电子元件及其记忆解释
30 多年来，忆阻器一直是个谜，直到 2008 年 [ 8 ] HP 实验室的一组研究人员宣布成功实现第一个器件形式的忆阻器。这一最新发现吸引了众多科学家、工程师和研究人员的注意，他们纷纷探索忆阻器在分立和阵列配置中的更多可行应用及其器件技术。HP 忆阻器技术由厚度为 D 的氧化钛 (TiO 2 ) 薄膜双层和两个用作电极的铂 (Pt) 金属触点组成。TiO 2 的一部分掺杂了氧空位，因此变成 TiO 2-z，另一部分保持纯 TiO 2 。这些氧空位带正电，因此具有导电性，未掺杂的另一侧具有电阻特性，使得整个排列表现为半导体材料，见图 4。请注意，实际上带电掺杂剂沿着器件宽度散布，但是，其在一边的浓度与另一边的浓度相比可以忽略不计，从而导致两个不同的电阻区域。结构布置构成了两个串联连接的电阻 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜 和 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜。 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜 电阻对应于宽度为 ( w ) 的掺杂区域（TiO 2-z 即高导电区域），而 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 电阻对应于宽度为 ( Dw ) 的未掺杂区域（TiO 2 即低导电区域），因此 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 ≫ 𝑅𝑅 𝑜𝑜𝑜𝑜 是两个电阻极限，分别表示器件的 OFF 和 ON 状态。掺杂区域和未掺杂区域之间的边界（用双向箭头表示）根据流动电流的方向或施加电压的极性来回移动。
IMB-CNM 的碳化硅二极管
放射治疗 (RT) 的主要挑战是向肿瘤提供足够高的治疗剂量，同时保持附近器官受到可耐受的剂量，新的治疗方式正在迅速涌现。FLASH 放射治疗提供的治疗剂量比传统 RT（0.05 Gy/s）快几个数量级（≥40 Gy/s），并且已被证明可以降低正常组织发生并发症的可能性，同时提供与传统剂量率相似或更好的肿瘤控制率，减少治疗时间和器官运动相关问题。然而，FLASH RT 的临床实施面临着重大挑战，因为它的要求使得大多数现有的剂量测定设备已过时。碳化硅 (SiC) 的物理特性使其成为一种有趣的辐射剂量测定材料。SiC 的宽带隙降低了热产生电荷载流子的速率，从而与硅相比降低了漏电流和噪声。特别值得注意的是，SiC 每 mGy 沉积的信号产量（4H-SiC 为 425 pC/(mGy · mm3)）低于硅。这使得 SiC 成为超高剂量脉冲辐射场或直接光束监测剂量测定的良好选择，其中半导体中的瞬时剂量沉积很大，可能会使传统硅二极管饱和。此外，SiC 具有更高的位移能量阈值，因此辐射硬度高于硅。如今，SiC 技术已经成熟，高质量基板可达 200 毫米，可广泛使用。在本次演讲中，我们将介绍在 IMB- CNM 设计和制造的新型碳化硅 PiN 二极管，旨在应对 FLASH RT 的技术挑战。在 PTB（德国）使用 20 MeV FLASH 电子束进行的首次表征中，这些二极管显示出其适用于高达每脉冲 11 Gy（4 MGy/s）剂量的相对剂量测定，且剂量测定性能可与商用金刚石剂量计相媲美 [doi:10.1088/1361-6560/ad37eb]。在 CMAM（西班牙）使用 7 MeV 质子测试了带有 FLASH 质子束的 SiC 二极管的性能，结果显示它们与剂量率具有良好的信号线性度，并且每脉冲剂量至少为 20 Gy 时响应可重复。最后，在 CNA（西班牙）使用高 LET、强脉冲质子束研究了二极管的抗辐射性。二极管的灵敏度在 1 MeV 质子中以 -1.34%/kGy 的初始速率逐渐下降，并且仅在接近 750 kGy 的剂量下才稳定下来。然而，即使累积剂量为几 MGy，每脉冲剂量的线性响应在很宽的剂量率范围内也能保持。所有这些测量都是在无需外部施加电压的情况下进行的。总之，在 IMB-CNM 制造的碳化硅二极管是硅和金刚石剂量计的真正替代品，适用于需要精确实时相对剂量测定的广泛应用，要求快速响应和长期稳定性。