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World File Search System势后
16O+92Zr反应的准弹性散射截面
如今，围绕库仑势垒对聚变反应和准弹性散射的研究引起了广泛关注。通过这类重离子碰撞可以研究核-核相互作用势和核结构性质 [ 1 ]。碰撞伙伴的核结构性质可显著影响亚势垒域中的聚变产额。聚变对中不同内在自由度的参与降低了参与者之间的聚变势垒，并导致与一维势垒穿透模型 (BPM) 的预测相比大得多的聚变结果。文献中已充分证实，聚变伙伴的相对运动和内在通道之间的耦合会导致单个聚变势垒分裂为不同高度和重量的势垒分布。这被称为聚变势垒分布，聚变势垒分布的形状对聚变过程中涉及的耦合类型非常敏感。聚变势垒分布的概念由 Rowley 等人 [2] 提出，可通过对 𝐸 𝑐.𝑚. 𝜎 𝑓 对质心能量取二阶导数获得。此外，大角度准弹性散射函数可以产生与聚变势垒分布非常相似的势垒分布，并且聚变势垒分布和准弹性势垒分布的形状基本相同。准弹性势垒分布可通过对 𝐸 𝑐.𝑚. 的准弹性散射截面取一阶导数获得。众所周知，聚变过程可以用穿透概率来解释，基于量子力学隧穿，而准弹性散射与反射概率有关。重离子准
非水氧化还原流量的势噻嗪杂交天主分解剂
摘要：本报告描述了非水性氧化还原流量电池的二氨基丙烷 - 苯噻硫氨酸杂化天主分解器的开发。分子是通过添加二氨基丙烷（DAC）取代基于苯噻嗪的氮，以快速和模块化的方式合成。将多功能的C – N耦合方案（可提供对不同衍生物的访问）与计算和结构 - 培训分析允许鉴定CATALYTE，该识别在0.64和1.00 V VS FC /FC +的电位上显示稳定的两电动循环，以及所有氧化液的溶解性以及所有氧化液（均为MIMM5M5 m5 m5 m）。该天主教徒被部署在高能量密度的两电子RFB中，在266小时的流细胞循环中以> 0.5 m的电子浓度表现出> 90％的容量保留。
AlGaN 势垒对具有 p-GaN 栅极的功率 HEMT 长期栅极可靠性的影响
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制，即空穴和电子捕获，分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言，来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施，例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10]，以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
聚乙烯单链热导率的分子动力学研究：应变依赖性和势模型效应
单条聚合物链的热导率是合理设计聚合物基热管理材料的重要因素，而链的应变状态对其影响很大。在本研究中，利用非平衡分子动力学模拟，计算了代表典型聚合物链的单条聚乙烯链的热导率与应变的关系。为了研究不同共价键模型的影响，分别比较了反应性和非反应性势模型（AIREBO 和 NERD 势）的结果。当应变 ε 小到 ε < − 0.03 时，即在轻微压缩下，无论采用哪种势模型，热导率值都相似，且随应变的增加而增加。然而，当应变较大（最高 ε < 0.15）时，这两种势模型表现出截然不同的行为：由非反应性势计算的热导率随应变的增加而不断增长，而由反应性势模型计算的热导率则达到饱和。内部应力和振动态密度的分析表明，饱和行为是由于 C-C 键伸长时共价键力减弱所致，因此反应模型的结果可能更为真实。然而，当 ε > 0.1 时，由于开关函数的影响，反应势也产生了非物理结果，描述了共价键的形成和断裂。目前的结果表明，在研究拉伸应变下的聚合物性能时，必须仔细选择势模型和变形范围。© 2022 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0095975
外电场作用下具有双曲型轴势的圆柱量子点的光学特性
摘要：本文研究了轴向施加电场下圆柱形量子点结构的电子学与光学特性，选取四种不同的轴向双曲型势。考虑了一个位置相关的有效质量模型，在求解特征值微分方程时既考虑了有效质量在轴向随约束势变化的平滑变化，也考虑了其在径向的突变。特征值方程的计算同时考虑了狄利克雷条件（零通量）和开边界条件（非零通量），在垂直于施加电场方向的平面内实现，这保证了本文结果对于具有极高寿命的准稳态的有效性。采用对角化法结合有限元法，找到了圆柱形量子点中约束电子的特征值和特征函数。用于求解微分方程的数值策略使我们能够克服异质结构边界平面和圆柱面相交区域中边界条件存在的多个问题。为了计算线性和三阶非线性光学吸收系数以及折射率的相对变化，我们使用了密度矩阵展开中的两级方法。我们的结果表明，通过改变结构参数（例如轴向电位的宽度和深度以及电场强度），可以调整所关注结构的电子特性和光学特性，以获得适合特定研究或目标的响应。
使用射频阱和动态光势的陷阱离子量子计算的可扩展架构
基于线性射频阱中捕获离子的量子比特由于其高保真度的操作、全对全连接和局部控制程度而成为量子计算的成功平台。原则上，可以限制在单个 1D 寄存器中的基于离子的量子比特数量没有根本限制。然而，在实践中，长捕获离子晶体存在两个主要问题，这些问题源于其运动模式在扩大时会“软化”：离子运动的高加热率和密集的运动谱；两者都会阻碍高保真量子比特操作的性能。在这里，我们提出了一种使用大离子晶体的量子计算的整体、可扩展架构来克服这些问题。我们的方法依赖于动态操作的光势，它可以瞬间将离子晶体分割成可管理大小的单元。我们表明这些单元表现为几乎独立的量子寄存器，允许所有单元上都有并行纠缠门。重新配置光学势能的能力保证了整个离子晶体的连通性，并且还实现了高效的中电路测量。我们研究了大规模并行多量子比特纠缠门的实现，这些门可同时在所有单元上运行，并提出了一种协议来补偿串扰误差，从而实现大规模寄存器的全面使用。我们说明了这种架构对于容错数字量子计算和模拟量子模拟都是有利的。
重新评估场发射的哈特曼效应
使用 Gamow 因子 θ ( k ) 重新进行了 Winful 的分析，以便进行推广。第三，对高场电子发射特性势垒重复 Gamow 分析。有几个候选势垒：(i) 镜像电荷或肖特基-诺德海姆 (SN) 势垒[20]：它描述金属 [21] 和半导体 [22] 的场发射，具有半解析的 Gamow 因子 θ ( k )，但透射 t ( k ) 和反射 r ( k ) 系数必须通过数值计算；(ii) Eckart 势垒[23]：它是非对称势垒，对于它，t(k) 和 r(k) 是解析的，但 Gamow 因子 θ ( k ) 必须通过数值计算； (iii) 三角势垒或 Fowler-Nordheim (FN) 势垒 [21] 用于场发射：它忽略了镜像电荷效应，但 t(k)、r(k) 和 θ(k) 都是完全解析的。因此，只有所选的三角势垒 (iii) 才是高场条件下场发射的简单、纯解析表示（并且是隧道波力学最具代表性的例子 [24, 25]）。因此，FN 形式 [26–28] 用于开发和分析停留时间 τ d 和自干扰时间 τ i。
量子玻姆启发势能用于建模非高斯时间序列及其在金融市场中的应用
摘要：我们实施了主要基于玻姆力学的量子建模来研究包含事件间强耦合的时间序列。与具有正常密度的时间序列相比，此类时间序列与罕见事件相关。因此，采用高斯统计数据会严重低估其罕见事件的发生。本研究的主要目标是从量子测量的角度研究罕见事件对时间序列概率密度的影响。为此，我们首先使用多重分形随机游走 (MRW) 方法对时间序列的非高斯行为进行建模。然后，我们研究了 MRW 的关键参数 λ 在时间序列导出的量子势中的作用，该参数控制非高斯性程度。我们的玻姆量子分析表明，导出的势在高频下取一些负值（其平均值），然后大幅增加，对于罕见事件，该值再次下降。因此，罕见事件可以在量子势的高频区域产生势垒，当系统横穿该势垒时，这种势垒的影响会变得突出。最后，作为将量子势应用于微观世界之外的一个例子，我们计算了标准普尔金融市场时间序列的量子势，以验证非高斯密度中罕见事件的存在，并证明与高斯情况的偏差。
理学硕士第三年（第五学期）
教学大纲 电动力学 (08 小时) 电动势和运动电动势、法拉第电磁感应定律和磁场中的能量、麦克斯韦方程组、麦克斯韦如何固定安培定律、物质中的麦克斯韦方程组、边界条件 电动力学中的守恒定律 (06 小时) 连续性方程、坡印廷定理、电动力学中的牛顿第三定律、麦克斯韦应力张量、动量守恒定律、角动量 电磁波 (08 小时) 一维波、真空和物质中的电磁波、物质中的吸收和弥散、导波 势与场 (07 小时) 标量势和矢量势、规范变换、库仑规范和洛伦兹规范、延迟势、 Jefimenko 方程、Lienard-Wiechert 势、移动点电荷的场辐射（06 小时）电偶极子辐射和磁偶极子辐射、任意源的辐射、点电荷辐射的功率、辐射反应电动力学和相对论（07 小时）狭义相对论和相对论力学、相对论电动力学、场张量、张量符号中的电动力学。