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使用射频阱和动态光势的陷阱离子量子计算的可扩展架构
基于线性射频阱中捕获离子的量子比特由于其高保真度的操作、全对全连接和局部控制程度而成为量子计算的成功平台。原则上，可以限制在单个 1D 寄存器中的基于离子的量子比特数量没有根本限制。然而，在实践中，长捕获离子晶体存在两个主要问题，这些问题源于其运动模式在扩大时会“软化”：离子运动的高加热率和密集的运动谱；两者都会阻碍高保真量子比特操作的性能。在这里，我们提出了一种使用大离子晶体的量子计算的整体、可扩展架构来克服这些问题。我们的方法依赖于动态操作的光势，它可以瞬间将离子晶体分割成可管理大小的单元。我们表明这些单元表现为几乎独立的量子寄存器，允许所有单元上都有并行纠缠门。重新配置光学势能的能力保证了整个离子晶体的连通性，并且还实现了高效的中电路测量。我们研究了大规模并行多量子比特纠缠门的实现，这些门可同时在所有单元上运行，并提出了一种协议来补偿串扰误差，从而实现大规模寄存器的全面使用。我们说明了这种架构对于容错数字量子计算和模拟量子模拟都是有利的。
重新评估场发射的哈特曼效应
使用 Gamow 因子 θ ( k ) 重新进行了 Winful 的分析，以便进行推广。第三，对高场电子发射特性势垒重复 Gamow 分析。有几个候选势垒：(i) 镜像电荷或肖特基-诺德海姆 (SN) 势垒[20]：它描述金属 [21] 和半导体 [22] 的场发射，具有半解析的 Gamow 因子 θ ( k )，但透射 t ( k ) 和反射 r ( k ) 系数必须通过数值计算；(ii) Eckart 势垒[23]：它是非对称势垒，对于它，t(k) 和 r(k) 是解析的，但 Gamow 因子 θ ( k ) 必须通过数值计算； (iii) 三角势垒或 Fowler-Nordheim (FN) 势垒 [21] 用于场发射：它忽略了镜像电荷效应，但 t(k)、r(k) 和 θ(k) 都是完全解析的。因此，只有所选的三角势垒 (iii) 才是高场条件下场发射的简单、纯解析表示（并且是隧道波力学最具代表性的例子 [24, 25]）。因此，FN 形式 [26–28] 用于开发和分析停留时间 τ d 和自干扰时间 τ i。
MIL-STD-1595A - EB 工业
坡口焊接钢板中弯曲试样的空白位置. . . . . . . . . 27 坡口焊接钢板中弯曲试样的空白位置（续）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 角焊管中弯曲试样的空白位置 . . . . . . . . . . . . . 39 14 环绕弯曲试验夹具。 . . . . . . . . 40 冲压和模具弯曲试验夹具。 . . . . . . . 41 开槽角焊缝。 . . . . . . . . . . . 44 fj?q~t-~~l~~d Shppt. 中的金相试样的空白位置，. . . 45
量子玻姆启发势能用于建模非高斯时间序列及其在金融市场中的应用
摘要：我们实施了主要基于玻姆力学的量子建模来研究包含事件间强耦合的时间序列。与具有正常密度的时间序列相比，此类时间序列与罕见事件相关。因此，采用高斯统计数据会严重低估其罕见事件的发生。本研究的主要目标是从量子测量的角度研究罕见事件对时间序列概率密度的影响。为此，我们首先使用多重分形随机游走 (MRW) 方法对时间序列的非高斯行为进行建模。然后，我们研究了 MRW 的关键参数 λ 在时间序列导出的量子势中的作用，该参数控制非高斯性程度。我们的玻姆量子分析表明，导出的势在高频下取一些负值（其平均值），然后大幅增加，对于罕见事件，该值再次下降。因此，罕见事件可以在量子势的高频区域产生势垒，当系统横穿该势垒时，这种势垒的影响会变得突出。最后，作为将量子势应用于微观世界之外的一个例子，我们计算了标准普尔金融市场时间序列的量子势，以验证非高斯密度中罕见事件的存在，并证明与高斯情况的偏差。
阿拉斯加的能源未来：阿拉斯加天然气管道
“这是立法机关的目的，即阿拉斯加加油站开发公司继续努力通过推进一项管道项目提案，以满足阿拉斯加人的关键能源需求，该计划将向阿拉斯加的公用事业，企业和房主提供北坡天然气。此外，立法机关的目的是，阿拉斯加加油站开发公司对项目提案进行了独立的第三方审查，该项目将在2024年12月20日之前将北坡气体商业化并向立法机关提出分析。立法机关的进一步意图，如果分析对国家表现出积极的经济价值，所有各方
飞机坡道安全和坡道人为因素初始培训
- 管理坡道上的压力和紧张 - 考虑因果关系 - 时间压力和最后期限 - 影响绩效的因素 - 酒精、药物和药物滥用 - 睡眠、疲劳和轮班工作 - 坡道安全人体工程学和有效预防措施 - 交付有效的团队合作流程 - 编组设备、手套、魔杖等介绍 - 飞机危险区域 - 设备的技术检查 - F.O.D.检查、飞机到达检查 - 编组技术、风险评估和本地程序 - 紧急情况下的行动 - 地面电源连接 - 与机组人员的通信 - 坡道上的安全 2 - 飞机编组和技术编组信号
在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。