摘要:CGAS刺信信号传导是诱导I型IFN的主要途径,在防御巨型T. gondii感染中起着至关重要的作用。相比之下,T。Gondii制定了多种策略来抵消宿主防御,从而在广泛的宿主中引起严重疾病。在这里,我们证明了T. gondii Rhoptry蛋白16(ROP16)通过抑制CGA(环状GMP-AMP合酶)途径通过刺痛的多素化抑制I型干扰素信号传导。Mech-在动态上,ROP16通过信号域与STING相互作用,并抑制NLS(核定位信号)domain依赖性方式中STIN的K63连接的泛素化。conse,在Pru tachyzoites中淘汰了ROP16,促进了I型IFN的刺激介导的产生,并限制了T. gondii的复制。一起,这些发现描述了一种独特的途径,其中T. gondii利用了sting的泛素化来逃避宿主的抗寄生虫免疫,从而揭示了对宿主与寄生虫之间相互作用的新见解。
后期:Askarniya Z.,Sun X.,Wang Z.,Boczkaj G.,基于空化的食物废物预处理和处理的技术:主要应用和机制 - 审查,化学工程杂志,杂志。454(2023),140388,doi:10.1016/j.cej.2022.140388
'LIIHUHQW UHJLRQV DURXQG WKH ZRUOG DUH LPSOHPHQWLQJ YDULRXV VWUDWHJLHV IRU FDUERQ PDUNHWV 6RPH DUH HPSKDLVLQJ WKH PDQGDWRU\ PDUNHW ZKLOH RWKHUV SULRULWLVH WKH YROXQWDU\ PDUNHW DQG LQ FHUWDLQ LQVWDQFHV WKH\ DUH VLPXOWDQHRXVO\ H[SORULQJ ERWK DYHQXHV 7KHVH DSSURDFKHV DUH VXSSRUWHG E\ D YDULHW\ RI UHJXODWRU\ PHDVXUHV FRQWULEXWLQJ WR WKH LQFUHDVLQJ SDUWLFLSDWLRQ RI YDULRXV VWDNHKROGHUV LQ FDUERQ PDUNHWV XOWLPDWHO\ ERRVWLQJ WKHLU GHYHORSPHQW
产品描述Kaocrete B和Kaocrete 2600b比大多数难治性整体构造更多的塑料材料。它们非常适合抹灰,首选用于修补衬里和挡板。仅适用于相对较薄的部分。开枪时他们的反弹极低。kaocrete d是一款用于2500°F(1371°C)的整体服务。它具有增强的流动能力,适用于一般职责施放应用。Kaocrete HS和Kaocrete HS Gun是高强度铸造和枪支混合物,可服务2600°F(1427°C)。它们结合了中间纯钙铝水泥和大小的高岭土聚集体。kaocrete HS可以在正常的水位上以极高的流量或减少的水为基础,以实现超高强度。Kaocrete HS具有良好的枪击功能。kaocrete 26是通用的,铸件/枪,低铁整体化。对于高达2600°F(1427°C)的应用,它结合了良好的体积稳定性和低成本。kaocrete 28-Li是一种通用,铸造/枪,低铁整体式,其中包含中间纯钙铝酸盐水泥。对于高达2800°F(1538°C)的应用,它是高温应用的经济选择。kaocrete 30是3000°F(1649°C),60%氧化铝整体化,设计用于高强度的高强度应用,该温度最高3000°F(1649°C)。仅专为铸造应用而设计,尤其适用于预铸造燃烧器块。kaocast是68%的氧化铝铸/枪难治性单片,可承受高达3000°F(1649°C)。它在高温下具有出色的体积稳定性。许多炉子操作员选择高级服务的高木出,其中工作温度高达3000°F(1649°C)。kaocrete 32厘米是3200°F(1760°C),铸造等级,难治性单片,氧化铝含量为70%。它具有出色的体积稳定性和高强度。
摘要:近年来,硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极,关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压,而且还要确保高效的电荷传输。在本文中,我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层,从而确保了高效的电荷传输,从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子,使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果,实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外,NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极,以实现高性能 PEC 水分解。关键词:硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍
3.3.1 金属化 54 3.3.2 氢化硅烷化 54 3.3.3 有机三烷氧基硅烷的功能化 55 3.3.4 其他方法 56 3.4 桥联聚倍半硅氧烷的溶胶-凝胶处理 58 3.4.1 水解和缩合 58 3.4.2 凝胶化 59 3.4.3 老化和干燥 62 3.5 桥联聚倍半硅氧烷的表征 62 3.5.1 桥联聚倍半硅氧烷的孔隙率 64 3.5.2 孔径控制 65 3.5.3 孔模板 66 3.6 桥联基团对纳米结构的影响 68 3.6.1 表面活性剂模板化介孔材料 68 3.6.2 介晶桥联基团 68 3.6.3超分子组织 70 3.6.4 金属模板 71 3.7 热稳定性和机械性能 71 3.8 化学性质 72 3.9 应用 73 3.9.1 光学和电子学 74 3.9.1.1 染料 74 3.9.1.2 桥联聚倍半硅氧烷中的纳米点和量子点 75 3.9.2 分离介质 75 3.9.3 催化剂载体和催化剂 76 3.9.4 金属和有机吸附剂 77 3.10 总结 78