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パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
聚丙烯化合物
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基于吲哚的化合物在抗...
摘要：神经变性是一种逐渐衰减的过程，导致中枢神经系统和周围神经系统中神经元的耗竭，最终导致认知功能障碍和大脑功能的恶化，以及运动技能和行为能力的下降。神经退行性疾病（NDS）对社会施加了实质性的社会经济压力，这会因世界人口的晋升年龄和缺乏有效的补救措施而加剧，预测了消极的未来。在这种情况下，发现可行疗法的紧迫性至关重要，尽管药物学家在开发潜在的候选药物和探索各种小分子作为治疗剂方面做出了巨大努力，但令人遗憾的是，尚待找到真正有效的治疗方法。氮杂环化合物，尤其是那些已成为特权支架的吲哚核的化合物，引起了各种药理应用的特别关注。本综述分析了不同研究小组采用的理性设计策略，用于开发基于抗吲哚的基于抗吲哚的化合物，这些化合物有可能调节NDS涉及的各种分子靶标，参考2018年至2023年之间的最新进展。
INP和III-V化合物
iii-V半导体化合物形成了各种离散的核心材料系统，这些系统的核心材料系统最终完全集成了光子组件（激光器和光学放大器，调节器，光电探测器和被动光功能）以及高强度的电子设备。III-V化合物的一个关键特征是它们表现出直接的带隙，从而有效地产生和放大光，而不是间接的带隙半导体（如硅和锗）。自上世纪的六十年代以来，这导致了广泛的半导体激光类型（CW，可调，多波长，脉冲，频率 - 梳子，单光子，单个光子）的发展。通过将不同的III-V化合物合金调整材料的电子带隙，可以使光的波长调节到相当宽的频谱NIR范围内的所需值。基于GAA（〜850-1100 nm）和INP（〜1200-1700 nm）的材料是最突出的系统，主要由光纤通信驱动。借助此应用领域，INP在具有多种结构的半导体激光器的整合中发挥了较高的作用，从而可以在光子整合电路中对光子进行操纵，以促进多种功能。最近，基于燃气的二极管激光器（1-8-3.0μm）吸引了对光源在传感应用中的兴趣。
聚乙烯管和配件化合物
a。按照AS/NZS 4131的注释A2（即，在20ºC和80ºC的测试温度下至少2个应力水平进行压力测试）。每个温度的最低应力水平是对应于原始ISO 9080分析的2500 h故障时间。将在每个级别测试三个样本。这些失败的时间不得低于根据原始分类数据得出的相应应力水平计算出的99.5％LPL值。未能满足此要求将意味着该化合物已经发生了足够的变化以需要完全评估。