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World File Search System化学蚀刻
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
具有相干自旋控制的单个碳化硅色心的 Purcell 增强
摘要：碳化硅最近被开发为光学可寻址自旋缺陷的平台。特别是，4H 多型体中的中性双空位显示出光学可寻址的自旋 1 基态和近红外光发射。在这里，我们展示了耦合到光子晶体腔的单个中性双空位的 Purcell 增强。我们利用纳米光刻技术和掺杂剂选择性光电化学蚀刻的组合来产生质量因子超过 5000 的悬浮腔。随后与单个双空位的耦合导致 Purcell 因子约为 50，表现为零声子线的光致发光增加和激发态寿命缩短。此外，我们测量了腔纳米结构内双空位基态自旋的相干控制，并通过动态解耦证明了扩展的相干性。这种自旋腔系统代表了使用碳化硅的可扩展长距离纠缠协议的进步，该协议需要来自空间分离的单个量子比特的不可区分光子的干涉。关键词：碳化硅、双空位、单自旋缺陷、珀塞尔增强、相干自旋控制、光子晶体腔
掺杂选择性蚀刻 - 脱毛 - 薄薄的...
摘要 - 背面照明（BSI）3D堆叠的CMOS图像传感器对于包括光检测和范围（LIDAR）在内的各种应用中引起了重大兴趣。这些设备的3D集成中的重要挑战之一涉及单个光子雪崩二极管（SPAD）晶圆的良好控制的背面稀疏，后者堆叠着CMOS WAFERS。背面晶圆稀疏通常是通过硅的回培养和掺杂敏感的湿化学蚀刻的组合来完成的。在这项研究中，我们开发了一种基于量身定制的HF：HNO 3：CH 3 COOH（HNA）化学的湿蚀刻过程，能够在P+/P硅过渡层中实现蚀刻层，具有高掺杂级别的选择性（> 90：1）。在300毫米晶片中证明了〜300 nm的极佳总厚度变化的可行性。此外，还表征了包括染色和表面粗糙度在内的HNA蚀刻硅表面的众所周知的特性。最后，提出了一种湿的化学尖端方法来减少表面粗糙度。
AgPt@C 纳米粒子在二维和三维基底上的直接激光诱导沉积用于电催化葡萄糖氧化
基于微电极上葡萄糖电氧化的紧凑型电化学装置[1-4]具有广泛的应用范围，包括食品工业（果汁中葡萄糖含量的分析）[5，6]和医学（作为植入式心脏刺激器的电源和血液中的葡萄糖传感器）[7-10]。在宏观紧凑电极上最大化电流（和功率）密度的一种方法依赖于纳米结构表面，这增加了电化学活性的比表面积。纳米多孔阳极氧化铝（AAO）提供了一个有趣的模板系统，可通过涂敷电催化剂来创建此类电极。它们平行的圆柱形孔隙的几何形状有利于在紧凑的体积中提供高表面积，同时允许有效地往返于表面的运输，从而优化系统的整体催化活性[11-13]。 AAO 作为模型模板系统最吸引人的特点是可以根据制备参数（阳极氧化电压和持续时间、电解质类型、随后的各向同性化学蚀刻）直接控制几何参数（孔径和长度、孔间距）[14,15]。AAO 模板合成的制备技术得到了广泛的研究：开发了不同质量的合成方法
使用飞秒
近几十年来，激光技术的进步使飞秒激光器的创建成为可能。这是一种特殊的激光类型，在该激光器上，激光束由重复的高能灯爆发仅几百秒秒，而与在每个常见激光指针中发现的连续激光束相反。短脉冲持续时间与每个爆发中的高能量配对会产生显着的峰值功率，从而使激光器能够以常规激光不能无法处理的方式处理材料。但是，能够产生飞秒激光束的机器的大尺寸和重量通常要求它们保持固定。要利用激光束进行处理，需要精确的重定向。在本报告中，我们描述了将常规CNC机器转换为激光处理站的过程，并通过在玻璃，金属箔和KTP晶体上写下我们的发现。该机器能够遵循具有千分尺精确度的CAD说明，以更改，铭文和切割一系列材料。使用绿色（λ= 514 nm）以及红外激光（λ= 1028 nm）进行处理，后者产生更好的结果。最终的激光设置可用于反复，可靠地处理所有材料，并在与化学蚀刻结合使用时在KTP上有很有希望的结果。
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
引入了用于体内生物传感的全墨捷印刷微针
微针首先是由硅制成的，因为微电子工业为制造综合电路提供了工具，可以适用于微针制造，而硅仍然是最常见的微针材料20。但是，基于洁净室的制造需要复杂的操作和高昂的成本才能实现大规模生产。此外，硅具有可穿戴应用的几个缺点，这就是为什么已经研究了用于微针制造的聚合物材料，金属和其他材料（例如陶瓷）的原因。对于聚合物的微针，越来越明显的是，用于开发下一代聚合物微针的偏爱制造方法和药物输送贴片将是光刻，复制品成型，3D打印和微机械工具20。对于金属微针，光化学蚀刻，电镀和激光切割是最常见的制造技术20。不幸的是，从制造的角度来看，金属微针的制造具有诸如电镀和升降之类的复杂性，这对于质量生产20是不希望的。其他用于微针制造的制造工艺包括注射成型，湿化学蚀刻，反应性离子蚀刻，热压花，激光钻孔，光刻和电型，绘画光刻，两光子聚合和3D打印20。
发光硅纳米线生物传感器的未来前景
摘要：本文探讨了发光硅纳米线 (NW) 在商业生物传感纳米器件这一日益发展的领域中的应用前景，用于选择性识别蛋白质和病原体基因组。我们通过薄膜金属辅助化学蚀刻法制备了室温下发射波长为 700 nm 的量子限制分形硅纳米线阵列，产量高，成本低。光的多次散射和弱局域化产生的迷人光学特性促进了硅纳米线作为高灵敏度和选择性光学生物传感平台的使用。在这项研究中，无标记硅纳米线光学传感器经过表面改性，可通过抗原-基因相互作用选择性检测 C 反应蛋白。在这种情况下，我们报告的最低检测限 (LOD) 为 1.6 fM，提高了在唾液或血清分析中检测不同动态范围的灵活性。通过改变纳米线表面的功能化程度，使其适应特定抗原，纳米线生物传感器的发光猝灭可用于测量乙肝病毒病原体基因组，无需 PCR 扩增，在真实样本或血液基质中的 LOD 约为 20 份。令人鼓舞的结果表明，纳米线光学生物传感器可以以前所未有的灵敏度（LOD 2 × 10 5 sEV/mL）检测和分离标记有 CD81 蛋白的细胞外囊泡 (EV)，因此即使在少量囊胚腔液中也可以测量它们。
Araldite®2051A/B结构粘合剂
高级材料美国技术数据预处理粘合关节的强度和耐用性取决于对要键合的表面的适当处理。至少应用良好的脱脂剂（例如丙酮，ISO-丙醇（用于塑料）或其他专有脱脂剂）清洁关节表面，以消除所有油脂，油脂，油脂和污垢。低度酒精，汽油或油漆稀释剂绝不能使用。通过机械磨损或化学蚀刻（“腌制”）脱脂表面获得最强和最耐用的接头。磨损后应进行第二次脱脂处理。araldite®2051A/B结构粘合剂在掺入搅拌机的墨盒中可用，可以作为借助Huntsman Advanced材料推荐的工具作为准备使用的粘合剂。粘合剂的应用此系统可在包含搅拌机的墨盒中获得，并且可以作为借助Huntsman Advanced材料推荐的工具，可以作为准备使用粘合剂。树脂/硬质混合物可以手动或机器人施加到预处理和干燥的关节表面上。Huntsman的技术支持小组可以协助用户选择合适的应用方法，并建议各种生产和服务粘合剂分配设备的知名公司。一层粘合剂0.25 mm厚通常会赋予关节最大的剪切强度。应用粘合剂后应立即组装并固定在固定位置。有关表面准备和预处理，粘合关节设计和双盒分配系统的更详细说明，请访问www.aralditeadhesives.com。
简历和学业
教育和培训 名称 材料科学研究博士学位 XXV 周期 完成日期 2013 年 7 月 2 日 颁发者：卡塔尼亚大学 论文标题 在 (100) 和 (111) 硅晶片上进行化学镀银，通过辅助蚀刻制造纳米线和纳米柱。 http://archivia.unict.it:8080/handle/10761/1293 导师、监督员 Prof. Emanuele Rimini、Prof.ssa Maria Grazia Grimaldi、Dr. Giuseppe D'Arrigo 活动描述 博士论文提出了一种特殊的金属辅助化学蚀刻硅的技术高级研究，该技术是通过将覆盖有金属网络的半导体基板浸入含有氧化剂的溶液中来实现的。金属的存在使氧化优先发生在与基材接触的区域，从而有助于氧化。被氧化的部分会被溶液中含有的酸除去，而产生的凹陷会在起始基底上留下丝状结构。温度、溶液成分和照明会影响这一过程，金属网络的形态和基材的晶体取向也会影响这一过程。该金属是通过化学沉积获得的，将基材浸入含有不同浓度的金属盐（AgNO3、KauCl4、Na2PtCl6）和氢氟酸（HF）的溶液中不同时间。利用 RBS、SEM 和 TEM 研究沉积情况。通过使用各种光刻技术构造的基板，突出了对晶体取向的依赖性，这些基板允许在基板上选择性沉积金属。 TEM 观察