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World File Search System化学蚀刻
Araldite 2015 胶粘剂 - RS Components
预处理 粘合接头的强度和耐久性取决于对要粘合的表面进行适当的处理。至少，应使用良好的脱脂剂（如丙酮、异丙醇（用于塑料）或其他专有脱脂剂）清洁接头表面，以去除所有油、油脂和污垢痕迹。切勿使用低浓度酒精、汽油或油漆稀释剂。通过机械研磨或化学蚀刻（“酸洗”）脱脂表面可获得最坚固、最耐用的接头。研磨后应进行第二次脱脂处理。 Araldite ® 2015 结构胶粘剂以带混合器的筒装形式提供，可借助 Huntsman Advanced Materials 推荐的工具作为即用型胶粘剂涂抹。 胶粘剂的应用 可以手动或机器人将树脂/硬化剂混合物涂抹在预处理的干燥接头表面上。 Huntsman 的技术支持团队可协助用户选择合适的应用方法，并推荐各种制造和维修粘合剂分配设备的知名公司。厚度为 0.002 至 0.004 英寸（0.05 至 0.10 毫米）的粘合剂层通常会为接头提供最大的搭接剪切强度。Huntsman 强调，适当的粘合剂接头设计对于持久粘合也至关重要。一旦涂抹粘合剂，就应将接头组件组装并固定在固定位置。有关表面准备和预处理、粘合剂接头设计和双注射器分配系统的更多详细说明，请访问 www.araldite2000plus.com。设备维护在粘合剂残留物固化之前，应使用热水和肥皂清洁所有工具。清除固化残留物是一项困难且耗时的操作。如果使用丙酮等溶剂进行清洁，操作员应采取适当的预防措施，此外，还应避免皮肤和眼睛接触。达到最小剪切强度的固化时间
用于MXENE合成和电化学电化学的电化学行为的声学平台
气候变化被认为是全球最大的挑战，在其最前沿是能源的话题。虽然非常重要，但有关能源的辩论已成为一种正常性。与能源储能应用的材料合成相关领域也在增长，以及对可再生能源的工业电气化需求。水性超级电容器是一种能够提供高功率密度的储能设备，同时在环境友好的媒体中保持长期环环性。但是，他们的挑战包括在能量密度，安全性和低成本的电极生产方面保持较高的表现。mxene是由H，OH和F组终止的二维过渡金属碳化物/氮化物的家族。该材料表现出与其3D母体材料最大相位的能源应用相关的出色物理和化学特性。自2011年发现以来，由于其高电导率（20,000 s.cm -1）和可以达到900 FCM -3的体积功能，MXENE（例如Ti 3 C 2 T Z）在储能领域得到了广泛研究。但是，报告的MXENE的合成过程充满了耗时的危险程序。本文的第一部分提出了一种新的Ti 3 C 2 T Z Mxene合成的创新方法，其中MXENE在几毫秒内合成了MXENE，借助30 MHz频率表面声波（SAW）和0.05m的LIF。在硫酸电解质中研究了MO 1.33 CT Z。MO 1.33 CT ZTi 3 Alc 2 Max相中的铝元素被所谓的“局部HF”蚀刻，并将粉末转化为2d Ti 3 C 2 T Z。该方法显示了与先前报道的合成技术相当的MXENE，如该材料的电型性能所证明的那样。该论文的第二部分着重于研究相对较新的MXENE家族在水溶液中产生的I-含量的电化学性能。i -mxene在2017年报道，具有化学式MO 1.33 ct z，是平面内化学有序化学蚀刻的产物（MO 2/3 SC 1/3）2 ALC I -MAX相。该电解质为电极电位窗口和电容设置了极限，因此，使用后处理方案来增强电化学性能。
在熔融上雕刻深度控制的纳米孔阵列...
面等离子体共振，促进了先进传感器的发展。[2,3] 在介电材料上制造的纳米孔阵列——更普遍地说是由亚波长直径的孔组成的规则有序结构——构成了集成二维光子晶体和全介电超表面架构的基础，能够以前所未有的水平限制和操纵光（包括幅度、光谱和空间管理）。[4] 这种等离子体和全介电纳米结构的纳米制造的通常技术方法依赖于各种工具和方法，其中包括聚焦离子束、电子束、光刻、反应离子蚀刻等。[5,6] 这些制造方法成熟且性能高，然而它们速度慢，需要针对所用每种材料进行优化的几个步骤和技术，从而不可避免地增加了整个过程的总成本和复杂性。未来的先进设备现在要求除了利用完美控制的平面纳米图案（在 X 和 Y 维度）之外，还需要利用第三维度（Z）。[7] 特别是，深度至少达到几微米的纳米孔阵列排列可以大大拓宽纳米光子结构的可能设计和功能范围。[7,8] 然而，在材料表面制造具有圆柱形轮廓的如此深的孔的技术具有挑战性。[9–12] 因此，引入一种多功能的制造方法，将孔深度添加为一个直接且独立的自由度，有望形成先进的架构。在此背景下，我们探索超快激光加工作为在参考介电材料熔融石英表面创建深气孔的直接方法。所谓“直接”，是指通过一步工艺制造一个孔，只用一次激光照射即可烧蚀物质，无需任何额外处理（例如化学蚀刻[13]），也无需平移目标材料。[14] 尽管超短脉冲直接激光烧蚀的最终空间分辨率尚未达到足够的性能标准，无法与传统纳米制造工艺相媲美，无法制造功能性纳米光子元件，但我们的目标是表明它代表了一种替代和互补的解决方案，在速度、无掩模和一步工艺、不需要真空环境或化学品方面具有吸引人的优势。此外，纳米结构可以在单个
原子级氧介导 2D MoS2 蚀刻和...
暴露 [7] 或浸入水中时。 [8] 相比之下，据报道 MoTe 2 是反应性最强的 TMD 之一。 [9] 然而，人们对导致这些材料行为截然不同的原子级过程知之甚少。像差校正（扫描）透射电子显微镜 (STEM) 可以以亚秒级分辨率获取材料的精确原子结构。然而，用于成像的高能电子也会引起结构变化，正如已经在 MoS 2 和 MoTe 2 中证明的那样。在 MoS 2 中，连续的电子暴露会通过电子激发和连锁损伤的共同作用迅速导致硫空位 [10] 的形成，[11] 它们首先聚集成空位线，然后出现富含钼边缘的孔隙。 [12] 相反，大概由于 Te 的质量大于 S，连锁损伤被抑制，MoTe 2 中的空位形成速度明显较慢，从而可以在不去除原子的情况下发生动态相变。 [13] 尽管如此，在这两种材料长时间成像的过程中，结构变化是不可避免的。 因此，为了研究与氧化相关的结构变化，必须将它们与纯电子辐照引起的效应区分开来。 这就需要具有超高真空的仪器，并在成像过程中在样品周围引入受控的低压气氛。 [14] 此类实验已经表明，石墨烯中的化学蚀刻发生在氧分压 > 3 × 10 − 8 托时，[15] 远低于带有侧入支架的 TEM 仪器的典型压力，导致孔隙从缺陷位置开始生长。 [16] 原始石墨烯区域不受影响。 然而，对所有其他 2D 材料仍然缺乏类似的研究。在这里，我们使用同样的策略来比较低压（9 × 10 − 10 − 4 × 10 − 7 托）氧气气氛下悬浮的二维 MoS 2 和 MoTe 2 单层的行为，同时通过 STEM 进行原子分辨率成像。在电子辐照下，O 2 分子可以分裂成原子氧，从而将化学效应加速到实验可及的时间尺度。在我们的实验中，MoS 2 中的结构损伤与氧分压无关，显示出众所周知的[10,12,17]与电子束相关的空位产生以及随后的富钼边缘结构孔隙。相反，在 MoTe 2 中，不同氧气压力下的结构变化有明显差异。具体而言，在超高真空中，MoTe 2 中的损伤与 MoS 2 中的损伤相似，除了
引用：Kim，Seok等。 “用于能源，环境和生物应用的功能性微构造反应堆的增材制造。”在
2韩国长华旺国立大学机械工程系。*通讯作者：Young Tae Cho（ytcho@changwon.ac.kr）和Nicholas X. Fang（nicfang@mit.edu）摘要在过去的三十年中，在连续流体系统中使用微反应器在连续的流体系统中得到了迅速扩展。材料科学和工程学的发展加速了微反应器技术的进步，使其能够在化学，生物学和能源应用中发挥关键作用。数字添加剂制造的新兴范式扩大了材料灵活性，创新的结构设计以及常规微反应器系统的新功能。用功能可打印材料对空间排列的控制决定了构建的微反应器中的质量传输和能量转移，这对于许多新兴应用很重要，包括用于催化，生物学，电池，电池或光化学反应堆。然而，诸如基于多物理模型和材料验证的设计诸如缺乏设计之类的挑战正在阻止功能微反应器与实验室规模之外的数字制造相结合的功能微反应器的更广泛的应用和影响。本评论涵盖了一些最先进的数字制造功能微反应器的开发中的最新研究。然后，我们在该领域提出了主要挑战，并提供了关于未来研发方向的观点。关键字微反应器，架构材料，添加剂制造，微/纳米制作，功能材料1。1A-B）[1]。1A-B）[1]。引言微反应器由于能源效率，可扩展性，安全性和更高的控制程度而被广泛用于现代化学工艺工程中。与大型传统批处理反应堆不同，微反应器是由以毫米测量并嵌入微米尺寸的孔或通道的构型中的微型反应结构网络构建的。带有这些小维度的设备由于其较大的特定表面积提供了更有效的质量和传热，从而产生了更高的反应性能（图随着微流体系统的发展，这些微反应器使在具有内部尺寸或流体动力直径的环境中受到几何限制的工作流体的有效操纵和控制。结果，在近几十年来，微反应器的进步在化学，药物和能源应用中的重要性越来越大。此外，用于生产目的的微反应器的经济优势和改进的安全指标进一步鼓励了它们在实际工业应用中的采用。目前在商业上使用了许多针对微反应器的制造技术，包括热压，激光消融，微加工和化学蚀刻。这些技术通常在设计上被限制为二维（2D）平面通道网络，其设计更复杂，导致成本，制造复杂性和生产时间的显着提高。因此，它们不允许设计复杂性，例如复杂的三维（3D）混合途径的结合。
关于MEMS最近发展的评论论文...
1名学生，2个学生，全印度Shri Shivaji纪念协会工程学院机械工程系，印度浦那-01，印度摘要：MEMS：MEMS（Micro-Electromechanical Systems）是一项先进的技术，是一项先进的技术，它在多个领域中找到了其应用于多个领域，即自动性电子设备，医疗设备，硬盘驱动器，计算机外观，无用的Devices，无线电话，无线电话。本文专注于在汽车字段中仅应用MEMS设备的应用。压力传感器的汽车需求最大。压力传感器后，第二大需求是加速度计传感器。也需要其他传感器，例如声学，水分和压电传感器。近年来，具有广泛MEMS传感器的MEMS技术已在汽车行业中广泛使用，以至于至少30个具有100个传感器节点的现代车辆的传感器节点是MEMS，并且汽车行业是MEMS技术的第二大市场。关键字：MEM，压力传感器，汽车应用简介MEMS技术在各个应用领域都发现其重要性。该领域包括汽车，健康科学，工程结构，电气，物理，电子产品等。mems传感器已被汽车行业所接受，以提高绩效，降低成本并提高家庭轿车的可靠性，这在发展中国家至关重要。实际上，在过去的十年中，汽车已使用了数亿个MEMS传感器。这些传感器中的许多（例如MEMS压力传感器）只需用更便宜，更可靠的设备代替旧技术即可。MEMS设备的吸引人特征使几个研究人员对其进行了吸引，包括其高灵敏度，高灵活性，高可靠性，由于其微型尺寸，并行性等等，其在单个芯片上集成的能力。本文强调了汽车中MEMS传感器应用的主要领域。谈论MEMS组件，它主要由四个主要组成部分：微型抗体，微传感器，微结构和微电子学。1.1 M EMS制造大多数MEMS制造方法都是从标准IC技术中采用的。最常见的技术是：散装微加工和表面微加工。1）在散装微加工中进行体积微加工，通过选择性去除基材的部分，直接在硅晶片上建立了3D微型机械结构。底物上的裸露区域进行进一步的化学蚀刻。2）各向异性蚀刻利用硅晶格的晶体学结构。3）在此中的各向同性蚀刻硅底物是在所有方向上的攻击。4）表面微加工表面微加工是基于底物上层的沉积，以及通过光刻技术的随后定义微型机械结构的定义。
高密度PWB
高密度PWB Ryoichi Watanabe和Hong的新电路编队技术赢得了Kim Samsung Electro-Mechanics Co.，Ltd。Suwon，S。韩国摘要为满足普华永道的未来需求，已讨论了普华永道的各种流程，材料和工具的技术。特别重要的是高端PWB的电路形成技术。在这些年中，从工业上讲，良好模式的电路形成方法已经改变了从减法过程到半添加过程（SAP）。SAP可以形成更细的电路，因为它不会引起侧面蚀刻，这是减法方法的问题。但是，SAP的闪光蚀刻过程会导致其他问题，例如由于电路之间的残留种子金属层，电路蚀刻和由于蚀刻而引起的电路分层引起的短缺陷。同样，由于形成电路的绝缘体表面的粗糙度，不仅有良好的电路形成的困难，而且是电特性的损失。在本文中，讨论了一种新的电路形成方法，以克服SAP原因闪光蚀刻过程的问题。它不需要闪光蚀刻过程，因此可以形成更细的模式。该细线电路形成的能力取决于图案抵抗分辨率，并被确认在L/S（线/空间）= 10/10UM或更少的情况下表现良好。也将电路模式埋在绝缘体层中，并且是带有绝缘体表面的刨床，因此电路具有高骨强度，具有绝缘体，并且通过制造设备或工艺之间的处理，损坏较小。此方法适用于建立PCB和FCP作为满足未来需求的电路形成技术。介绍电子设备的演变，该电子设备的发展速度更快，更小，更多功能但更具成本效益，PWBS的各种技术对于较高的密度需要各种技术。三星电力学有限公司，有限公司制造了许多PWB，例如HDI，用于手机，数字静止相机等，BGA软件包，FC BGA包装。为了满足未来的需求，特别是对于FCBGA，由于其高密度，生产FC BGA的产品变得越来越困难。电路的形成是需要在高密度方面快速进步的过程之一。已讨论了作为电路形成过程的减法过程和半添加过程（SAP），以提高其高密度。1，3但是，由于化学蚀刻而引起的减法过程具有侧面蚀刻的基本问题，并且由于闪光蚀刻过程，SAP具有局限性。SAP的闪光蚀刻过程会导致电路蚀刻等问题，如图1所示，在电路底部切割，如果闪光蚀刻不足，则在电路底部和种子层残基。由于种子层通常是铜，与电路相同，因此闪光蚀刻过程不仅蚀刻了种子层，还可以蚀刻电路。因此，电路宽度和厚度必须比闪光蚀刻之前的最终尺寸更宽，更厚，以在闪光蚀刻后保持设计规则。例如，在降低20UM电路的底部分离后，如图1所示，仅粘附的宽度仅为20UM螺距，如图1所示。这被认为是不足以为20UM电路提供足够的剥离强度。当电路变得更细时，由于制造输送机或滚筒的处理损坏，底切将是一个更大的问题，制造业产量将更低。出于这些原因，需要基于新概念的电路形成技术才能使线路电路形成并解决这些技术困难。