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World File Search System化学部
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
名称：Pallavi Jain博士主教福利副教授，化学部电子邮件ID：pallavij@srmist.edu.in
1。论文介绍了题为“关于绿色化学的原理和作用的综述，以减少对人类健康的相关影响，并实际上消除了由SRM University，Modinagar（2010）组织的NCGC-10中的NCGC-10的污染。2。撰写的题为“电子学习：趋势和资源基础”的论文由SRM University，Modinagar于2012年4月7日组织。3。在GTER-2012中呈现的题为“有毒重金属离子的Q进行了Q的分离”，该论文于2012年5月11日至13日由Haridwar的Gurukul Kangri University组织，2012年5月11日至13日。4。论文介绍了标题为“纳米医学：新时代的恩赐”，2013年Icnano-2013，由安萨尔大学（Ansal University），古尔冈（Gurgaon）于2013年7月25日组织。5。刊物的论文题为“基于询问的“基于询问”的学习，由电子学习支持：概述：ICRTC-13的概述”，由SRM大学于2013年10月4日至5日由SRM University，Modinagar组织。
致密碳化硼基陶瓷的强韧化机理研究进展
Liu 等 [36] 在 1950 ℃ 和 50 MPa 压力的 SPS 过 程中，发现随着 TiB 2 的添加量由 5 mol% 增至 30 mol% ，复合陶瓷的硬度降低，断裂韧性增加。 除裂纹偏转和 TiB 2 的钉扎效应使 B 4 C 晶粒细化 ( 从 1.91 μm 减至 1.67 μm) 外，两相间位错的产生， 是 B 4 C 陶瓷增强、增韧的次要原因，其在陶瓷断 裂前吸收能量，造成局部强化 [37–38] 。研究发现， 添加 20 mol% TiB 2 时，复合陶瓷的相对密度为 97.91% ，维氏硬度为 (29.82±0.14) GPa ，断裂韧性 为 (3.70±0.08) MPa·m 1/2 。 3.1.2 Ti 单质引入 与直接添加 TiB 2 相比，在烧结过程中原位反 应生成 TiB 2 可以在较低的烧结温度下获得更高 的密度和更好的机械性能。 Gorle 等 [39] 将 Ti-B( 原 子比 1:2) 混合粉体以 5 wt.% 、 10 wt.% 和 20 wt.% 的比例加入到 B 4 C 粉末中，研磨 4 h 后通过 SPS 在 1400 ℃ 下获得致密的 B 4 C 复合陶瓷。由于 WC 污染，获得了由被 (Ti 0.9 W 0.1 )B 2 和 W 2 B 5 的细颗粒 包裹的 B 4 C 颗粒组成的无孔微结构。当 Ti-B 混合 物的量从 5 wt.% 增至 20 wt.% 时，烧结活化能从 234 kJ·mol −1 降至 155 kJ·mol −1 。含 5 wt.% Ti-B 混 合物的 B 4 C 复合材料的最大硬度为 (3225±218) HV 。由于 TiB 2 的原位形成反应是高 度放热并释放大量能量的自蔓延反应，因此，原 料颗粒界面间的实际温度预计高于 SPS 烧结温 度，同时，液相 W 2 B 5 的形成润湿了 B 4 C 表面， 有助于降低 B 4 C 晶粒的界面能，并加速了沿晶界
致中学部学生家长及老师们……
新学年开始的行为准则为了帮助家庭应对安全返校的复杂前景，本学校为所有家长准备了一份可能的建议清单。老师们将帮助孩子们思考为了每个人的安全而遵守的规则的意义，帮助他们增强意识和责任感。但是，家长们的贡献也至关重要：我们要求你们每天监督并与学校合作，教导你们的孩子遵守安全规则。学校重新开学并长期开放很重要，因为孩子们需要学校来成长；每个人都需要采取谨慎和负责任的行为，以便传染病不会再次爆发并且不会蔓延到学校。儿童、家长或其他成年人在初中就读的前提条件是：
俄罗斯联邦教育和科学部
人为、自然和环境性质的紧急情况造成的损害。在过去的 35-40 年里，他们的数量几乎增加了 3 倍。人为事故和灾害造成的物质损失约占国内生产总值的3%。人为突发事件的主要原因，一方面是固定生产资产的恶化和物质技术供应的严重恶化，另一方面是生产和技术纪律水平的急剧下降。 、设备、机构和机器运行过程中严重违反安全要求，不遵守预防性检查和定期维护的监管要求。我国的经济对象目前有12000多个（超过四分之一）存在潜在危险；超过 5000 万人居住在其影响范围内。经济不稳定和通货膨胀导致大量观测和实验室控制站破旧和关闭，无法全面开展监测、预报和预防自然和环境突发事件的活动。这反过来又导致地震、洪水、泥石流、山体滑坡以及其他自然和环境灾害和灾难造成的受害者人数增加。
应用与计算数学部
本报告总结了美国国家标准与技术研究所 (NIST) 信息技术实验室应用与计算科学部最近的技术工作。第一部分（概述）概述了该部门的活动，包括去年技术成就的亮点。第二部分（特色）详细介绍了今年特别值得注意的八个项目。接下来的第三部分（项目摘要）简要概述了过去一年中所有活跃的技术项目。第四部分（活动数据）列出了部门工作人员参与的出版物、技术讲座和其他专业活动。本文件涵盖的报告期为 2013 年 10 月至 2014 年 12 月。如需更多信息，请联系 Ronald F. Boisvert，邮寄地址 8910，NIST，马里兰州盖瑟斯堡 20899-8910，电话 301-975-3812，电子邮件 boisvert@nist.gov，或访问该部门的网站
应用和计算数学部
本报告总结了 NIST 信息技术实验室应用与计算科学部的技术工作。第一部分（概述）概述了该部门的活动，包括去年技术成就的亮点。第二部分（特点）详细介绍了今年特别值得注意的十个项目。接下来是第三部分（项目摘要），简要概述了过去一年中活跃的所有技术项目。第四部分（活动数据）列出了部门工作人员参与的出版物、技术讲座和其他专业活动。本文件涵盖的报告期为 2011 年 10 月至 2012 年 12 月。如需更多信息，请联系 Ronald F. Boisvert，邮寄地址：8910，NIST，Gaithersburg，MD 20899-8910，电话：301-975-3812，电子邮件：boisvert@nist.gov，或访问该部门的网站：http://www.nist.gov/itl/math/index.cfm。
应用和计算数学部
本报告总结了 NIST 信息技术实验室应用与计算科学部的技术工作。第一部分（概述）概述了该部门的活动，包括去年技术成就的亮点。第二部分（特点）详细介绍了今年特别值得注意的十个项目。接下来是第三部分（项目摘要），简要概述了过去一年中活跃的所有技术项目。第四部分（活动数据）列出了部门工作人员参与的出版物、技术讲座和其他专业活动。本文件涵盖的报告期为 2011 年 10 月至 2012 年 12 月。如需更多信息，请联系 Ronald F. Boisvert，邮寄地址：8910，NIST，Gaithersburg，MD 20899-8910，电话：301-975-3812，电子邮件：boisvert@nist.gov，或访问该部门的网站：http://www.nist.gov/itl/math/index.cfm。