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World File Search System化硅
氢化硅纳米片的氯化揭示......
摘要：据推测，通过 CaSi 2 拓扑脱插合成的二维硅纳米片 (Si-NS) 由 sp 3 杂化硅原子的弯曲层组成，这些硅原子与其他三个框架 Si 原子以及一个终端原子或功能团（例如 H、Cl 或 -OH 基）结合。在这里，我们应用 1 H{ 35 Cl} 和 29 Si{ 35 Cl} 共振回波饱和脉冲双共振 (RESPDOR) 固态 NMR 实验来直接确认 Si-NS 内氯化 Si 原子的存在。将观察到的 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相绘制为 35 Cl 饱和脉冲偏移的函数，可以测量 35 Cl 中心跃迁 (CT) 四极粉末图和氯四极耦合常数 (CQ )。对 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相曲线进行建模表明，Si-Si 层间距约为 6 Å。平面波 DFT 计算表明，Si-NS 的直接带隙跃迁随着氯化程度的增加而减小，这表明氯化是调整应用带隙的可行途径。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
调查硅死亡裂纹的变化硅死亡裂纹...
Quezon City，菲律宾1101年，摘要 - 对小型，便携式电子设备的需求一直在增加，直到今天。紧凑的电子设备将减少半导体的大小，这将转化为进一步缩小其中的组件，例如小轮廓二极管（SOD）和小轮廓晶体管（SOT）。这项工作利用有限元法采用断裂力学方法来分析不同的几何参数对硅死亡诱导裂纹的J积分的影响。此外，对两种模量弹性模量的影响对硅死模的裂纹倾向的研究进行了研究。获得的J积分值通常显示出具有中型硅的峰值，其模具附着材料具有较高的弹性模量。J-积分值通常会随着厚度而降低，但发现在100毫米厚度约为100毫米的最小值。进一步减少厚度会导致J积分的增加。模拟的结果将有助于确定这些参数对包裹对模具裂纹风险的可靠性的影响，并可以用于指导现有包装设计的改进。关键字 - die crack，j-integral，小排出线晶体管
具有功能化氮化硅光子电路的超灵敏折射率气体传感器
便携式、经济高效的气体传感器在众多环境、生物医学和工业应用中越来越受欢迎，但目前的设备仅限于专门的实验室，无法扩展到一般用途。在这里，我们展示了一种光子芯片上灵敏度为十亿分之一的折射率气体传感器，该光子芯片基于用中孔二氧化硅顶包层功能化的氮化硅波导。通过监测集成不平衡马赫-曾德尔干涉仪的输出光谱模式来检测低浓度化学蒸气，该干涉仪的一个涂层臂暴露在气体蒸气中。我们分别对丙酮、异丙醇和乙醇获得了 65 ppb、247 ppb 和 1.6 ppb 的检测限。据我们所知，我们的片上折射率传感器基于光子集成电路提供了前所未有的低气体浓度检测限。因此，我们的研究结果预示着用于现场实时环境监测和医疗诊断的紧凑、便携和廉价设备的实现。
支持信息合成硅量子点...
图 S2(a) 和 S1(b) 分别显示了合成状态和氢化硅化 Si-QDs（样品 1）的 Si 2p 光谱。合成状态的 Si-QDs 在 99.6 和 100.5 eV 处出现峰，分别对应于 Si 2p 1/2 和 Si 2p 3/2 ，这是元素 Si 的特征，还有其他氧化 Si 物质，Si 1+（100.4 eV）、Si 2+（101.9 eV）、Si 3+（102.6 eV）和 Si 4+（103.7 eV）。1, 2。元素 Si 峰的存在证实样品由 Si 制成。宽氧化峰表明氢化物端接的 Si-QDs 在转移过程中与环境氧发生了反应，而 Si-QDs 本质上并不存在这些反应。对于氢化硅化 Si-NC（图 S2(b)），我们发现元素 Si 峰与合成样品类似，还有对应于 Si-C（101.3 eV）和 Si- R/Si(O)R（101.8 和 102.3 eV）3 的峰，而氧化 Si 物质没有产生显著贡献。图 S2(c) 中所示的氢化硅化 Si-QDs 的 C 1s 光谱分别显示存在 C=C（284.5 eV）、CC（285.1 eV）和 C- Si（283.9 eV）4，没有氧化物相关峰，与 Si 2p 元素光谱一致。该结果与 FTIR 观察结果一致，并证实了氢化物封端的 Si-QDs 通过氢化硅化用烷基钝化。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
硅中铂的扩散及其在电力设备寿命工程中的应用综述
然后进行退火。后者将注入剂量作为附加设计参数。首先，从 Pt 硅化物层引入铂的实验中，我们可以学到很多东西。这些知识对于校准基本机制的模型参数非常有用，因为它与注入后退火相比不太复杂，而注入后退火不可避免地会导致注入损伤以及高注入剂量下铂团块的形成。另一个有趣的过程是硅中铂的磷扩散吸杂 (PDG)。它可用于进一步定制铂分布和载流子寿命调整，从而进一步优化硅功率器件在软开关方面的性能。[1,2]
准备芯片供应链和异质IC包装
处理器和记忆的组合已经存在了多年，最终以高端处理器和高带宽记忆（HBM）达到最终，以解决一个快速增长的人工智能市场（AI）算法培训。现在，将模具功能的功能分区分为chiplets正在使人们对未来的设计产生更广泛，更有效的影响。chiplet方法允许产品性能提高以在仍然令人信服的成本点继续进行。总硅成本可以降低，这是由于较小的芯片的产量更好，并且有机会使用硅工艺节点的混合物来进一步优化硅的成本。用于异质和chiplet方法的集成电路（IC）包装更昂贵，但是包装成本的上升被硅的总支出减少和有利的上市优势所抵消。
与污染物相关的化学机械平坦化
化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料，包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而，在 CMP 工艺之后，晶圆表面上会观察到各种污染物，并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响，因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物，例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等，(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染，(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。