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World File Search System化铝
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，
VECCO关键矿物项目 - 社会影响评估
拟议的开放式矿山每年将生产高达190万吨的矿石矿石，该矿石将在现场进行处理，每年可产生高达5,500吨的钒和4,000吨高纯氧化铝。少量的其他稀有元素也可能为该过程的可销售双脂肪带来机会。产品将通过道路前往汤斯维尔（Townsville）进行精炼，作为电解质和最终用途。钒流量电池适用于大规模更新储能 - 全球转移向脱碳的关键步骤。
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
目录
表面磨碎ASIS 1045钢D.D.的表面硬度计算。Trung，N.N。 Tung，N.H。 儿子，L.H。 ky，T.T。 Hong，N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55％铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接，并使用常规的打孔T. Ohashi，T。Ohno，Y。Shiraishi，Y。Shiraishi，H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky，T.H。 Tran，N.V。Cuong，T.T。 Hoang，D.T。 Tam，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。的影响 ky，T.T。 Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Trung，N.N。Tung，N.H。 儿子，L.H。 ky，T.T。 Hong，N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55％铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接，并使用常规的打孔T. Ohashi，T。Ohno，Y。Shiraishi，Y。Shiraishi，H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky，T.H。 Tran，N.V。Cuong，T.T。 Hoang，D.T。 Tam，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。的影响 ky，T.T。 Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Tung，N.H。儿子，L.H。ky，T.T。Hong，N.V。Cuong和V.N. pi 3热浸55％铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接，并使用常规的打孔T. Ohashi，T。Ohno，Y。Shiraishi，Y。Shiraishi，H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H. 的影响 ky，T.H。 Tran，N.V。Cuong，T.T。 Hoang，D.T。 Tam，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。的影响 ky，T.T。 Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Hong，N.V。Cuong和V.N.pi 3热浸55％铝 - 锌合金涂层钢板和A5083铝合金板之间的摩擦 - 螺距机械连接，并使用常规的打孔T. Ohashi，T。Ohno，Y。Shiraishi，Y。Shiraishi，H.M。 Tabatabaei和T. Nishihara 8电气排放加工对圆柱形零件的表面粗糙度L.H.ky，T.H。Tran，N.V。Cuong，T.T。Hoang，D.T。 Tam，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。的影响 ky，T.T。 Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Hoang，D.T。Tam，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响 oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。的影响 ky，T.T。 Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Tam，L.A。Tung，N.T。tu和v.n.pi 13切割液对快速固化铝（RSA 431）的单点钻石转向表面粗糙度的影响oyekunle和K. abou-el-hossein 18过程参数对电气排放加工圆柱形零件N.V. Cuong，L.H。ky，T.T。Hong，T.T。 Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Hong，T.T。Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。 tu和v.n. pi 24Hoang，N.M。Cuong，L.A。Tung，N.T。tu和v.n.pi 24
ATC 电阻器和终端：工程指南
限制电阻膜的温度需要具有高热导率的绝缘基板。其他理想特性包括微波频率下与温度无关的（在合理范围内）介电常数、物理强度、对薄膜电阻材料的良好粘附性、对微电子组装中使用的湿气和加工化学品的抗性。在美国，多年来，氧化铍 (BeO) 一直是满足这些要求的首选基板——尽管 BeO 粉尘和粉末已知具有危险性并且需要特殊的处理和处置技术。然而，国际社会反对使用 BeO，因此近年来，替代材料氮化铝 (AlN) 的使用越来越多。表 1 比较了 AlN 和 BeO 的典型特性；99% 氧化铝的数据仅供参考。
titustm U.S.A.锂电池
10.6。危险分解产物 - 氢（H 2）以及氧化锂（Li 2 O）和氢氧化锂（LiOH）粉尘是在锂金属与水反应的情况下产生的。氯（Cl 2），二氧化硫（SO 2）和二硫化二氯化物（S 2 Cl 2）在140 thionyl氯的热分解中，在140 r-盐酸（HCl）和二氧化硫二氧化硫（SO 2）的情况下，在硫代酸（So 2）的情况下产生硫代酸（So 2）的含量（硫酸）酸（SO 2），含有硫代酸（SO 2）。如果在四氯化铝（Lialcl 4）与水反应的情况下，产生烟雾，氧化锂（Li 2 O），氢氧化锂（LiOH）和氢氧化铝（Al（OH）3）。
FR-AlN-ST 陶瓷数据表 V2a 032323
FR-AlN-ST 是一种先进的结构氮化铝陶瓷，采用高温液相烧结制成。它是一种完全致密的棕褐色结构陶瓷，能够使用近净形状和金刚石研磨工艺制成。由于钠和二氧化硅浓度较低，它非常适合要求高导热性的半导体、商业和航空航天应用。FR-AlN-ST 的热膨胀率与钨和钼的热膨胀率非常匹配，因此可以创建能够在各种工作温度下工作的密封组件。添加氧化钇以实现液相烧结，还可以提高传统 Mo/Mn 和 Mo/Mn/W 厚膜金属化系统的粘合强度。
用于半导体工艺集成的下一代铁电材料及其应用
铁电体是一类具有电、机械和热特性之间各种相互作用的材料，这些特性使其具有丰富的功能。为了实现集成系统，必须将这些功能集成到半导体工艺中。为此，众所周知的铁电材料（例如钙钛矿类）的复杂性导致了严重的问题，限制了其在集成系统中的应用。在过去十年中，在氧化铪基材料中发现铁电性引起了人们对该领域的兴趣。最近，氮化铝钪中也验证了铁电性，这扩展了未来在集成电子学中看到丰富铁电功能的潜力。本文讨论了这两种材料系统在各种应用中的前景。