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2025 年印度半导体与封装生态系统会议
只有印度能够吸引大量跨国公司进入印度，这一切才能实现。印度吸引大量跨国公司的最佳方式是投资基础设施，在全球公司所需的所有战略系统设计和技术方面开展大规模、全球水平的研发和劳动力开发。这是第一个原因。印度政府提议的基础设施建设已经开始实现这一点。跨国公司希望进入印度的第二个原因是，印度学术机构开展大规模、全球水平的研发和劳动力开发。与几乎任何其他国家不同，印度完全有能力开展这两项工作，利用其王牌——印度理工学院和印度理工学院，以及一些私立学院和大学。但这种研发必须在全球范围内开展，并满足下一代全球行业的需求。众所周知，过去四十年来，印度的机构一直在培养世界上最优秀的工程师，其中包括现在担任 IBM、谷歌、微软、美光和西部数据等许多大型跨国公司的首席执行官、首席技术官和技术领导者的工程师。到目前为止，印度学术机构的重点主要放在劳动力发展上。在下一阶段，他们完全有能力专注于两个最重要的因素：1）开发全球行业所需的下一代技术；2）教育学生全球行业所需的技术。因此，第二阶段的重点必须是行业驱动的研发和劳动力发展。
印度半导体代表团、CG Power 和 CG SEMI 签署...
部长强调，印度政府承诺在签署 FSA 后为项目实施的每个阶段提供支持。他赞扬 CG Power 为深入了解该行业的细节和快速发展所做的努力，同时强调国内知识产权和市场发展的重要性。他表示有信心 CG Power 将在未来的电子价值链中发挥几个关键作用，并为印度到 2030 年实现 5000 亿美元电子产品生产目标做出重大贡献。
设计的半导体网络随机激光器
这项工作报告了开发用于操作中子表征的缩小尺寸的激光粉末融合装置。描述了设计注意事项，设备配置和详细的设置。该设备已针对中子衍射的安装和工具进行了优化，用于对印刷过程中金属组件的结构和微观结构演变和构成的多种研究。与设备的介绍结合使用，我们提供了操作中性中子衍射的示例，用于应变分析和操作中子成像，以进行缺陷表征和温度映射在瑞士散布中子源的两个不同光束线上。通过获取可易受裂纹材料的衍射模式并跟踪衍射峰的变化，可以在处理过程中挖掘出固定体积内弹性菌株的热贡献的演变。散装缺陷表征。中子束衰减的变化与最终的微观结构相关，它证实了该技术在操作中表征了探测器内部缺陷形成的能力。我们进一步证明了如何使用铍过滤器，因此如何使用冷中子光谱的长波长部分，可以在打印双金属复合材料时在空间和时间分辨的温度图中获得。
情况说明书：建设美国半导体劳动力队伍
未来之路 CHIPS 劳动力投资旨在发挥催化剂的作用。公共资金将有助于启动美国快速重建制造业基础和增强创新优势所需的生态系统发展。我们已经看到了这一战略带来的巨大回报。全国各地的私人、教育、劳工、非营利组织、州和联邦合作伙伴正在齐心协力推进我们共同的使命。新的高质量培训和教育计划正在启动，越来越多的美国人正在这个关键行业站稳脚跟。因此，美国工人将准备好设计和制造决定我们未来的技术。CHIPS for America 致力于实现他们的成功。
半导体制造及封装技术
EICT 学院主席兼院长 MNIT 斋浦尔 Narayana Prasad Padhy 教授 EICT 学院首席研究员 Vineet Sahula 教授 EICT 学院 ECE 协调员 Satyasai Jagannath Nanda 博士，ECE EICT 学院联合首席研究员 Lava Bhargava 教授，ECE Pilli Emmanuel Shubhakar 教授，CSE Ravi Kumar Maddila 博士，ECE 目标（电子与 ICT 学院 - 第二阶段） 1) 按照 MeitY 的愿景，通过推广新兴技术领域和其他高优先级领域开展专门的 FDP，这些领域是“印度制造”和“数字印度”计划的支柱。 2) 促进与工业、学术界、大学和其他学习机构的协同与合作，特别是在新兴技术领域。 3) 支持《2019 年国家电子政策》（NPE 2019），该政策旨在将印度定位为 ESDM 领域的全球中心，包括 MeitY 计划/政策，例如半导体和显示器工厂生态系统计划；印度人工智能；国家人工智能计划、IT 硬件和大规模电子制造生产挂钩激励计划；EMC；SPECS；芯片到系统 (C2S)；等等。4) 通过联合教师发展计划促进 FDP 的标准化。5) 支持国家教育政策（NEP 2020）的愿景，该政策要求印度教育工作者每年至少要参加 50 小时的专业发展计划。 6）为高等教育机构（HEI）的师生设计、开发和交付有关新兴技术/细分领域/特定研究领域的专业 FDP，以及与 ICT 工具和技术以及其他数字混合领域相关的多学科领域的 FDP，涵盖广泛的工程和非工程学院、理工学院、ITI 和 PGT 教育者。
EE 116：能量和电子的半导体设备
许多诺贝尔奖……•1956年晶体管（Bardeen，Brattain，Shockley）•1985年量子大厅效应（Klitzing）•1986年扫描隧道显微镜（Binnig，Rohrer，Rohrer）•1996年，Buckyballs（Curl，Kroto，Smalley，Smalley）•1998年密度功能（KO）•2000 Heterj＆ICJ（2000 Heter）（2000 Hetery）基尔比克里默（KROEM），•2000年指挥聚合物（Heeger）•2007年巨型磁场耐药（Fert＆Grunberg）•2009年CCD和光纤（Kao，Boyle＆Smith）•2000年QHE（laughlin，laughlin，Stormer，Tsui，tsui，tsui，tsui）•2010年geim＆nevoselof（geim＆nogoselof）•
半导体制造及封装技术
[2025 年 1 月 20 日至 31 日，16:00 至 20:00] ▪ 半导体制造 - 制造半导体器件（如集成电路 (IC)）的过程 ▪ CMOS 制造 ▪ 晶体生长和清洗 ▪ 热氧化和后端技术 ▪ 光刻和蚀刻 ▪ 扩散和离子注入 ▪ 沉积和蚀刻（PVD、CVD、PECVD） ▪ 半导体键合、封装和测试 - 保护半导体器件并将其连接到外部环境的过程 ▪ 组装和包装 ▪ 半导体封装中使用的材料，如陶瓷和塑料 ▪ 用于连接组件的引线键合或倒装芯片键合技术 ▪ 测试封装设备以确保其符合性能规范
激子-极化子材料：利用半导体的多样性
1 里昂大学，克劳德·贝尔纳里昂第一大学，法国国家科研中心，Institut Lumi`ere Mati`ere，F-69622，里昂，法国 2 纳米科学与纳米技术中心，法国国家科研中心，巴黎第十一大学，巴黎萨克雷大学，91120 Palaiseau，法国 3 巴黎萨克雷大学，ENS Paris-Saclay，CentraleSup´elec，CNRS，LuMIn，UMR9024，Gif-sur-Yvette 91190，法国 4 纽约城市学院物理系，纽约，纽约州，美国 5 纽约城市大学物理系，研究生中心，纽约，纽约州，美国 6 里昂大学，里昂中央理工学院，里昂国立应用科学学院，克劳德·贝尔纳里昂第一大学，CPE Lyon， CNRS，INL，UMR5270，Ecully 69130，法国 7 圣安德鲁斯大学物理与天文学院，圣安德鲁斯，KY16 9SS，英国 8 图卢兹大学，INSA-CNRS-UPS，LPCNO，135 Av. Rangueil，31077 图卢兹，法国（日期：2025 年 1 月 13 日）