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半导体晶圆传输解决方案
Mar 11, 2024 — 沉阳新松半导体设备有限公司成立于2023年,是一家专注于半导体晶圆传输专用设备的研. 发、生产、销售与技术服务的高新技术企业。公司前身为新松机器人自动化股份有限 ...
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
MIL-STD-750D，半导体器件测试方法
4.1 测试条件................................................................................................................................ 5 4.1.1 环境室中允许的温度变化.................................................................................................... 5 4.1.2 电气测试频率........................................................................................................................ 5 4.1.3 准确度........................................................................................................................................ 5 4.1.3.1 测试方法和电路................................................................................................................. 6 4.1.4 校准要求............................................................................................................................. 6 4.2 方向........................................................................................................................................ 6 4.3 一般预防措施........................................................................................................................ 7 4.3.1 瞬态................................................................................................................................ 7 4.3.2 电气测量的测试条件........................................................................................................ 7 4.3.3 脉冲测量........................................................................................................................ 8 4.3.4 测试电路........................................................................................................................ 8 4.3.4.1 测试方法4.3.5 焊接................................................................................................................................ 8 4.3.6 引线连接顺序.................................................................................................................... 8 4.3.7 辐射预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8 操作预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8.1 UHF 和微波设备....................................................................................................... 8 4.3.8.2 静电放电敏感 (ESDS) 设备.................................................................................... 8 4.4 老化和寿命测试的连续性验证............................................................................................. 8 4.4.1 偏压中断........................................................................................................................................................ 9 4.5 HTRB 和老化要求 ...................................................................................................... 9 4.6 偏置要求 .......................................................................................................................... 9
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
物理和半导体器件技能
联网对象的数量以及侵入我们日常生活的物联网设备的数量正在呈指数级增长。这些对象基于电子元件，形式包括基本组件、电路和混合和复杂集成系统。因此，电子产品必须应对电路数量、每个电路的组件数量以及数据中心传输、存储和处理的数据的指数级增长。因此，运营商、服务器和用户消耗的能量也遵循相同的增长规律。未来几年，主要挑战将是通过改进用于处理和传输信息的组件、电路和系统的设计和架构来减缓这些指数级增长。这些挑战需要获得基于知识和专业知识的技能，并增加未来有能力和创新的参与者的数量。这种方法是国家学术培训网络领导的战略的一部分，该战略通过汇集法国一级的培训师和技术平台的技能，旨在满足电子行业复苏计划框架内企业的需求。在介绍了背景和技术挑战的影响并提出了几种方法之后，详细介绍了国家微电子网络所采取的行动，并通过几个实现和结果的例子进行了说明。关键词
SCD – 半导体器件。 - SIBAT
Blackbird 是一款先进的 MWIR 探测器，是 SCD 高清探测器系列的扩展。它包括一个 3 兆像素 FPA，像素格式为 1920x1536，间距为 10μm。新的 FPA 基于 SCD 成熟的 InSb 技术和采用先进 CMOS 工艺实现的数字读出电路。FPA 的尺寸与 SCD 的 SXGA 格式 Hercules 探测器非常相似，实际上可以封装在同一个杜瓦瓶中。这产生了一个非常大的格式探测器，具有出色的图像质量、高帧速率和相对紧凑的尺寸。
1.1 微电子器件向纳米尺度的进展
2024 年 7 月 6 日 — Gargini，“维持摩尔定律——微电子学、纳米电子学及其他”。ISO focus，第 28-30 页，2007 年。[10] F. F. Sizov，“红外探测器：展望与...
III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
ECE 635 先进半导体器件
2. 对于 Si，背景体积载流子密度为 ni = 1.45 × 10 10 /cm 3 。1 µm 厚的 Si 板的面积背景载流子密度是多少？将您的答案与上述最大感应载流子密度进行比较。您可以将载流子密度调节多少个数量级？