XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System半导体器件
ECE 430 - 半导体器件基础知识
2013 目录数据：ECE 430：半导体器件基础。3 学分。本课程旨在让学生了解晶体管和太阳能电池等重要电子设备背后的物理和工作原理。讨论半导体电子和空穴浓度、载流子传输以及载流子生成和复合。开发 PN 结操作及其在二极管、太阳能电池和 LED 中的应用。然后讨论场效应晶体管 (FET) 和双极结晶体管 (BJT)，并开发它们的终端操作。介绍晶体管在双极和 CMOS 模拟和数字电路中的应用。先决条件：ECE 311（最低成绩为 D）。（3-0-3）
无机全固态电致变色材料与器件研究进展
收稿日期: 2019-06-24; 收到修改稿日期: 2019-11-18 基金项目: 国家自然科学基金 (51572284, 51972328, 51903244); 中国科学院青促会人才支持计划 (2018288); 高性能陶瓷和 超微结构国家重点实验室青年基金 (SKL201703); 上海市浦江人才项目 (18PJD051); 安徽省重点研发计划 (1804a09020061) National Natural Science Foundation of China (51572284, 51972328, 51903244); Youth Innovation Promotion Asso- ciation, Chinese Academy of Sciences (2018288); Science Foundation for Youth Scholar of State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures (SKL201703); Shanghai Pujiang Program (18PJD051); Key Research and Development Plan of Anhui Province (1804a09020061) 作者简介: 贾汉祥 (1993–), 男 , 博士研究生 . E-mail: jiahanxiang@student.sic.ac.cn JIA Hanxiang(1993–), male, PhD candidate. E-mail: jiahanxiang@student.sic.ac.cn 通讯作者: 曹 逊 , 研究员 . E-mail: cxun@mail.sic.ac.cn CAO Xun, professor. E-mail: cxun@mail.sic.ac.cn
半导体器件制造中的清洁技术
第四届半导体设备制造清洁技术国际研讨会于 1995 年 10 月在伊利诺伊州芝加哥举行的秋季电化学学会会议期间举行。这是一次非常成功的会议，吸引了世界级的演讲者和大量活跃于晶圆清洁领域的观众。该会议是自 1989 年秋季佛罗里达州好莱坞 ECS 会议开始的系列会议中的第四次会议。从那时起，研讨会吸引了越来越多的论文和与会者。第四届国际研讨会的论文提交量已达到会议的极限。未来论文数量的增加将需要使用海报会议。论文的质量（就科学内容而言）每年都在提高。该研讨会已成为展示晶圆清洁最新成果的首要论坛之一，同时提供了与该领域其他工作人员非正式会面的机会。
半导体器件制造中的清洗技术
第七届半导体设备制造清洁技术国际研讨会于 2001 年 9 月在旧金山举行的电化学学会秋季会议期间举行。该系列研讨会于 1989 年在佛罗里达州好莱坞举行的学会秋季会议期间发起。从那时起，“ECS 清洁研讨会”已成为半导体界所有参与先进晶圆清洁技术的成员关注的两年一度的活动。回顾过去，我们可以发现硅晶圆清洁科学和工程方面的几项重要新发展，这些发展都是在 ECS 清洁研讨会期间首次推出的。反映这一趋势的是，这些研讨会的论文集一直是电化学学会出版的最受欢迎的论文集之一。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
图 11 不同配置层偏压下 CSOI 器件瞬态电流典型曲线 （ a ） 和 CSOI SRAM 电路的单粒子翻转截面变化 （ b ） Fig. 11 Typical transient current curve of CSOI device (a) and single event upset cross-section variation of CSOI SRAM circuit (b) under different configuration layer biases
压电纤维复合材料智能传感器的有限元预测与器件性能研究
将 MFC 看成压电等效体，由于功能相 PZT-5H 为四方相晶体结构 P4mm 点 群，存在 32 31 24 15 11 22 11 22 44 55 13 23 32 、 、 、 、 、 d d d d s s s s s s s ，则式（ 1 ）
SEGGER 宣布支持意法半导体的STM32C0 MCU 系列
SEGGER 的高性能实时操作系统 embOS-Ultra 也已支持 STM32C0 系列。它使用循环分辨率计 时，提供更高的精度和时间分辨率。使用 embOS-Ultra 可提高性能并节省功耗，它还为应用 程序提供了可同时使用基于周期和基于微秒的计时选项。 API 与 embOS 完全兼容，使迁移变 得简单，无需更改应用程序，并保持 embOS 行为。 embOS-Ultra 只是在使用新的附加 API 调 用时提供循环计时，不用在两者之间做出选择。了解 embOS-Ultra ，可以点击文章： embOS- Ultra ：高分辨率系统时间
Wolfspeed 和 ZF 宣布合作开发未来碳化硅半导体器件
北卡罗来纳州达勒姆和德国恩斯多夫——2023 年 2 月 1 日——碳化硅技术的全球领导者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 和推动下一代移动出行的全球技术公司 ZF 今天宣布建立战略合作伙伴关系，其中包括建立联合创新实验室，以推动用于移动出行、工业和能源应用的碳化硅系统和设备的进步。此次合作还包括 ZF 的一项重大投资，以支持在德国恩斯多夫建设全球最先进、最大的 200 毫米碳化硅设备工厂的计划。联合创新实验室和 Wolfspeed 设备工厂均作为欧洲共同利益重要项目 (IPCEI) 微电子和通信技术框架的一部分进行规划，并取决于欧盟委员会的国家援助批准。“这些举措是朝着成功的工业转型迈出的重要一步。 “它们增强了欧洲的供应弹性，同时支持了欧洲绿色协议和欧洲数字十年的战略目标，”ZF 首席执行官 Holger Klein 博士说。 Wolfspeed 和 ZF 合作建立碳化硅研发中心 该战略合作伙伴关系包括在德国设立一个联合研究机构，该机构将专注于现实世界的电动汽车和可再生能源系统级挑战。 合作的目标是为碳化硅系统、产品和应用开发突破性创新，涵盖从芯片到完整价值链的整个价值链