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在偏远社区中，诊断G6PD缺乏症是具有挑战性的。我们评估了改进的测试程序的影响和延迟的测试诊断标准G6PD（SDBIOSENSOR，ROK）的影响，并评估了建议的临界值。我们测试了指纹（标准方法）和微晶剂（BD，美国；方法1），来自真空吸水剂的静脉血（BD，USA；方法2），不同的样品申请方法（方法3）和使用的微夹，而不是测试的单使用移液器（方法4）。通过比较配对度量之间的中位差异来评估可重复性。在实验室条件下对三名志愿者进行了20次测试。在印度尼西亚和尼泊尔测试了具有最佳重复性的标准方法和方法。在印度尼西亚，两种方法都以两种方式对60名参与者进行了测试，在尼泊尔120位参与者中，通过这两种方法都以两种方式进行了测试。生物传感器标准方法读数的调整后的男性中位数（AMM）定义为100％活性。在印度尼西亚，比较了标准方法和修改方法的配对读数之间的差异，以评估延迟测试的影响。在试点研究中的可重复性并没有显着差异（p = 0.381）；方法3显示最低的变异性。一个尼泊尔参与者的活动<30％，一名印尼和10名尼泊尔参与者具有中间活动（30％至<70％的活动）。与标准方法相比，延迟5小时后，通过方法3进行的G6PD测量值为0.4U/GHB（IQR：-0.2至0.7，P = 0.005）。我们无法提高可重复性。可重复性在印度尼西亚没有显着差异（标准：0.2U/GHB [IQR：0.1-0.4];方法3：0.3U/GHB [IQR：0.1-0.5]; P = 0.425）或NEPAL（标准：0.4U/GHB [0.4U/GHB [IQR：0.2-0.6]; 0.2-0.6];方法3：0.3.3：0.3：0.3：0.B [iq]; p [iq]; 0.330）。通过标准方法对100％活动的定义与制造商推荐的截止值匹配70％的活动。最多5小时的延迟并未导致
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
半导体工程学系固态电子组
【半导体工程学系的优势】【半导体工程学系的优势】，每学期定期举办全系导生活动，每学期定期举办全系导生活动，24 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。※，（如台积电）暑期实习。（如台积电）3+2 uiuc电机所双联（uiuc电机所双联）（uiuc电机所双联）※※※※※※※※，补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年），补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系https://nano.nycu.edu.tw：（1）请务必于113/4/5（五）至113/5/5（2）至半导体工程学系官网填写出席调查回条。（2）5/17（2）5/17（2）5/17（五）
316 不锈钢在储热用共晶熔盐中的腐蚀
钢合金作为经济的遏制材料候选材料，易受到 TES 系统中熔融介质的热腐蚀和氧化 [3-7, 9-22]。碳酸盐、氯化物-碳酸盐和氯化物-硫酸盐的熔融共晶混合物也被视为具有高热容量和能量密度的 PCM 候选材料 [3, 23]。腐蚀产物的溶解度和合金的氧化电位是影响遏制材料和熔融介质之间兼容性的关键因素 [24]。在钢合金中，材料表面保护性氧化物的形成可提高抗腐蚀能力，其中材料化学、温度和气氛决定了结垢速率 [25, 26]。然而，在熔盐中，由氧化铬等成分组成的保护层通常会通过熔剂溶解到盐混合物中。一旦氧化膜被去除，暴露金属中最不活泼的成分就会受到侵蚀 [24, 27, 28]。例如，铁基合金在 450°C 下的 ZnCl 2 -KCl 中的腐蚀是由于氧化膜的分离和剥落造成的[29]。
2024年12月期 第2四半期決算説明資料
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在复杂的半...
水文模型已成为研究解决各种环境和水资源问题的复杂流域的水文过程的重要工具。本研究的重点是使用土壤和水评估工具（SWAT）在突尼斯中部的Merguellil流域进行建模。SWAT模型是一种物理建模工具，开发了用于预测水文过程的物理建模工具，并有充分记录是资源水管理的有效工具。这项研究的主要目的是评估SWAT模型在模拟中央半干旱突尼斯梅尔基利尔流域内的每月水文过程时的表现。该模型的校准是从2002年到2011年进行的，随后进行了2012年至2017年的验证。灵敏度分析确定了关键参数，包括曲线数，坡度长度和有效的水力传导率，是最敏感的。研究结果表明，该模型在校准和验证阶段期间根据拟合优度标准表现出令人满意的性能。在校准和验证期内，NASH – utcliffe效率（NSE）分别为0.65和0.41。确定系数（R²）和克林格 - 古普塔效率（KGE）均等于0.7，用于校准的标准偏差比（RSR）小于或等于0.6。偏差百分比（PBIA）表明该模型在校准期间高估了排放量 +23.5％。此外，Merguellil流域中的径流表现出显着的时空变异性，受到其环境的复杂性和异质性的显着影响。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
半F47-0706
摘要：本文详细介绍了符合半F47-0706标准的Ultimod和XGEN电源范围。简介一般而言，由于设备和过程控制的敏感性，工厂自动化设备需要非常高的电源质量。尤其是半导体处理设备可能容易受到输入线上的电压下垂。半F47-0706标准定义了半导体处理，计量和自动化测试设备的最低电压SAG免疫要求。作为本设备的组件，需要电源来满足这些最小电压SAG要求。什么是电压下垂？电压下垂（或倾斜）定义为RMS电压的降低或电流低于标称的90％的标称持续时间，直到一分钟为一分钟，但不完全中断。电压下垂可能有许多原因，例如恶劣的天气条件，公用事业设备操作或故障以及相邻的客户。我们中的许多人都会看到电压下垂的影响（例如，白炽灯的瞬间变暗），但是在生产环境中，输入电压下垂可能导致生产关闭，从而导致巨大的收入损失。为了解决此问题，1999年，半导体设备和材料研究所（SEMI）建立了与AC线SAG免疫有关的标准。