图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路;图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时,V S1 低于 DC+ 电压,其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时,由于连接到 V S1 的电感负载(这些图中未显示负载),负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线(连接到 HVIC 的 COM 引脚)流向负载,并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压(即,HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚)。
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摘要 - 在这项研究中,提出了一个死时间控制电路,以生成半桥转换器开关的高和低边的独立延迟。除了大大减少电源转换器的损失外,该提出的方法还通过应用叠加功率开关来减轻射击电流。此处介绍的电路包括一个切换的电容器体系结构,并在AMS 0.35 µM技术学中实现。在实施中,提议的死时间控制电路占据了70 µm×180 µm的硅面积。为了意识到这一技术,采用了双面宽的挥杆电流源。当前源的每个侧面都有两个电容器,两个施密特触发器和三个变速门。结果表明,投影半桥转换器开关的低和高侧分别需要35 ns和62 ns。通过与半桥转换器组装来评估所提出的死时间电路的性能。拟议的死时间原型在半桥电路中的功率损失下降了40%。
CA-IS3211 器件是一系列单通道、光电兼容隔离栅极驱动器,能够吸收 5A 电流并提供 6A 电流。这些器件采用双电源或高达 30V 的单电源供电,电压范围为 V CC - V EE ,非常适合驱动各种逆变器、电机控制或隔离电源系统中的功率 MOSFET、IGBT 或 SiC 晶体管。CA-IS3211 可配置为低侧或高侧驱动器。所有器件都采用 Chipanalog 专有的电容隔离技术,集成数字电流隔离,隔离耐压额定值为 5.7kV RMS,持续 60 秒,最小共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 150kV/μs。这些设备可以用于替代行业标准的基于光耦合器的栅极驱动器,同时提供高 CMTI、低传播延迟(典型值 70ns)、小脉冲宽度失真(最大值 35ns)和小部件间偏差。
By reducing the footprint size to enable a more efficient high-power design, the AONG36322 XSPairFET™ provides a leading solution for space-constrained DC-DC Buck applications SUNNYVALE, Calif., May 23, 2024 – Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) (Nasdaq: AOSL), a designer, developer, and global supplier of a broad range of discrete power设备,宽带电源设备,电源管理IC和模块今天推出了其AONG36322 XSPAIRFET,设计用于空间约束的DC-DC应用程序。新的AONG36322在半桥配置中具有两个30V MOSFET,高侧和低侧MOSFET在不对称的DFN3.5x5 Xspairfet软件包中。这种创新的设计允许AONG36322用大约60%的节省空间的解决方案替换现有的DFN5X6非对称半桥MOSFET,从而降低了PCB足迹,从而进一步简化了DC-DC架构,从而导致了更有效的设计。这些好处使AONG36322在更紧凑的应用程序(例如负载(POL)计算,USB Hubs和Power Banks)中新一代较小的DC-DC雄鹿转换器的理想选择。