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パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
半导体工程学系固态电子组
【半导体工程学系的优势】【半导体工程学系的优势】，每学期定期举办全系导生活动，每学期定期举办全系导生活动，24 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。 小时开放之教学实验室、学生读书室、学生图书室及研讨室。※，（如台积电）暑期实习。（如台积电）3+2 uiuc电机所双联（uiuc电机所双联）（uiuc电机所双联）※※※※※※※※，补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年），补助出国奖学金至国外大学进行交换学生（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系（一学期或一学年）欢迎与半导体工程学系联系https://nano.nycu.edu.tw：（1）请务必于113/4/5（五）至113/5/5（2）至半导体工程学系官网填写出席调查回条。（2）5/17（2）5/17（2）5/17（五）
2EDL05x06xx 系列 600V 半桥栅极驱动器，带集成自举二极管 (BSD)
图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路；图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时，V S1 低于 DC+ 电压，其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时，由于连接到 V S1 的电感负载（这些图中未显示负载），负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线（连接到 HVIC 的 COM 引脚）流向负载，并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压（即，HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚）。
具有45V输入1-MHz半桥转换器的正时元素的主动死时间控制电路
摘要 - 在这项研究中，提出了一个死时间控制电路，以生成半桥转换器开关的高和低边的独立延迟。除了大大减少电源转换器的损失外，该提出的方法还通过应用叠加功率开关来减轻射击电流。此处介绍的电路包括一个切换的电容器体系结构，并在AMS 0.35 µM技术学中实现。在实施中，提议的死时间控制电路占据了70 µm×180 µm的硅面积。为了意识到这一技术，采用了双面宽的挥杆电流源。当前源的每个侧面都有两个电容器，两个施密特触发器和三个变速门。结果表明，投影半桥转换器开关的低和高侧分别需要35 ns和62 ns。通过与半桥转换器组装来评估所提出的死时间电路的性能。拟议的死时间原型在半桥电路中的功率损失下降了40％。
2024年12月期 第2四半期決算説明資料
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在复杂的半...
水文模型已成为研究解决各种环境和水资源问题的复杂流域的水文过程的重要工具。本研究的重点是使用土壤和水评估工具（SWAT）在突尼斯中部的Merguellil流域进行建模。SWAT模型是一种物理建模工具，开发了用于预测水文过程的物理建模工具，并有充分记录是资源水管理的有效工具。这项研究的主要目的是评估SWAT模型在模拟中央半干旱突尼斯梅尔基利尔流域内的每月水文过程时的表现。该模型的校准是从2002年到2011年进行的，随后进行了2012年至2017年的验证。灵敏度分析确定了关键参数，包括曲线数，坡度长度和有效的水力传导率，是最敏感的。研究结果表明，该模型在校准和验证阶段期间根据拟合优度标准表现出令人满意的性能。在校准和验证期内，NASH – utcliffe效率（NSE）分别为0.65和0.41。确定系数（R²）和克林格 - 古普塔效率（KGE）均等于0.7，用于校准的标准偏差比（RSR）小于或等于0.6。偏差百分比（PBIA）表明该模型在校准期间高估了排放量 +23.5％。此外，Merguellil流域中的径流表现出显着的时空变异性，受到其环境的复杂性和异质性的显着影响。
半F47-0706
摘要：本文详细介绍了符合半F47-0706标准的Ultimod和XGEN电源范围。简介一般而言，由于设备和过程控制的敏感性，工厂自动化设备需要非常高的电源质量。尤其是半导体处理设备可能容易受到输入线上的电压下垂。半F47-0706标准定义了半导体处理，计量和自动化测试设备的最低电压SAG免疫要求。作为本设备的组件，需要电源来满足这些最小电压SAG要求。什么是电压下垂？电压下垂（或倾斜）定义为RMS电压的降低或电流低于标称的90％的标称持续时间，直到一分钟为一分钟，但不完全中断。电压下垂可能有许多原因，例如恶劣的天气条件，公用事业设备操作或故障以及相邻的客户。我们中的许多人都会看到电压下垂的影响（例如，白炽灯的瞬间变暗），但是在生产环境中，输入电压下垂可能导致生产关闭，从而导致巨大的收入损失。为了解决此问题，1999年，半导体设备和材料研究所（SEMI）建立了与AC线SAG免疫有关的标准。
半导体工程学系固态电子组Department of Microelectronics ...
合计 71 16 16 17 11 9 2 本系最低毕业学分为 130 学分 Minimum Credits(130 credits) must be completed 全校共同 24 学分、专业必修 71 学分、自由选修 2 学分、专业选修（必选） 18 学分、其他非通识专业 自由选修 15 学分（限理工相关课程且程式语言课程仅可认列一门） 24 credits University Core Curriculum 、 71 credits Major Required Courses 、 2 credits from chosen elective courses 、 18 credits Professional Electives (Required) 、 15 credits from optional non-general education courses in fields required by the major (Limited to STEM-related courses and only one programming language course can be counted)
Alpha和Omega半导体引入了用于DC-DC应用的创新，节省空间的半桥MOSFET
By reducing the footprint size to enable a more efficient high-power design, the AONG36322 XSPairFET™ provides a leading solution for space-constrained DC-DC Buck applications SUNNYVALE, Calif., May 23, 2024 – Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) (Nasdaq: AOSL), a designer, developer, and global supplier of a broad range of discrete power设备，宽带电源设备，电源管理IC和模块今天推出了其AONG36322 XSPAIRFET，设计用于空间约束的DC-DC应用程序。新的AONG36322在半桥配置中具有两个30V MOSFET，高侧和低侧MOSFET在不对称的DFN3.5x5 Xspairfet软件包中。这种创新的设计允许AONG36322用大约60％的节省空间的解决方案替换现有的DFN5X6非对称半桥MOSFET，从而降低了PCB足迹，从而进一步简化了DC-DC架构，从而导致了更有效的设计。这些好处使AONG36322在更紧凑的应用程序（例如负载（POL）计算，USB Hubs和Power Banks）中新一代较小的DC-DC雄鹿转换器的理想选择。