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World File Search System半金属
在二维材料的纳米结构膜中调整电子和热传输，用于高性能化学感测和
化学传感和热量管理都代表着主要技术，可以在可穿戴设备中进行远程医疗保健，这在大流行社会中非常重要。石墨烯和相关的2D材料（GRM）具有可穿戴电子产品的新型电气和热性能的巨大潜力。特别是基于GRM的溶液的纳米结构GRM膜（图1A）的低温产生和沉积对于印刷柔性和可穿戴电子产品极为有吸引力。[1，2]已经开发了来自具有不同电子性能的2D材料的电子油墨来打印设备的不同元素：活性层中的半导体或半金属油墨，用于介电墨水的磁铁和用于电极的墨水[3，4]。单层六角硼硝酸硼（H-BN）是一种宽带2D半导体，具有出色的声子传输[5]，这是用于热导电糊的有前途的聚合物填充剂。[6]在本次演讲中，我将描述表面活性剂和无溶剂和无溶剂喷墨印刷的薄膜薄膜设备的电荷传输机制，这些薄膜的薄膜设备（半金属），二钼钼（MOS 2，半导体，半导体）和钛金属MXEN（TI 3 C 2，METATIENT）的电气依赖性和磁场依赖于温度和磁场，并将其用于温度和磁场。[7]印刷几层MXENE和MOS 2设备中的电荷传输由组成薄片的固有运输机理主导。另一方面，印刷的几层石墨烯设备中的电荷传输主要由不同薄片之间的传输机构主导。[8][7]然后，我将讨论H-BN和Ti 3 C 2的纳米结构膜中的热传输，并报告与Wiedmann-Franz Law背道而驰，为在有效冷却电子电路和OptoelectRonic设备中的电气冷却和智能管理式智能处理和热量管理和智能处理中的电气和热导电涂料铺平了道路。
热扩散中的拓扑边缘态观察
人们从物质分类的角度发现了许多全新的拓扑电子材料，包括拓扑绝缘体[5–8]和拓扑半金属[9]。与此同时，量子力学波与经典波的类比启发人们将凝聚态物理学中的许多概念推广到经典波系统，如电磁波、声波和机械波系统。直观地，人们可以将经典波的控制方程(例如电磁波的麦克斯韦方程)转化为哈密顿量。按照这种方法，最初为量子力学波提出的拓扑相最近已在各种经典波系统中实现，[10–17]，从而实现了拓扑激光器[18–21]、鲁棒光延迟线[22]和高质量片上通信等许多实际应用。 [23,24] 最近的进展进一步将拓扑态从厄米波系统扩展到非厄米波系统，
石墨烯，一种具有卓越电子特性的材料Modou B. Ndiaye，Anthony Geha，Yago Aguado
石墨烯是二维，即单层原子，蜂窝半金属由碳独特组成，由1.42Å长的共价键一起固定在一起。结构，它是在六角形晶格中组织的，其中每个碳原子都与其最近的三个邻居粘合。总体上，二维晶格是绝缘子，但是石墨烯是一个例外，它是半金属的。将石墨烯层组合在一起，我们得到了石墨，例如在铅笔中发现的一种非常常见的材料，它是热和电的良好导体，但其在Resarch和Industry中的潜力是石墨烯的形式。的确，石墨烯在许多领域都表现出了显着的特性，许多人认为，通过创建石墨烯超级电容器，它将带来电子革命。通过利用
![arxiv：2312.00187v2 [cond-mat.supr-con] 2024年2月9日](/simg/g:\will\search\icon\source\2\2fe59d39853ba665fc6ea2c69ecacef610548ba5.webp)
arxiv：2312.00187v2 [cond-mat.supr-con] 2024年2月9日
在具有非常规条带结构的系统中诱导超导性是实现非常规超导性的有希望的AP。是涉及Weyl半法的单一界面或Josephson结构结构，这些结构预计将具有奇特的奇偶校验，潜在的拓扑，超导状态。这些期望在两个系统之间的界面上至关重要地依赖于电子状态的隧道。在这项研究中，我们通过量子隧道重新审视了反转WSM中诱导超导性的问题，将界面视为有效的潜在屏障。我们确定间隙函数在WSM中与Weyl Physics及其特性伴侣的条件。我们的模拟表明，低能电子状态的性质的不匹配导致半金属内超导性的迅速衰减。
与 MoS2 纳米带和纳米管量子点的非破坏性低温接触
这里，我们展示了透明导电和半规则库仑阻塞，可通过施加栅极电压进行调节，即使在超低温（T 基区 ≃ 15 mK）实验中也是如此。这是基于最近的发现，即可以使用半金属铋实现与平面 MoS 2 的室温欧姆接触：[38] 由于费米能级钉扎是由界面处金属和半导体态的杂化引起的，[39] 降低费米能级附近的接触态密度违反直觉地实现了可调谐性和透明导电。虽然（可能是基板引起的）无序仍然存在，但我们的数据表明接触处明显没有电荷陷阱，并且接触电阻很低。这代表着接触质量的显着改善。在低温极限 T ≤ 100 mK，我们观察到单能级传输的迹象。
在2D材料中查看光诱导的量子现象
过去二十年来目睹了对Van-der-Waals（VDW）材料的研究爆炸，这是一类广泛的固体，在该固体中，平面晶体板由VDW部队粘合在一起。通常，这些材料只能将其稀释为几个原子层，甚至可以将其变成单个原子纸，从而意识到其传统散装形式的二维（2D）变体。由于在2000年代初期的单层（1L）的第一次驱动器以来，已经将各种VDW材料隔离并以2D极限进行了隔离和研究，包括金属，宽间隙绝缘子，半导体，半导体，半金属，超级导管，磁性材料，磁性材料，以及更多。[1]中，在这些半金属中，例如石墨烯和2D半导管，通常由VI组VI过渡金属二甲硅烷基（TMDC）代表，在基本凝聚的物理学以及在电子，电子，光电电子技术中以及在基本凝聚的物理学方面创造了令人兴奋的新机会。[2-4]由于光学相互作用和频段结构发生了巨大变化，在从几层到1L极限的过渡中可能发生，因此在2D Light-Matter相互作用和超级超平均光电设备中证明了2D半导体和半米的独特机会。这值得探索其光诱导的物理学，从而导致新型量子现象。2D材料的关键特性之一是增强的电子 - 电子库仑相互作用，其介电筛选和低维度引起。这些相互作用不仅强烈修改平衡频带结构，而且更改了（照片）激发的带构结构。[5]，例如，强烈结合的激子[6]（由绑定的电子和孔组成），即使在室温下，也要赋予2D半导体的光学响应。这些摘录显示出各种各样的物种，具有不同的自旋，[7] Monma，[8]和电荷[9]影响其光 - 肌电相互作用的频谱，动力学和应用。2D材料的另一个属性是它们能够将其堆放到其他2D材料和基板上，几乎没有约束。[10]这些结构中的层间相互作用促进了一种独特的手段，用于设计异质结构属性和功能，而不是组成材料的材料。[11,12]这些属性包括动量依赖性层
四倍的钙钛矿氧化物CACU3CR2RE2O12的高压合成具有高铁磁库里温度
摘要：AA'3 B 2 B'2 O 12 -type四倍的CACU 3 Cr 2 Re 2 Re 2 O 12的氧化四倍体氧化物在18 GPA和1373 K中合成。都经过了A -和B-位订购的四倍的perovskite perovskite perovskite Crystal结构，并与空间组Pn -3一起观察。通过键价总计计算和同步加速器X射线吸收光谱验证，价态被证实为CACU 3 2+ CR 2 3+ RE 2 5+ O 12。Cu 2+，Cr 3+和Re 5+之间的自旋相互作用在约360 K处产生了库里温度（T C）的铁磁过渡。本研究提供了一种有前途的四倍钙钛矿氧化物，其室温高于房间的铁磁性和可能的半金属特性，这表明使用了Spintronic设备的使用可能性。
2024年诺贝尔生理学或医学奖
筛选是一种与周围电荷屏蔽电场相关的普遍现象，已被广泛采用作为修改材料特性的一种手段。虽然大多数研究都依赖于到目前为止通过掺杂或门控进行筛选的静态变化，但在这里我们证明筛选也可以推动超快时间尺度上不同量子状态的发作。通过使用时间和角度分辨的光发射光谱谱，我们表明，强烈的光学激发可以驱动1T-TISE 2，这是一种原型电荷密度波材料，几乎可以立即从偏离半金属状态的一个。通过系统地比较随时间和激发强度与理论计算的频段结构的变化，我们发现该状态的外观很可能是由于筛选长度的急剧减少而引起的。总而言之，这项工作展示了光激励如何使tise 2中非平衡半金属相的筛选驱动的设计，可能在其他强相关的材料中为高度筛选的阶段提供了一般途径。
n 型半导体碲中的韦尔费米子的量子霍尔效应
（这里 n = 0,1,2 …）表明存在具有 π Berry 相的狄拉克费米子 2,3，这反映了狄拉克点的拓扑性质。从那时起，许多其他类别的在其能带结构中具有狄拉克/韦尔节点特征的拓扑材料被预测和识别 4,5，在自旋电子学、光电子学和量子计算应用方面具有巨大潜力。然而，这些由两个能带或两个自旋极化能带分支交叉产生的狄拉克/韦尔点通常仅限于没有可利用带隙的半金属。在这项工作中，我们引入了一种新的半导体系统：碲烯（碲的二维 (2D) 形式），在导带最小值附近具有韦尔节点特征。二维极限下的拓扑材料和半导体的结合使我们能够以更可控的方式探索韦尔物理并设计拓扑器件。