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共价可逆转的肽蛋白酶抑制剂。设计，合成和临床成功案例 内源性大麻素降解酶抑制剂作为潜在的抗精神病药：药物化学的观点 结合DNA支架和声力光谱以表征单个蛋白键 单个CSPBBR3纳米晶体中量子限制的光谱指纹 根据不同的生命周期步骤，电池对运输应用的环境影响 基准测试量子对``硬''匹配问题的实例
摘要：人类肽酶失调与癌症，高血压和神经变性等多种疾病有关。病毒蛋白酶的一部分对于病原体的成熟和组装至关重要。几十年的研究致力于探索这些宝贵的治疗靶标，通常用基于合成底物的抑制剂来解决它们，以阐明其生物学作用并开发药物。基于肽的抑制剂的合理设计为获得各种研究工具和候选药物提供了快速的途径。非共价修饰符在历史上是由于其可逆酶结合模式而导致的蛋白酶抑制作用的首选，因此可能更安全。然而，近年来，共价性不可逆抑制剂正在复活，其相关出版物，临床前和临床试验以及FDA批准的药物的急剧增加。取决于上下文，共价修饰符可以提供更有效和选择性的候选药物，因此需要较低剂量，从而限制了脱靶效应。此外，这种分子似乎更适合解决癌症和耐药性耐药性的关键问题。在可逆性和不可逆的抑制剂的边界，新药类别是基于共价肽的抑制剂，随着FDA在2003年获得FDA的批准，迄今为止又有4个其他4个列表。该领域的亮点是第一种口服Covid-19药物Nirmatrelvir的快速发展。1。简介共价可逆抑制剂理论上可以提供可逆修饰符的安全性，并结合其不可逆转的对应物的高效力和特异性。在此，我们将介绍基于共价可逆的基于肽的抑制剂的主要群体，重点是其设计，合成和成功的药物开发计划。
单个量子点自旋引起的巨大光学偏振旋转
在光学量子计算和通信框架中，主要目标是构建接收节点，使用单个固定量子位对传入光子实施条件操作。特别是，对可扩展节点的追求推动了腔增强自旋光子接口与固态发射器的发展。然而，一个重要的挑战仍然是，以确定性的方式产生稳定、可控、自旋相关的光子状态。在这里，我们使用电接触柱状腔，嵌入单个 InGaAs 量子点，以展示单个电子自旋对反射光子引起的巨大极化旋转。引入了一种完整的层析成像方法来推断在存在自旋和电荷波动的情况下，由特定自旋状态决定的输出极化斯托克斯矢量。我们通过实验接近庞加莱球中条件旋转π2、π和π2的偏振态，外推保真度分别为（97±1）%、（84±7）%和（90±8）%。我们发现，增强的光物质耦合，加上有限的腔双折射和降低的光谱波动，可以针对庞加莱球中的大多数条件旋转，同时控制经度和纬度。这种偏振控制可能对使自旋光子接口适应各种量子信息配置和协议至关重要。
单个缺血性人心脏心肌细胞的体细胞基因组和转录组变化
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大气中子诱导的单个事件倦怠的失败分析
摘要。必须研究用于陆地环境中高可靠性应用的电子设备，必须研究中子引起的单个事件效应。在本文中，在ISIS-Chipir辐射后，对包装商业SIC Power MOSFET的大气样中性诱导的单事件倦怠（SEB）进行了实验性观察。建立了SEB在MOSFET的电性能中的影响，并通过扫描电子显微镜观察到SIC损坏的区域。基于在模具级别的失败分析，可以定义SEB机制期间的不同阶段。敏感体积，其中二级粒子沉积了足够的能量以触发SEB机制，并位于SIC N-Drift外延层附近附近的SIC N-Drift外延层中。
使用等离子体元面的单个半导体量子发射器的发射模式的可逆切换
在过去的几十年中，量子技术领域一直在迅速扩展，产生了许多应用，例如量子信息，量子通信和量子网络安全。在这些应用的核心上是量子发射极（QE），这是单个光子或光子对的确切可控的发电机。半导体QE，例如钙钛矿纳米晶体和半导体量子点，作为纯单个光子的发射器表现出很大的希望，当用等离子体型纳米腔杂交时，具有产生光子对的潜力。在这项研究中，我们开发了一个系统，在该系统中，可以以可控的方式与外部等离子跨表面进行交互之前，期间和之后，可以追溯到单个量子发射器及其集合。将外部等离质元面耦合到量化量阵列后，单个QES从单光子发射模式切换到多光子发射模式。值得注意的是，该方法保留了QE的化学结构和组成，使它们可以在与等离子次曲面解耦后恢复至初始状态。这显着扩大了半导体QE在量子技术中的潜在应用。
二维单分子层中单个自旋交叉分子的电压诱导双稳态
图 2：Cu(111) 上的电压脉冲。a) 3 . 5 × 3 . 5 nm 2 STM 初始状态的形貌图像，其中暗（HS）邻居（V = 0 . 3 V，I = 5 pA）和 b) 4 . 8 × 4 . 8 nm 2 STM 初始状态的形貌图像，其中亮（LS）邻居（V = 0 . 3 V，I = 5 pA）。黑点表示两种环境中电压脉冲的位置。c)、d) 分别在暗（HS）和亮（LS）邻居的 0.5 V 电压脉冲期间记录的典型 I(t) 轨迹。e)、f) 分别在暗（HS）和亮（LS）邻居的 I(t) 轨迹的每个平台的电流乘以持续时间（I×∆t）的分布。红色圆圈（蓝色方块）对应于从亮（LS）到暗（HS）（暗（HS）到亮（LS））分子的实验事件分布。虚线对应于每个分布的单指数拟合。g)、h) 两种环境下 LS 和 HS 状态在 0.5 V 时的相对势能示意图。
探索高优越性自传体记忆 (HSAM) 中的抑制控制过程：单个案例研究
拥有超强自传体记忆 (HSAM) 的人可以非常详细地记住自己的生活，根据日期（例如，1995 年 4 月 15 日）检索特定的自传体事件。这种现象仍然极为罕见，而且人们很少知道为什么这些人能够记住比一般人多得多的事情，而不会被过去的记忆不断淹没。根据认知抑制依赖假说，抑制过程通过确定哪些记忆会（和不会）进入一个人的意识来调节一般的自传体记忆。我们假设这些控制过程在 HSAM 中被放大，保护他们不被大量的记忆所淹没。为了探索认知抑制在 HSAM 中是否是例外，一名患有 HSAM (DT) 的病例和 20 名匹配的对照者完成了一组 6 项任务，评估抑制的各个方面（例如，记忆、优势运动反应）。参与者还完成了强迫症和自闭症的筛查。结果表明，DT 的抑制功能与典型人群相当，因此并不例外。我们得出结论，抑制不太可能是超常记忆的最佳解释，并补充了越来越多的文献，即 HSAM 可以在没有临床症状的情况下发生。结果与 HSAM 研究的未来方向有关。
通过与碳和质子共注入制造的硅中单个 G 中心
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
单个和少数个粒子的空间分辨拉曼光谱...
我们展示了单层和少层石墨烯薄片的拉曼光谱测量结果。我们使用扫描共焦方法收集具有空间分辨率的光谱数据，这样我们就可以直接将拉曼图像与扫描力显微照片进行比较。单层石墨烯可以通过 D' 线的宽度与双层和少层石墨烯区分开来：单层石墨烯的单个峰分裂为双层的不同峰。这些发现是使用基于电子结构和声子色散的从头计算的双共振拉曼模型来解释的。我们研究了 D 线强度，发现薄片内没有缺陷。源自边缘的有限 D 线响应可以归因于缺陷或平移对称性的破坏。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。