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单层 MoS2 的低温固源合成
摘要：二维 (2D) 半导体已被提议与现有的硅技术进行异质集成；然而，它们的化学气相沉积 (CVD) 生长温度通常太高。在这里，我们展示了在 50 分钟内在 560 °C 下直接使用 CVD 固体源前体合成连续单层 (1L) MoS 2 薄膜，在 450 至 600 °C、2 小时的热预算窗口内，以实现与现代硅技术的后端兼容。晶体管测量表明，在 1 V 漏极 - 源极电压下，100 nm 通道长度的导通电流高达 ∼ 140 μ A/μ m，这是迄今为止使用固体源前体在 600 °C 以下生长的 1L MoS 2 的最高值。在 6.1 × 10 12 cm − 2 电子密度下，传输长度法测试结构的有效迁移率为 29 ± 5 cm 2 V − 1 s − 1，这与在较高温度下生长的薄膜的迁移率相当。这项工作的结果为实现高质量、热预算兼容的 2D 半导体与硅制造的异质集成提供了一条途径。关键词：2D 材料、过渡金属二硫属化物、MoS 2、二硫化钼、BEOL、后端生产线、化学气相沉积、CVD 生长、载流子迁移率■ 介绍
Terahertz光电检测中可伸缩的单层...
2D金属有机框架（2D MOF）的设计利用了简单有机配体与不同的过渡金属（TM）中心的各种电子性质的组合。协调键的强大方向性质是在这些体系结构中TM核的结构稳定性和周期排列的基础。在这里，有直接而清晰的证据表明，2D MOF表现出具有混合特性和金属核中具有杂种特性和不同磁性特性的有趣的能量分散性电子带，这是由TM电子水平与有机配体之间的相互作用引起的。重要的是，提出了一种通过利用不同TMS的电子结构来有效调整2D MOF的电子结构和金属芯的磁性的方法。因此，所选TM的电离潜在特征，尤其是3D状态的相对能量位置和对称性，可用于在特定的金属有机框架中进行战略性地设计频段。这些发现不仅为2D MOF中的频带结构工程提供了理由，而且还为高级材料设计提供了有希望的机会。
双轴菌株调节单层WS2
单层二硫化钨（1L-WS 2）是一种直接带隙原子层的半导体材料，单层金属二核苷元素（1L-TMDS）中具有应变可调节光学和光电特性。在这里，我们演示了从柔性聚碳酸酯十字形底物转移的剥落的1L-WS 2薄片中的双轴应变上的上转化光致发光（UPL）。当将双轴菌株应用于1L-WS 2时，从0增加到0.51％时，可以观察到，UPL峰位置的红移最高为60 nm/％菌株，而UPL强度则表现为指数级增长，上升能量差异从-303到-303至-120 MEV。双轴应变下1L-WS 2的UPL的测得的功率依赖性揭示了一个光子涉及多音量介导的上转换机制。所展示的结果为推进基于TMD的光学上转换设备提供了新的机会，以实现未来的灵活光子学和光电子学。
纳米图案的生物启发的单层，序列 - ...
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2023-z6frj-v2 orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0001-5060-0766 Chemrxiv不同行评审的内容。许可证：CC由4.0
通过粘附光刻悬浮的单层石墨烯
•昆士兰大学旅游业教授鲍勃·麦克凯尔（Bob McKercher）•塔斯马尼亚大学旅游业教授安妮·哈迪教授•伯明翰大学营销教授斯科特·麦卡比（Scott McCabe）教授，伯明翰大学，共同编辑，主要旅游研究主席：我们鼓励与会者阅读并反思下面列出的这些简短读数，以在本次会议中获得最大的收益。Elangoven＆Hoffman（2019）在学术界追求成功：柏拉图的幽灵问“那又怎样呢？”管理杂志，1-6 https://doi.org/10.1177/1056492619836729 Benjamin，S.，Lee，K。S.，＆Boluk，K。（2024）。狗屎必须改变，对吗？在旅游业中寻求“好麻烦”的呼吁。旅行研究杂志，https://doi.org/10.1177/00472875241276542 Gard-McGehee，N。（2024）。共同编辑的信：是的，“狗屎必须改变。”但是如何？呼吁深入的奖学金社会运动。旅行研究杂志，https://doi.org/10.1177/00472875241288510 Dolnicar，S。（2024）不喜欢出版或灭亡文化？您只有两个选项：加油或抗拒。您会选择哪个？旅游研究年鉴（观点），https：//doi.org/10.1016/j.annals.2024.103865 11:00 - 11:30早晨茶点
应变增强型大面积单层 MoS2 光电探测器
摘要：在本研究中，我们展示了施加的机械应变与单层 MoS 2 光响应度增加之间的直接相关性。这表明拉伸应变可以提高单层 MoS 2 光电探测器的效率。在我们的设备中观察到的高光电流和延长的响应时间表明，设备主要受光电门控机制控制，施加拉伸应变时，这种机制变得更加突出。此外，我们已经证明，非封装的 MoS 2 单层可以在基于应变的设备中使用许多次循环和长时间，在环境条件下表现出耐久性而不会丧失功能。这种坚固性强调了 MoS 2 在进一步功能化和利用不同柔性传感器方面的潜力。关键词：MoS 2、应变、应变传感器、光电探测器、原子力显微镜、PL 光谱、光电流光谱
二维MSI2N4（M = GE，SN和PB）单层
摘要MOSI 2 N 4和WSI 2 N 4的二维（2D）分层晶体的最新增长引起了人们对其出色的特性和潜在应用的重大兴趣。这一发展为新的和大型的2D材料铺平了道路，其一般公式为MA 2 Z 4。在这方面，由这个令人兴奋的家族驱动的，我们提出了M si 2 N 4（M = GE，SN和PB）单层的两个结构阶段（1T - 和1H-），并通过使用第一个Principles方法研究了它们的结构，振动，机械，电子和光学特性。这两个阶段具有相似的凝聚力，而1T结构在能量上比其1H对应物更有利。对声子光谱和从头算分子动力学模拟的分析表明，除1H -GESI 2 N 4外，所有建议的单层即使在高温下也是动态稳定的。通过计算其弹性常数（C IJ），平面刚度（Y 2D），泊松比（ν）和最终的拉伸应变（UTS）来检查所提出晶体的弹性稳定性和机械性能。值得注意的是，所考虑的系统表现出突出的机械特征，例如实质的内部刚度和高UTS。计算出的电子带结构表明，1T - 和1H-M SI 2 N 4纳米片是宽频段间隙的半导体，其能带间隙从可见光到光谱的紫外线范围跨度，适用于高强度的纳米电源设备的应用。最后，对光学性质的分析表明，设计的系统具有各向同性光谱，并且取决于系统的类型，紫外线的鲁棒吸收和可见光（尤其是在1H -PBSI 2 N 4 4 Monolayer中）。我们的研究不仅向2D MA 2 Z 4晶体的家族介绍了新成员，而且还揭示了他们有趣的物理特性，并建议他们作为多种纳米力学和光电应用的有前途的候选人。