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World File Search System单层的
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框架木材应为最优质的白橡木，无树液和所有其他缺陷；侧面宽度为四英寸半，框架中心间距为十八英寸；底部宽度为十英寸，顶部或上层甲板宽度减小至四英寸；地板木材可为九英寸见方，两端各做一个四英尺长的斜槽，以接收舱底转弯处的肋骨；木材的斜槽长度不得少于三英尺半，每个斜槽用三个直径为四分之三英寸的螺栓固定；双层框架应一直延伸到下舷窗台；在此高度以上，木材可以是单层的，但面向舷窗的框架除外，那里的木材将是双层的。每侧有七个舷窗；每端有三个；首先将舷窗框成 46 英寸宽、48 英寸高，然后用 2 英寸厚的木板衬里，向后退 2.5 英寸，形成舷窗百叶窗的凹槽。百叶窗厚度为 2.5 英寸，由两块 1/4 英寸厚的橡木板制成；上下悬挂合适的铰链和固定装置，以便抬起、放下和固定。
2D Van der Waals中的可调层相互作用...
摘要。二维材料可以作为单层板分离。这些严格的原子薄结构使新的拓扑物理学和开放的化学问题有关如何调整床单的结构和特性，同时将床单保持为孤立的单层。之间的相互作用与它们产生的属性之间的相互作用仍然相对忽略，这是由于其作为单层的特性的重点。在这里，我们研究了将二维的多孔纸去除成角质的单层，但在氧化后聚集，从而产生可调的层间电荷转移的吸收并刺激了移位的光致发光。这种光学行为类似于层间激子，由于其长期发射而被深入研究，但仍难以通过合成化学调整。取而代之的是，可以通过控制溶剂，电解质，氧化状态和框架构建块的组成来调制这些框架纸的层间激子。与其他二维材料相比，这些框架纸显示出最大的已知层间结合强度，这归因于纸张中特定组件之间的相互作用。总的来说，这些结果为通过分子合成化学在范德华材料中操纵远程光电行为提供了微观基础。
在原子上薄的范德华磁铁Crsbr
摘要：在原子上薄的半导体中，CRSBR脱颖而出，因为它的散装和单层形式在磁性环境中均构成紧密结合的准二维激子。尽管对固态研究至关重要，但激子的寿命仍然未知。虽然Terahertz极化探测可以直接跟踪所有激子，而与带间选择规则无关，但相应的大型远场灶基本上超过了横向样品尺寸。在这里，我们将Terahertz极化光谱与近场显微镜结合在一起，以揭示CRSBR单层中的磁磁复发剂的飞秒衰减，该crsbr的单层比散装寿命短30倍。我们在散装CRSBR中揭示了结合和未结合的电子 - 孔对的低能指纹，并以无模型的方式提取单层的非平衡介电函数。我们的结果表明，首次直接访问CRSBR中准单维激子的超快速介电响应，可能会推进基于Ultrathin van der waals磁铁的量子设备的开发。关键字：原子上的固体，范德华磁铁，各向异性激子，超快动力学，飞秒近场显微镜，Terahertz
通过原子层取代调整二维过渡金属磷三硫属化物中的自旋波
摘要 二维 (2D) 范德华过渡金属磷三硫属化物家族由于其固有的 2D 反铁磁性而重新引起了人们的关注，这证明它们是单层极限下自旋电子学和磁子学中前所未有且高度可调的构建块。在此，受 Janus 过渡金属二硫属化物中表现出的原子取代潜能的启发，我们从第一性原理研究了基于 MnPS 3 和 NiPS 3 的硒化 Janus 单层的晶体、电子和磁性结构。此外，我们计算了磁振子色散并进行实时实空间原子动态模拟，以探索自旋波在 MnPS 3 、NiPS 3 、MnPS 1.5 Se 1.5 和 NiPS 1.5 Se 1.5 中的传播。我们的计算预测磁各向异性将大幅增强，并会出现较大的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用，这是由于 2D Janus 层中诱导的反演对称性破缺所致。这些结果为开发 Janus 2D 过渡金属磷三硫属化物铺平了道路，并凸显了它们在磁子应用方面的潜力。
在原子较薄的超级晶格中，用表面激子 - 极性子引导光
摘要：二维材料可访问光子学的最终物理限制，具有吸引人的超级合理光学组件（例如波格和调节剂）。特别是在单层半导管中，强烈的激子共振导致介电常数从正极到均匀的值急剧振荡。这种极端的光学响应使表面激子 - 磨牙能够引导可见光与原子薄层结合。然而，这种超薄波格 - 支持具有低配置的横向电（TE）模式，并且具有短传播的横向磁性（TM）模式。在这里，我们提出，包括单层WS 2和六角形硝酸硼（HBN）的现实分号 - 导管 - 隔离器 - 隔离器超晶格可以提高TE和TM模式的性质。与单个单层相比，分隔两个单层的1 nm HBN间隔物的异质结构可增强TE模式的配置，从1.2到0.5μm左右，而TM模式的平面外扩展则增加了25至50 Nm。我们提出了两个简单的添加性规则，用于在超薄纤维近似中有效的模式结构，用于异质结构，间隔厚度增加。堆栈 -
通过van der waals Integration
二维（2D）半导体在高性能电子中的实际应用需要与大规模和高质量的电介质进行整合 - 然而，由于它们的悬空无键，这是迄今为止的挑战。在这里，我们报告了一种干介电整合策略，该策略使晶圆尺度和高κ电介质在2D半导体之上转移。通过使用超薄缓冲层，可以预处理下沉积，然后在MOS 2单层的顶部进行机械干燥转移。转移的超薄电介质纤维可以保留晶圆尺度的晶格和均匀性，而无需任何裂缝，表明高达2.8μf/cm 2的电容，等效的氧化物厚度降至1.2 nm，泄漏率降至1.2 nm，泄漏的电源量〜10-7 A/cm 2。Fab的顶栅MOS 2晶体管显示出固有的特性，而没有掺杂效应，启示率为〜10 7，子阈值向下旋转至68 mV/ dec，最低的界面状态为7.6×10 9 cm-2 ev-1。我们还表明，可扩展的顶门阵列可用于构建功能逻辑门。我们的研究为使用具有良好控制厚度，均匀性和可扩展性的行业兼容的ALD工艺提供了可行的途径。
波导耦合应变共振荧光
摘要：单光子发射器的有效片上集成是光子集成电路在量子技术中应用的重大瓶颈。如果不是因为当前设备缺乏可扩展性，共振激发固态发射器正在成为近乎最佳的量子光源。目前的集成方法依赖于光子集成电路中成本低廉的单个发射器放置，这使得应用无法实现。一个有前途的可扩展平台基于二维 (2D) 半导体。然而，波导耦合 2D 发射器的共振激发和单光子发射已被证明是难以实现的。在这里，我们展示了一种可扩展的方法，使用氮化硅光子波导同时应变定位来自二硒化钨 (WSe 2 ) 单层的单光子发射器并将它们耦合到波导模式中。我们通过测量 g (2) (0) = 0.150 ± 0.093 的二阶自相关来演示光子电路中单光子的引导，并进行片上共振激发，得到 ag (2) (0) = 0.377 ± 0.081。我们的研究结果是实现可扩展光子量子电路中量子态的相干控制和高质量单光子复用的重要一步。关键词：二维材料、单光子发射器、光子集成电路、量子光子学、共振荧光、应变工程
平行电场和磁场对Rydberg的影响...
我们研究单层Rydberg状态的直接和间接磁脱糖，以及在外部平行电和磁场中的Xenes（硅，德国烯和Stanene）的双层异质结构，垂直于单层和异质结构。我们通过使用Rytova-keldysh的数值整合来计算Rydberg States，1 S，2 S，2 S，3 S，3 S和4 S的结合能，用于直接磁铁电位的电位，用于直接磁铁的潜力，以及Rytova-keldysh和rytova-keldysh和coulombys的潜力。后者允许了解筛查在Xenes中的作用。在外部垂直电场中，Xene单层的屈曲结构导致sublatices之间的潜在差异，从而使电子和孔质量调整磁性能量和磁性能量，以及磁磁相连的同系数（DMCS）。我们报告了电力和磁场对结合能和DMC的能量贡献。通过电力和磁场直接和间接杂志的能量贡献的可调性。还表明，直接激子的DMC可以通过电场调节，并且可以通过电场调谐间接磁性脱位的DMC，并通过HBN层的数量来操纵。因此，可以通过外部电气和磁场以及HBN层的数量来控制电子设备设计的可能性。Xenes单层和异质结构中磁性excitons的结合能和DMC的计算是新颖的，可以将其与实验结果进行比较。
电子结构，自兴奋剂和超导不稳定在交替的单层三层堆积镍镍$ {\ rm la} _3 {\ rm ni} _2 _2 {\ rm ni} _2 {\ rm o}
是由最近提出的镍3 ni 2 o 7交替交替的单层三层堆叠结构的动机，我们使用从头开始和随机相近似技术全面研究了该系统。我们的分析揭示了这种新颖的LA 3 Ni 2 O 7结构与其他Ruddlesden-Popper镍超导体（例如类似的电荷转移差距值和E G轨道的轨道选择性行为）之间的相似性。压力主要增加了ni g波段的带宽，这表明这些E G状态的巡回特性提高了。通过将细胞体积比0从0.9更改为1.10，我们发现La 3 Ni 2 O 7中的双层结构总是比单层三层堆叠LA 3 Ni 2 O 7具有低的能量。此外，我们观察到从三层到单层sublattices的“自我兴奋剂”效应（与整个结构的每个位置的平均每个位置的1.5电子相比，相比之下），通过总体电子掺杂，这种效果将增强。此外，我们发现了一个限制在单层的d x 2 -y 2波配对状态。由于单层之间的有效耦合非常弱，因此由于中间的非耐受性三层，这表明该结构中的超导过渡温度t c应远低于双层结构中。
从液相剥离层状硅酸盐矿物中分离出的二维纳米片的奇异电子特性
光谱不活跃、电绝缘和化学惰性是广泛用来描述云母和绿泥石等层状硅酸盐矿物的形容词。本文通过展示来自五种块状云母和绿泥石片岩的液体剥离纳米片的水悬浮液，推翻了上述观点。通过透射电子和 X 射线光电子能谱以及电子衍射确认了纳米片的质量。通过拉曼光谱，可以观察到以前未报告过的尺寸和层相关光谱指纹。当通过紫外可见光谱分析高产悬浮液（≈ 1 mg mL − 1 ）时，所有层状硅酸盐的带隙（ E g ）都从块体的 ≈ 7 eV 窄化到单层的 ≈ 4 eV。不同寻常的是，带隙与纳米片的面积 (A) 成反比，这是通过原子力显微镜测量的。由于未记录的量子限制效应，随着纳米片面积的增加，纳米片的电子特性向半导体行为 (带隙 ≈ 3 eV) 扩展。此外，模拟 X 射线衍射光谱表明，初始带隙变窄的根本原因是晶格弛豫。最后，由于其同构取代离子范围广泛，层状硅酸盐纳米片表现出显著的制氢催化特性。