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在高压下硫中电荷密度波和单斜畸变的相互稳定
电荷密度波（CDW）是电子密度和原子位置的调制，其周期性不同于（通常与）基础的晶格[1]。CDW出现在各种材料中，它们可以内在地引起金属 - 绝缘体过渡[2]。CDW被认为是由嵌套，电子偶联，激子机制或其组合驱动的[1，3]。在这里，我们表明CDW也可以与CDW周期性以外的波矢量的基础晶格的变形有关。CDW与其他顺序参数的耦合（在元素硫的本情况下的晶格失真）不仅是CDW机制的一部分很重要，而且还改变了相变的特征。CDW以八个元素形成，其中七个处于高压[4-21]。CDW相的压力诱导的ONES集始终是第一阶转变，而高压转变归因于第一阶或二阶转变，通常涉及结构或光谱数据的外推[8，10，10，10，12 - 14，14，16，20，20，22，22]。如果CDW相是纯粹位移性的结构相变
高通量计算筛选具有单斜对称性的新型硅同素异形体
采用随机策略结合群论、图论和高通量计算，系统地扫描了共87种新的单斜硅同素异形体。新的同素异形体中，13种具有直接或准直接带隙，12种具有金属特性，其余为间接带隙半导体。这些新型单斜硅同素异形体中有30多种表现出大于或等于80 GPa的体积模量，其中3种表现出比金刚石硅更大的体积模量。只有两种新的硅同素异形体表现出比金刚石硅更大的剪切模量。详细研究了所有87种Si单斜同素异形体的晶体结构、稳定性（弹性常数、声子谱）、力学性能、电子性能、有效载流子质量和光学性能。五种新的同素异形体的电子有效质量ml小于金刚石硅的电子有效质量。所有这些新型单斜硅同素异形体在可见光谱区都表现出强吸收。结合它们的电子带隙结构，这使它们成为光伏应用的有前途的材料。这些研究极大地丰富了目前对硅同素异形体的结构和电子特性的认识。
单斜率构造激光器-RL-HV1S
想要长时间电池寿命的激光器的长电池寿命承包商会喜欢RL-HV1。在碱性电池上的工作时间为120小时，或者使用可充电的Ni-MH电池组进行65小时，此激光器仍将在其他人退出后很长时间工作。
使用单斜 ZrO 2 的电荷密度和态密度 (DOS)
在固体物理学和凝聚态物理学中，态密度 (DOS) 量化了所考虑材料中易被占据并具有确定能量的电子态的数量。只要知道色散关系，就可以计算出这个量。可以为各种各样的系统计算 DOS。某些量子系统由于其晶体结构而具有对称性，这简化了 DOS 的计算。总 DOS 是一个允许确定材料电子传导特性的参数。对于晶体中的每个原子，我们确定一个半径为的球体，在该球体内部，我们将电子密度投影到球谐函数（类型：s、p、d 或 f）上。部分 DOS 用于识别晶体中化学键的结构。使用 DFT（密度泛函理论）对单斜 ZrO 2 (m-ZrO 2 ) 的电荷密度和 DOS 进行了第一性原理研究，其中 m-GGA (TPSS) 函数用于交换关联势、伪势 (PP) 近似和 STO (斯莱特类型轨道) 作为集成在 ADF-BAND 代码中的基本函数。氧化锆 (ZrO 2 ) 是一种高 k 电介质 (k 25 和 E g 6 eV)。ZrO 2 是一种很有前途的高 k 电介质候选材料，可取代 SiO 2 作为 CMOS 中的栅极氧化物，因为它兼具出色的机械、热、化学和介电性能。