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World File Search System单晶
新型非常规超导体UTe2 的单晶生长方法研究进展
度变化。数据来源于文献[1]。图2。第一个发现UTE 2超导率：（a）电阻率的温度依赖性； （b）低温特异性热数据的电贡献的温度依赖性。数据取自参考。[1]。
通过单晶分析
在过去的几十年中，金属有机框架（MOF）的研究兴趣增加了。1,2 MOF是由具有多型有机配体或接头的无机建筑单元（即离子，簇或链）的组合和中心结构的自我上光性的结构，这些结构或连接器具有多型有机配体，或者是链接器，这些结构或接头是一个机构建筑单位。3最小的重复单元通常是无机节点和周围有机接头的组合，通常称为二级建筑单元（SBU）。是由于它们的结构特性，例如高孔隙率和巨大的自由体积，值高达90％，4-6，因此已经探索了MOF的几种潜在应用，包括但不限于气体吸附，7-9催化，10-13催化，10-13化学感应，14,15和水处理。16–18尽管有一些无定形MOF的例子，但19个远程顺序 - 即结晶度 - 是截至今天的绝大多数MOF中统治的结构特征。20个crys-甲甲基材料由于其已知的组成和恒定密度以及功能的均匀分布而有利。在MOF中，可以使用晶体结构来确定吸附位点的位置，21个合成后修饰的证明，22,23，并精确地鉴定了孔隙占据的物种。24通常，有两种方法用于确定MOF中的结晶度。如果合成的MOF微晶的大小<50μm，则可以使用粉末X射线衍射（PXRD）检查微晶粉末。25获得衍射图后，可以将其与已知结构的模拟模式进行比较，以确认相位纯度和MOF的整体拓扑。另外，与其他特征技术结合使用，PXRD可用于通过Rietveld改进方法获取有关新合成材料的结构信息，该方法涉及对离子在单位电池中的位置进行建模。26,27当结晶石大小>50μm时，则可以使用单晶X射线衍射（SCXRD）来获得MOF的绝对结构信息。到今天为止25,28，获得适合SCXRD的MOF Sample可能是一项艰巨的任务，因为在大多数情况下，生长和nu效率之间没有显着差异，从而导致微晶
单晶生长的技巧和窍门
概要 单晶生长是一种广泛探索的固态合成材料方法。在过去的几十年里，用于合成单晶的技术取得了显著的进步，但关于如何传播这些知识的讨论却相对较少。我们的目标是改变这种状况。在这里，我们描述了已知的单晶生长技术的原理以及鲜为人知的变化，这些变化有助于优化已知材料的缺陷控制。我们提供了一个关于如何从宏观角度思考这些合成方法的观点。我们考虑了温度与反应时间的相互依赖性，以及如何进行合成以扩大规模并解决一些突出的合成挑战。我们希望我们的描述将有助于技术进步和进一步发展，以更好地控制合成。
高稳定性三元单晶……
摘要：研究了基于原位形成的亚胺连接低聚物的各种坚固、结晶和多孔有机骨架。这些低聚物通过液-液界面反应通过协同的分子间氢键相互作用进行自组装。可溶性低聚物是具有多个未反应醛基的动力学产物，这些醛基充当氢键供体和受体，并引导所得低聚物组装成 3D 骨架。坚固的共价键和高度可逆的氢键的顺序形成增强了长程对称性并促进了大单晶的生成，其结构可通过单晶 X 射线衍射明确确定。独特的分级排列增加了亚胺键的空间位阻，从而阻止了水分子的攻击，大大提高了稳定性。骨架中的多个结合位点使得能够快速封存水中的微污染物。
单晶合成及特性... - NSF-PAR
Si 24 是一种新型开放框架硅同素异形体，在环境条件下处于亚稳态。与间接带隙半导体金刚石立方硅不同，Si 24 具有接近 1.4 eV 的准直接带隙，为光电和太阳能转换设备带来了新机遇。先前的研究表明，Na 可以从高压 Na 4 Si 24 前体的微米级颗粒中扩散，在环境条件下生成 Si 24 粉末。值得注意的是，我们在此证明 Na 在大型 (~100 µm) Na 4 Si 24 单晶中保持高度移动性。在真空条件下轻轻加热 (10 -4 mbar，125 °C)，Na 很容易从 Na 4 Si 24 晶体中扩散出来，并可进一步与碘反应生成大型 Si 24 晶体，经波长色散 X 射线光谱测量，该晶体的硅含量为 99.9985 at%。 Si 24 晶体在 1.51(1) eV 处显示出尖锐的直接光学吸收边，带边附近的吸收系数明显大于金刚石立方硅。温度依赖性的电输运测量证实了从金属 Na 4 Si 24 中除去 Na 可得到 Si 24 的单晶半导体样品。这些光学和电学测量提供了对关键参数的深入了解，例如来自残留 Na 的电子供体杂质水平、减少的电子质量和电子弛豫时间。在块体长度尺度上有效除去 Na 和单晶 Si 24 的高吸收系数表明这种材料有望以块体和薄膜形式使用，并有望应用于光电技术。
单晶金属膜的近距离升华
单晶金属纤维的成本效益，多功能和快速沉积对于从催化，等离子体，电化学和光电子学到模板，外延底物和集成纳米制造的广泛应用至关重要。高晶体质量通常意味着低增长率，这使得通过常规方法实现超过1 µm的厚度的挑战。我们显示了MGO底物上表面纳税单晶Au，Ag和Cufim的宽敞空间升华。我们在小于1H的厚度中证明了10 µm的厚度，同时在一系列低索引晶体膜方向上保持低5 nm RMS的表面粗糙度。我们表明，可以通过基于“视线”升华的简单模型来捕获结果，该模型可作为预测工具，并提供了讨论更广泛的潜力以及这种方法的局限性的基础。
182单晶双面TOPCon太阳能电池
电池片包装紧密，四周用柔软海绵包裹，箱体四周用热缩套管包裹。外包装箱必须有防震装置，以适应长途运输。包装后，电池片应存放在室内，湿度低于60%，温度为（20±10）℃。如果电池片的存放时间超过90天，应重新抽检。
单晶 AlN 的干法和湿法蚀刻
氮化铝 (AlN) 的带隙能量为 6.28 eV，可以生长为直径最大 4 英寸的高质量块状晶体，并伴有约 15 MV cm − 1 的高击穿场。1 – 8 这些固有特性使 AlN 成为军用和民用电力及极端环境电子设备等各种应用的有希望的候选材料，包括高温、高辐射暴露、直流微电网、脉冲功率武器和在极端条件下运行的系统，以及高压直流 (HV-DC) 电网内的开关和传输。1、2、8 – 12与窄带隙半导体相比，AlN 在高温和高功率下表现出优异的性能。在功率开关应用中，这种超宽带隙 (UWBG) 半导体表现出减小的电阻能量损耗，有可能用单个器件取代复杂的堆叠配置。 2、5、6、8 此外，在射频应用中，它们有助于开发射程更远、功能更强大的雷达系统，并有望应用于定向能系统。1、2、8 目前的研究重点是控制掺杂和实现用于垂直功率整流器的厚（>10μm）轻掺杂外延结构。4、7、9、11、13-16 为了充分利用这种材料的优势，体相和外延技术的发展
基于单晶 LiNbO3 的宽带 BAW 滤波器 ...
摘要—大带宽体声波 (BAW) 滤波器是第五代 (5G) 通信系统的迫切需求。在这项研究中，我们在多层氧化物薄膜上制备了 43 ◦ Y 切割铌酸锂 (LN) 单晶薄膜，并成功实现了带氧化物布拉格反射器 (BR) 的体声波滤波器。介绍了滤波器的设计方法和制造工艺。利用原子力显微镜 (AFM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 来表征薄膜的质量。结果证明了将单晶薄膜转移到多层氧化物上的可行性，这对于限制声能是有效的。该谐振器的有效机电耦合系数为 14.6%，品质因数 (FOM) 为 32.94。该滤波器尺寸紧凑，为600 μ m×400 μ m，在中心频率为3.128 GHz时相对带宽为10.3%，有望应用于5G系统。