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World File Search System单晶
182单晶双面TOPCon太阳能电池
电池片包装紧密，四周用柔软海绵包裹，箱体四周用热缩套管包裹。外包装箱必须有防震装置，以适应长途运输。包装后，电池片应存放在室内，湿度低于60%，温度为（20±10）℃。如果电池片的存放时间超过90天，应重新抽检。
单晶甲基铵铅卤化物钙钛矿材料用于光伏
2单晶薄膜合成10 2.1底物上的薄膜生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.1.1空间有限生长-SLG。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.1.2空化引发了不对法的结晶-CTAC（97）。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.1.3外延生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.1.4转换方法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.2独立的薄膜。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.1表面张力控制的ITC（98）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.2来自散装晶体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13 2.3图案薄膜和晶体阵列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13 2.3.1构造的生长。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。13 2.2.2来自散装晶体。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.3图案薄膜和晶体阵列。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.3.1构造的生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>14 2.3.22222外延生长。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>15 2.3.3打印。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>16 2.4生长方法的摘要。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17
新型非常规超导体UTe2 的单晶生长方法研究进展
度变化。数据来源于文献[1]。图2。第一个发现UTE 2超导率：（a）电阻率的温度依赖性； （b）低温特异性热数据的电贡献的温度依赖性。数据取自参考。[1]。
单晶 RuO 2 中的晶体结构和磁序缺失
因此，我们对 RuO 2 晶体进行了极化和非极化中子衍射实验，这些实验通过磁化和电导测量以及 X 射线衍射进行表征 [8]。单晶采用两种不同的传输分子通过化学气相传输生长。此外，通过退火商业化合物获得了粉末样品。对 D9、D3 和 IN12 进行了中子实验，并在 Bruker D8 venture 衍射仪上研究了晶体结构。我们无法在低至 2K 的温度下确认我们晶体中提出的结构扭曲。在 X 射线和长波长中子实验中，没有超结构反射 [3] 破坏金红石型结构的对称性。在短中子波长下观察到此类峰，但可归因于多重衍射。在我们的晶体中，钌空位的数量低于百分之几。极化中子实验并未表明对于所提出的传播矢量 ⃗ k =(0,0,0) [3] 存在磁布拉格反射。在我们的实验中，即使是有序矩比声称的 [3] 小五倍的磁序也会产生显著的强度。在我们的化学计量样品中可以排除这种反铁磁序 [8]。[1] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(3)，031042。[2] L. Smejkal 等人，2022 年，Phys. Rev. X 12(4)，040501。[3] T. Berjilin 等人，2017 年，Phys. Rev. Lett. 118，077201。[4] L. Smejkal 等人，2023，物理。莱特牧师。 131, 256703。 [5] A. Smolyanyuk 等人。 ，2024，物理。 Rev. B. 109 , 134424. [6] M. Hiraishi 等人。 ，2024，物理。莱特牧师。 132, 166702。 [7] P. Keßler 等人。 ，2024 年，npj 自旋电子学 2，50。 [8] L. Kiefer 等人。 ，2024 年，arXiv，2410.05850。
Ti掺杂的蓝宝石（Al（2）O（3））通过Kyropoulos技术和光学特征生长的单晶。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制，这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ，并改善所谓的功绩图（FOM），该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中，大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique（KT）成功生长，并执行了成年晶体的光学特征。
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
电子应用的单晶钻石上的石墨烯：简短的评论
电载体及其高热分率[8]和机械功能使石墨烯高度用途。结合钻石和石墨烯的显着性在于具有最好的两者的可能性：钻石的绝缘和热散热性能以及墨料的出色电气特性。钻石表现出165 MeV的高光音子能量。[9]此属性对于钻石上的石墨烯设备可能至关重要，因为石墨烯层中的载流子迁移率通常受到源自底物的光学声子散射的限制。高光学声子能量意味着在RT处很少有光学声子，导致低散射速率。与常规的SIO 2 /Si和SIC相比，DIAMOND作为底物的其他好处包括其具有较低陷阱密度的化学惰性表面。作为钻石上石墨烯设备的底物，由于其可伸缩性可能性和较低的缺陷密度，化学蒸气沉积（CVD）钻石优于高压高温（HPHT）。[10]石墨烯和钻石的非凡特性引起了人们对将这些材料集成到电子和量子应用中的兴趣。[11]
化学诱导的C-Cu共价键在CVD-Graphene/单晶Cu（111）界面
通过化学蒸气沉积（CVD）在CU（111）底物上生长的石墨烯开放表面的部分氢化，导致形成由界面C-Cu共价键合稳定的晶体Sp³sp³杂交碳单层。这种过渡是可逆的，加热几乎可以完全恢复原始的石墨烯 - 铜结构。石墨烯-CU系统的特征是弱的范德华相互作用，这是产生C-Cu键合的第一个转换。通过广泛的光谱表征（拉曼，X射线光电子，X射线吸收精细的结构和价频段光发射光谱）和基于密度功能理论（DFT）的理论分析），我们发现弱范德尔（dft通过加热回到其最初的物理状态。对石墨烯-CU相互作用的这种可逆控制为基于石墨烯的设备设计和操纵开辟了新的途径。此外，这种含有C-金属底物键的Sp³杂交碳单层可能会成为大区域钻石膜生长的种子层。
pr4ni3o10单晶中的非粉状超导性...
在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。在具有kbr或nujol油的钻石砧座的外部施加的压力下进行的10个单晶体的磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。 磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。 我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。 这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。 结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。磁电向传输测量值，作为压力介质产量的超导性特征，最大值的发作温度最大31 k。磁化测量结果提供了超导性的佐证证据，其依赖性磁磁信号出现在发作温度以下，并且易感性的绝对值估计表明，在10％的订单上，超导体积分数。我们观察到样本对样本的变化T C的大小和压力依赖性以及对给定样品上电气接触的构型的依赖。这种行为的可能原因可能是压力介质引起的样品以及晶体本身的不均匀性的压力和/或损害的显着不均匀性。结果表明，我们生长的PR 4 Ni 3 O 10单晶不是散装的超导体，而是晶体中存在少数群体结构确实是超导的。
单晶可折叠的太阳能行李箱，带有Voyager
具有易于使用和插入式设计的设计，该手提箱专为空间和重量限制的移动离网应用程序而设计。手提箱支持12V或24V深循环凝胶密封的铅酸电池（凝胶），洪水含量酸的电池（FLD），密封的铅酸电池（SLD/AGM）或磷酸铁磷酸锂电池（LI）。