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World File Search System单晶
单晶甲基铵铅卤化物钙钛矿材料用于光伏
2单晶薄膜合成10 2.1底物上的薄膜生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.1.1空间有限生长-SLG。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10 2.1.2空化引发了不对法的结晶-CTAC（97）。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.1.3外延生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.1.4转换方法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.2独立的薄膜。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.1表面张力控制的ITC（98）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.2来自散装晶体。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13 2.3图案薄膜和晶体阵列。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13 2.3.1构造的生长。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。13 2.2.2来自散装晶体。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.3图案薄膜和晶体阵列。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。13 2.3.1构造的生长。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>14 2.3.22222外延生长。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>15 2.3.3打印。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>16 2.4生长方法的摘要。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17
直流磁控溅射制备单晶 CoCrFeNi 薄膜：高熵合金表面研究的途径
高熵合金 (HEA) 具有几乎无限数量的可能成分，引起了材料科学的广泛关注。除了耐磨和耐腐蚀涂层之外，它们作为可调电催化剂的应用最近也成为关注的焦点。另一方面，HEA 表面的基本特性，如原子和电子结构、表面偏析和扩散以及 HEA 表面的吸附，却鲜有探索。研究的缺乏是由于单晶样品的可用性有限。在本研究中，报道了面心立方 (fcc) CoCrFeNi 薄膜在 MgO(100) 上的外延生长。通过 X 射线衍射 (XRD)、能量色散 X 射线光谱 (EDX) 和透射电子显微镜 (TEM) 对其表征表明，具有均匀且接近等摩尔元素组成的层沿 [100] 方向取向并与它们形成突变界面的基材对齐。采用 X 射线光电子能谱 (XPS)、低能电子衍射 (LEED) 和角分辨光电子能谱研究 CoCrFeNi(100) 的化学成分和原子及电子结构。结果表明，外延生长的 HEA 膜有可能填补样品间隙，从而可以对整个成分空间内明确定义的 HEA 表面的性质和过程进行基础研究。
通过金属有机分解制备的单晶钇铁石榴石纳米薄膜中的铁磁共振
1 Vida Products, Inc.，美国加利福尼亚州罗纳特公园 94928 2 加州大学伯克利分校，美国加利福尼亚州伯克利 94720 3 内布拉斯加大学林肯分校物理与天文系，美国内布拉斯加州林肯 68588 4 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂，美国加利福尼亚州伯克利 94720 5 劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部，美国加利福尼亚州伯克利 94720 6 加州大学圣克鲁斯分校物理系，美国加利福尼亚州圣克鲁斯 95064 7 劳伦斯伯克利国家实验室分子铸造厂国家电子显微镜中心，美国加利福尼亚州伯克利 94720 8 长冈工业大学材料科学与技术系，日本新泻长冈 940-2188 9科罗拉多州立大学，科罗拉多州柯林斯堡 80523，美国 10 斯坦福大学 Geballe 先进材料实验室，加利福尼亚州斯坦福 94305，美国 11 斯坦福大学应用物理系，加利福尼亚州斯坦福 94305，美国 12 奥本大学电气与计算机工程系，阿拉巴马州奥本 36849，美国 13 高折射率光学公司，加利福尼亚州海沃德 94545，美国 14 内布拉斯加大学林肯分校内布拉斯加材料与纳米科学中心，内布拉斯加州林肯 68588，美国 15 圣克拉拉大学电气与计算机工程系，加利福尼亚州圣克拉拉 95053，美国
转移单晶铋纳米薄膜中相干声学声子的量子限制
铋是一种新兴的量子材料，具有令人着迷的物理特性，例如半金属-半导体 (SM-SC) 跃迁 1-8 和拓扑绝缘态。9-12 分子束外延 (MBE) 生长技术的发展已经生产出高质量的 Bi 薄膜，其中过去五十年理论上预测的丰富物理特性可以通过实验实现。例子包括但不限于卓越的表面态自旋和谷特性、2,13 超导性、14 瞬态高对称相变 15 和非谐散射。16,17 此外，介电常数的负实部和较小的虚部的结合，以及强的带间跃迁，使其在带间等离子体中应用前景广阔。 18 尽管如此，单晶 Bi 纳米薄膜在实际器件中的应用仍然受到限制，因为它们只能在晶格匹配的衬底上生长，例如硅 (111)、19 BaF 2 (111)、20 和云母。21 最近，Walker 等人介绍了一种双悬臂梁断裂 8,22 和热释放胶带 23 技术，用于将大面积 MBE Bi 纳米薄膜从 Si (111) 干转移到任意衬底；他们还表明，转移薄膜的电学/光学/结构特性与原生薄膜相当。8,23 该技术可以研究 Bi 在任意衬底上的独特电子、声子和自旋电子特性，例如用于新兴器件的透明、柔性、磁性或拓扑绝缘衬底。大多数
光伏电站 - 技术应用论文 - ABB
示例 2 • 一个电池的开路电压 (V oc ) 等于 0.6 V ；3 个电池的并联将提供 0.6 V 的开路电压 (V oc )。 • 6 英寸单晶电池的短路电流 (I sc ) 等于 9.97 A ；3 个电池的并联将提供 29.91 A 的短路电流 (I sc )。 • 一个模块（例如，在 STC 条件下额定功率为 300 W 的 60 个单晶 6 英寸电池）的开路电压 (V oc ) 为 39.4 V ；3 个模块的并联将提供 39.4 V 的开路电压 (V oc )。 • 一个模块（例如，在 STC 条件下额定功率为 300 W 的 60 个单晶 6 英寸电池）的短路电流 (I sc ) 等于 9.97 A； 3 个模块的并联将提供 29.91 A 的短路电流 (I sc )。• 20 个模块的串（例如，60 个单晶 6 英寸电池，在 STC 条件下额定功率为 300 W）的开路电压 (V oc ) 为 788 V；3 个串的并联将提供 788 V 的开路电压 (V oc )。• 20 个模块的串（例如，60 个单晶 6 英寸电池，在 STC 条件下额定功率为 300 W）的短路电流 (I sc ) 等于 9.97 A；3 个串的并联将提供 29.91 A 的短路电流 (I sc )。
通过电感耦合的质量质等质子状态和食谱的目录对单晶钻石的反应离子蚀刻
在过去的十年中，单晶钻石（SCD）生长的显着技术进步导致了高质量SCD底物的商业产品，通常以尺寸的几个平方毫米的良好特定板的形式获得[1]。同时，此类板的成本已大大降低[2]，这引发了重要的研发工作，旨在利用SCD的特性[3]，热[4]和机械性能[5] [5]用于电子学中的各种应用[6]，光（光（光环）[7-10]，光学和光学技术[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]）[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]。高质量的SCD板是通过化学蒸气沉积（CVD）[13，14]或高压高温（HPHT）[15]技术生长的。记录示范最近产生的SCD底物直径为10 cm [16]，但如今更典型的尺寸为1 mm – 10 mm，厚度为50μm -1 mm。基板以不同的“等级”类别提供（例如电子[6，17]，光学[18]或机械[19]）根据其杂质的程度，这表明底物性质已被遗忘，特别适合特定的应用区域。SCD的精确成型主要是使用激光切割和烧蚀技术以毫米尺度的目标维度进行的，具有几微米的精确性要求，例如切片钻石板或制造切割工具，用于转弯，敷料或铣削。微丝[41-47]和光栅[48，49]）和光子学（例如用于耦合器[50-54]和谐振器[52，55-59]）。激光处理也用于千分尺尺度的结构，例如复合折射率[20-23]，埋入的波导[24-26]和微通道[27，28]。离子束蚀刻（IBE）可以有效地平滑并抛光SCD板[29，30]，而聚焦的离子束（FIB）铣削已用于制造悬浮的结构[31-33]，砧[34，35]和固体膜片[36-38]。尽管这些图案技术对于一组特定形状和设备最有效，但基于反应性离子蚀刻（RIE）制造方法是最常用的方法，用于广泛的应用，需要亚微米精度[39，40]，例如微观典型（例如，与Rie相比
单元 — I — 材料简介 — SAUA1201
I. 单晶：整个体积的长程有序。单晶或单晶固体是一种整个样品的晶格连续且不间断到样品边缘的材料，没有晶粒边界。（例如石英）。II. 多晶：晶粒内长程有序，但取向不同。多晶材料或多晶体是由许多大小和取向各异的微晶组成的固体。大多数无机固体都是多晶的，包括所有常见金属、许多陶瓷、岩石和冰。III. 几乎所有常见金属和许多陶瓷都是多晶的。IV. 如果存在短程有序，则为无定形。（例如玻璃）。在凝聚态物理学和材料科学中，无定形或非晶态固体是缺乏晶体特有的长程有序的固体。
离子迁移和金属卤化物钙壶中的空间充电区通过短路瞬态电流和数值模拟
已知金属卤化物钙钛矿材料中的固有离子迁移可引起基于偏置应用时这些化合物的X和𝜸射线检测器中有害且高度不稳定的深色电流。深色电流随着时间的流逝而缓慢漂移被确定为满足工业需求的这些设备的主要缺点之一。因为暗电流建立可检测性极限，电流演化和最终生长可能会掩盖通过传入的X射线光子产生的光电流信号。检测器评估的相关信息是离子相关参数，例如离子浓度，离子迁移率和离子空间充电区，这些区域最终在检测器偏置的外部接触附近建立。使用单晶和微晶毫米 - 毫米 - 甲基铵铅溴化物，允许在μ离子≈10-7cm 2 v - 1 s-1 s-ion univers outiation in I In ion umiention in I I Onion In ion In I IM ion umigiation 之后，使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物，然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。之后，使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物，然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。。钙钛矿结晶度。