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World File Search System单晶的
D. Kumar博士，M.E。
晶体生长和铬化。非线性光学材料，光电材料和设备。材料，生物复合材料和材料合成过程的光学表征。分子结构和缺陷分析。资助的项目：DST-Serb资助的项目的主要研究者，标题为“用于第二谐波生成（SHG）设备应用的高质量，非线性光学（NLO）氢化氢衍生物单晶的单向生长和表征”。25,88,931/ - （2017-2019）
依赖于极化的效果在2D有限尺寸的吸附岛上对电介质底物的振动吸收光谱
相比之下，IRRAS在氧化物和二元组中的应用通常不那么发达了。虽然广泛可用的氧化物粉末吸附剂的实验性IR数据，但这些材料的宏观单晶的10,11 IRRAS数据受到限制。10–13此限制源于电介质的特定光学特性，并阻碍了直到最近氧化物上IRRAS数据的实验记录。金属和半导体之间的关键区别是通过金属电子对电场进行筛选，影响总红外反射率，并引起所谓的表面选择规则，管理金属表面上的IRRAS。2,14该规则规定，对于金属，通常仅具有过渡偶极矩的成分的振动
化学（CHM） - Lehigh Catalog
CHM 337晶体学和衍射3学分介绍晶体对称性，点基组和空间组。强调X射线衍射和电子衍射的材料表征。特定主题包括晶体学符号，立体图表，单晶的方向，纹理，相识别，定量分析，应力测量，电子衍射，环和点模式，融合束电子衍射（CBED）和空间组确定。在矿物学，冶金，陶瓷，微电子，聚合物和催化剂中应用。讲座和实验室工作。先决条件。先决条件：CHM 031或CHM 041或MAT 203或EES 131属性/分发：NS
博士简历Jiban Podder 博士
1. “从水溶液中生长某些非线性光学单晶及其光电应用特性”，Shahan Ara Begum，04031407，2009 年。 2. “有机和半有机非线性光学单晶的生长和特性：Ferdousi Akhter”，10061406 F（2006 年 10 月），2011 年。 3. “掺杂碱金属和过渡金属离子的硫酸甘氨酸晶体的生长及其不同物理和光学特性的研究”，Farhana Khanum，2012 年。 4. “用于气体传感应用的 Mg 和 Al 掺杂 Fe 2 O 3 薄膜的合成和特性”，Mehnaz Sharmin，2019 年。
超导KTAO3（111）界面的电子带结构
基于KTAO 3的二维电子气体（2DEGS）由于其高RASHBA自旋 - 轨耦合（SOC）和栅极电压可调性而成为自旋轨道货币学的有前途的平台。最近在KTAO 3 2DEG中发现了超导状态，现在将其潜力扩大到拓扑超导性。尽管使用角度分辨光发射光谱（ARPES）绘制了各种晶体学取向的KTAO 3表面的带状结构，但对于超导KTAO 3 2DEGS并非如此。在这里，我们通过ARPES测量结果揭示了基于KTAO 3（111）单晶的超导2DEG的电子结构。我们使用紧密结合模型拟合数据，并计算相关的旋转纹理，以使您的SOC驱动物理学洞悉该迷人系统的SOC驱动物理。
铁电体通用热力学求解器
− − 是一个基于 Landau-Ginzburg-Devonshire (LGD) 理论计算铁电单晶和薄膜热力学单畴平衡态及其特性的程序。利用 SymPy 库的符号操作，可以求解控制方程以及适当的边界条件，从而快速最小化晶体的自由能。利用流行的差分进化算法，通过适当的混合，可以轻松生成多个相图，例如块体单晶的压力-温度相图和单畴薄膜系统的常见应变-温度相图。此外，可以同时计算稳定铁电相的多种材料特性，包括介电、压电和电热特性。对薄膜和单晶系统进行了验证研究，以测试开源程序的有效性和能力。
单晶生长的技巧和窍门
概要 单晶生长是一种广泛探索的固态合成材料方法。在过去的几十年里，用于合成单晶的技术取得了显著的进步，但关于如何传播这些知识的讨论却相对较少。我们的目标是改变这种状况。在这里，我们描述了已知的单晶生长技术的原理以及鲜为人知的变化，这些变化有助于优化已知材料的缺陷控制。我们提供了一个关于如何从宏观角度思考这些合成方法的观点。我们考虑了温度与反应时间的相互依赖性，以及如何进行合成以扩大规模并解决一些突出的合成挑战。我们希望我们的描述将有助于技术进步和进一步发展，以更好地控制合成。
复杂载荷条件下 FCC 单晶中裂纹萌生和扩展的微损伤模型
在线性和非线性工程材料中 [ 1 , 2 ]。例如，在复合材料中，弥散损伤之后是损伤局部化和裂纹形成，最终导致断裂。在准脆性材料或受到循环载荷的金属中，裂纹形成和扩展在损伤开始后迅速发生。初始或诱导各向异性在材料损伤中普遍存在，对建模和模拟提出了挑战，正如许多现有的各向异性损伤复杂公式所示 [ 3 ]。相比之下，文献中很少发现连续损伤方法对金属单晶的应用，这可能是由于特定的各向异性变形和损伤机制。[ 4 ] 解决了单晶镍基高温合金的蠕变损伤，而 [ 5 ] 中的作者提出了一个与晶体粘塑性耦合的各向异性损伤模型框架。[ 6 ] 使用粘结区模型模拟单晶裂纹沿预定义路径扩展
尼贝特锂结构壁的局部研究
Isolde-Cern的角相关性。单个结构域的螺旋和定期固定的LNO样品应在30 KEV处植入111m cd探针后的不同退火和温度条件下进行研究。的目标是研究在定期刺激单晶的扰动函数中观察到的异常，并将结果与以下情况相关联：（i）可能对域壁产生局部电导率效应； （ii）第二谐波生成极化参数。与密度功能理论相关的提出的测量值可以深入了解电动LNO域壁中电子传输和电荷捕获的机制，并支持它们在前瞻性纳米电子设备中的使用。请求班次的摘要：目标上的12个质子偏移（分为至少3次通过