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World File Search System单极
Steatite Systems产品示例
反射器天线具有完整的主要焦点和偏移设计的组合，从0.2m到3m作为COTS，我们有一个适合您的应用程序的解决方案，每种都可以为更复杂或定制的设计提供构建块。从0.5GHz到40GHz的单极或双极极化中的饲料角提供了大量选项，而无需考虑反射器本身将是铝固体，双或四边形的铝，以用于可运输能力或确实是多段碳纤维。将任何反射器与RH或LH CP进料结合在一起，排列进一步扩展。便携式设计由专业的MIL-STD包装案例提供支持，包括工程的内部泡沫支持。
异丙醇。 - ASSIST-QuickSearch
1.范围 1.1 范围。本规范涵盖单极和多极、无跳闸、密封、低功率、磁性断路器的要求和测试程序，其额定电流为 0.050 安培至 20.0 安培（含），最高 240 伏、60 赫兹 (Hz) 和 400 Hz 交流电 (ac) 和 50 伏直流电 (dc)（见 6.1 和 6.7）。这些断路器可能还包括辅助触点（见 6.6.1）和用于监控电路的端子。请设计人员注意，这些断路器的一些零部件可能含有纯锡涂层（见 6.5）。1.2 零件或识别号 (PIN)。PIN 将由字母“M”、规格表的基本编号和指定的破折号编号组成（参见 3.1），如下例所示：
4H-SiC 合并 PIN 肖特基二极管，带浮动背对...
4H-SiC功率器件具有独特的高压、高频、高温特性，有着巨大的应用潜力。[1 – 3 ] 4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）由于其单极导电模式，广泛应用于高频领域。然而，较大的漏电流限制了它的击穿性能和高压应用。[4 – 6 ] 4H-SiC P–I–N二极管由于其双极导电模式，广泛应用于大功率场合。[7 – 9 ] 然而，较差的反向恢复特性限制了它在高频领域的应用。4H-SiC合并P–I–N肖特基（MPS）二极管是一种很有前途的器件，它将肖特基和PN结集成在一个芯片上，实现了优异的击穿性能和快速的反向恢复特性。[10 – 14 ]
自由主义和泛大西洋地区主义
但是，这些对抗场景为所有有关方面带来了最高的成本。如果可以避免战争，自由主义的价值仍然可以充当泛大西洋的驾驶员，从而促进了一种新的大西洋盆地经济区域主义形式。这种区域主义将与现实主义者必须弥合大西洋南北鸿沟，并减轻可以隔离北大西洋的“偏见性双极性”的风险。许多人认为，尤其是在单极时刻，大西洋盆地地区分享了基于自由国际秩序的西方价值观，尽管是不平等和不完美的，例如市场，法治，民主政治文化，民主政治文化以及基本的人类和政治权利。因此，据称共享的“大西洋价值”可以作为泛大西洋合作的主要基础和潜在的中央驱动力。
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
HDL和LDL胆固醇与...
引言抑郁症是初级保健环境中最诊断出的精神障碍之一[1]。到2030年，单极抑郁症被预计将是全球疾病负担的第二大促进者[2,3]。抑郁症与其他非传染病具有共同的病因因素，可以扩大疾病负担为合并症或结果，因此对个人，家庭和社会产生重大影响[4]。胆固醇的作用，无论是HDL还是“好”胆固醇，以及LDL或“坏”胆固醇，在某些心脏和神经系统疾病中都强调了，并且它们与情绪障碍的联系显而易见[5]。增加的体重指数（BMI）和肥胖症与情绪障碍有关，抑郁症或复发性抑郁等情绪障碍与肥胖有关[6]。此外，发现包括恐慌症，强迫症和恐惧症在内的焦虑症障碍症患者的血清胆固醇水平升高[7-9]。
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路