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评估整体和多层的断裂韧性
这项维特罗研究的目的是比较单片氧化锆和多层氧化锆的骨折韧性，这是义齿修复体中的两种常用材料。断裂韧性是一个关键的机械性能，它决定了材料在压力下对裂纹传播的抗性，这对于牙齿修复的寿命和性能至关重要。使用计算机辅助设计和计算机辅助制造（CAD/CAM）技术制造了共有20张锆石（10个单片和10个多层）。使用Vickers Micro-Hardness测试仪使用压痕法测量椎间盘进行负载和断裂韧性。整体锆石的断裂韧性值（第1组）明显高于多层锆石（第2组）的断裂韧性值，平均值为5.394±0.378 MPa·M 1/2和4.358±0.394 MPa·M Pa·M 1/2（p <0.0001）。这些发现表明，整体氧化锆提供了出色的机械性能，使其成为更合适的高应力应用材料，而多层氧化锆则是前恢复的多层氧化锆，在前修复学位优先级。这项研究强调了在选择用于牙科修复体的氧化锆材料中的机械强度和美学吸引力之间的权衡，并为优化临床假体的材料选择提供了宝贵的见解。引言固定义齿牙齿领域的高级材料的开发显着影响了牙科修复体的寿命和性能。两种材料均根据其在固定假牙和氧化锆，特别是由于其出色的机械性能，包括高强度和断裂韧性，成为一种流行材料，使其成为牙冠和桥梁的理想选择[1]。单片氧化锆是用单个材料制成的，具有优异的强度和最小的分层风险[2]。然而，最近的进步引入了多层氧化锆，它结合了不同的层与不同的特性，以改善美观的同时试图维持结构完整性[3]。断裂韧性是评估牙科材料性能的关键参数，因为它决定了材料在压力下抵抗裂纹传播的能力[4]。氧化锆修复体的断裂性可能会受到几个因素的影响，包括材料的组成，层数，制造过程以及在功能过程中假体受到机械力的条件[5]。整体锆石虽然以其强度而闻名，但可能缺乏天然牙齿的美学特性，导致了多层氧化锆系统的引入[6]。这些多层系统结合了更透明的表面层，试图平衡强度和美学吸引力[7]。本文旨在评估和比较肢体修复应用中整体和多层锆的断裂韧性。通过研究这两种不同的氧化锆结构的机械性能，该研究旨在考虑功能性和美学需求，以洞悉牙科修复体的最佳材料选择。这些发现将有助于更好地理解这些材料在临床环境中的优势和局限性，最终指导未来的假体牙科进步。材料和方法材料在本研究中使用了两种类型的氧化锆材料：单片氧化锆和多层氧化锆。
AlN/GaN/AlN 高电子器件中 94 GHz 时为 2.2 W/mm
通过AlGaN/GaN/InGaN结构实现8 W mm 1，通过N极性GaN HEMT实现94 GHz时8 W mm 1 [3]。这些结果对于商业（5G及以上、汽车雷达）和国防（SATCOM、雷达）应用越来越重要，所有这些应用都在向毫米波频率范围（30 – 300 GHz）推进。为了进一步提高GaN HEMT的优势，我们的研究小组在氮化铝（AlN）缓冲层上引入了HEMT。[4 – 6]通过用AlN替换AlGaN顶部势垒并用AlN替换典型的GaN缓冲层，AlN/GaN/AlN异质结构具有更高的热导率、改善了薄GaN通道（<30nm）的载流子限制，并且与其他传统顶部势垒材料（如AlGaN或InAlN）相比，顶部势垒具有出色的垂直可扩展性。其他研究小组也展示了基于AlN 的器件的有希望的结果，包括基于AlN 衬底的HEMT，在X 波段实现15 W mm 1 [7] ，AlN 缓冲区击穿功率为 5 MV cm 1 [8] 。已经展示了使用AlN 顶部势垒的HEMT，包括GaN HEMT 记录f T = f max 为454/444 GHz，[9 – 11] PAE 为27% ，相关输出功率为1.3 W的W 波段功率放大器，[12] 噪声系数小于2的K a 波段低噪声放大器，[13] 以及40 GHz 时为4.5 W mm 1 [14] 。所有这些器件都基于AlN/GaN/AlGaN 异质结构。 AlN/GaN HEMT 已显示出 Ga 极性 HEMT 在 W 波段的创纪录输出功率，在 94 GHz 时 P out ¼ 4 W mm 1。[15] 除了射频 (RF) HEMT 之外，氮化铝还具有单片集成大电流 GaN/AlN p 型场效应晶体管 (pFET) [16 – 18] 和晶体 AlN 体声波滤波器 [19] 的潜力，这两者都是通过 AlN 缓冲层实现的。SiC 衬底以衬底集成波导 (SIW) 和天线的形式实现了进一步的集成。[20] 这种集成生态系统被称为 AlN 平台，使高功率氮化物互补金属氧化物半导体 (CMOS)、RF 滤波器、单片微波集成电路 (MMIC) 以及 RF 波导和天线共存于一个单片芯片上。[21]
tri-tri-tri
产品描述三叶鸟岩1600、1800和2000隔热整体化学通过衬里减少了热量存储的数量和热传递的数量，从而在炉子燃料消耗中节省了大量节省。这些ver虫的较低密度含有高岭土整体岩的量减少所需的支撑炉钢厂的量，并提供更薄的衬里的隔热能力。这些产品可以被铸造，倒入或枪支。高岭土1600是一种非常轻巧的低导热率ver虫基团单片，设计用于备份最多1600°F（871°C）的备用绝缘应用。高岭土1600包含波特兰水泥，将温度限制为1600°F（871°C）；但是，这使其成为基于每立方英尺的成本的经济产品。高岭土1800和高岭石1800枪是非常轻巧的，低导热性，基于ver虫的单片，旨在备份最多1800°F（982°C）的备用绝缘应用。它们包含钙铝水泥，使它们具有更高的温度能力。典型的应用将是烤箱和管道衬里的低温衬里。高岭土2000是一种轻巧的低导热率整体式，设计用于最高2000°F（1093°C）的备份应用。高岭土2000包含铝酸钙水泥和较高的温度填充剂，可提高其使用极限温度。
世界卫生组织高血压指南
对于需要药物治疗的高血压成人患者，世卫组织建议采用联合治疗，最好采用单片组合（以提高依从性和持久性）作为初始治疗。联合治疗中使用的抗高血压药物应从以下三类药物中选择：利尿剂（噻嗪类或噻嗪类）、血管紧张素转换酶抑制剂 (ACEis)/血管紧张素受体阻滞剂 (ARB) 和长效二氢吡啶类钙通道阻滞剂 (CCB)。
L3Harris PANTHR™ 大面积显示器 (LAD)
PANTHR™ 大面积显示器 (LAD) 是一种独立的、容错的多功能显示器。它是一种最具价值的解决方案，可在卓越性能、生命周期可承受性、低风险和长期可支持性之间实现最佳平衡。 PANTHR 显示器可在单个单片 2560 X 1024 有源矩阵 LCD 上显示来自最多四个外部源的清晰、清晰的高保真图形和视频。PANTHR 独特的“全屏”容错功能可提供无与伦比的可靠性，并可无限使用整个显示器。
教授切斯瓦夫·斯基尔比
该项目致力于开发制造单片集成、可寻址的微型和纳米 LED 阵列的技术，这些阵列可发出可见光。微型 LED 阵列将在明亮的高分辨率显示器、无线 Li-Fi 通信或增强现实和虚拟现实眼镜中得到广泛应用。纳米 LED 阵列的应用包括光遗传学、超分辨率显微镜、无掩模光刻以及化学和生物医学传感器。开发的技术将允许 LED 阵列按顺序放置，一个叠在另一个上面，发出不同波长的光。
太空在推动可持续性、安全性和……方面的作用
该行业正处于转折点；领导者认为，现有框架已不足以管理当今最紧迫的所有问题，包括太空垃圾和低地球轨道 (LEO) 商业化。快速的技术进步正在释放新的能力，鼓励更多商业资金进入太空，并使各国和私营部门更容易进入太空。这些发展正在撼动长期存在的运营模式，推动从单片架构向分布式架构的转变。随着太空变得拥挤，它们也引发了更多的竞争，公共和私人参与者争相争夺有限的资源，如轨道和频谱。
航空航天案例研究：激光焊接钛
在各个组件的TMC管部分中有一定程度的通用性。，如果当前的单片端配件分为两个部分，则可以增加制造灵活性和降低成本的可能性，以及在稍后阶段焊接的特定端功能，如图4所示。但是，要实现这一机会的全部潜力，必须将焊缝尽可能靠近标准化端拟合的大小来最小化，以避免对TMC的热损坏。激光焊接是一种有吸引力的解决方案，因为它提供了使最小热输入所需的相对深焊接的可能性，并且作为Oliver活动的一部分开发和优化了该过程。
TMI8037 500mA LNB-电源和控制电压...
TMI8037 适用于模拟和数字卫星接收器/卫星电视、卫星 OC 卡，是一款采用 ESOP8 封装的单片稳压器和接口 IC，专门设计用于高效提供 14V/19V 电源，并为天线盘中的 LNB 下变频器或多开关盒提供 22kHz TONE 信号。TMI8037 由 BOOST 转换器和低噪声线性稳压器以及 TONE 注入和引脚可控接口所需的电路组成。该设备使整个 LNB 电源设计变得简单、高效和紧凑，外部元件数量少。
利用最新的 iCoupler® 数字隔离增强保护
ADI i Coupler 数字隔离技术通过易于使用的认证解决方案在提供安全性和数据完整性方面处于世界领先地位。当隔离解决方案需要最高的浪涌、抗噪性和工作电压，以及低压 I/O 和低传播延迟的设计灵活性时，引擎盖下的东西才是关键。通过结合高速 CMOS 和单片空芯变压器技术以及独特的专利差分开关键控 (OOK) 架构，ADI 的数字隔离器可提供具有广泛市场吸引力的性能。