STI8036 是一款单片稳压器和接口 IC,适用于模拟和数字卫星接收器/卫星电视、卫星 OC 卡,采用 ESOP8 封装,专门设计用于高效提供 14V/19V 电源,并为天线盘中的 LNB 下变频器或多开关盒提供 22kHz TONE 信号。STI8036 由 BOOST 转换器和低噪声线性稳压器以及 TONE 注入和引脚可控接口所需的电路组成。该器件使整个 LNB 电源设计变得简单、高效、紧凑,外部元件数量少。
近年来,半导体公司对小芯片封装表现出浓厚的兴趣,以适应人工智能和高性能计算系统等高性能应用。片上系统 (SoC) 技术将各种技术和功能块集成到单片芯片上,传统上用于创建高性能应用系统。然而,随着 SoC 设计变得越来越复杂,开发时间更长,制造成本更高。小芯片可以被认为是片上系统 (SoC) 的低成本、更快上市的替代方案。公司可以利用小芯片方法来创建系统,即采用各种技术的芯片,并利用先进的封装平台(例如基于硅或 RDL 的中介层 [1-3])将它们集成到系统中。
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术,但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟,但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许(部分)重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备,我们提出了一个新概念,即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后,直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤,并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量,键合的 50 µm 薄芯片数量众多,完全没有空隙。此外,通过消除切割胶带,减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑,从而实现超薄芯片处理。在本研究中,我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
随着每年产生的泽字节级数据,人工智能 (AI) 要求快速提高计算性能。然而,数据通信仍然是系统性能扩展的主要瓶颈。通过单片三维 (M3D) 集成提高数据传输带宽和通过大脑启发式计算范式减轻数据传输工作量是很有前途的解决方案。在本次演讲中,我将介绍我最近在后端 (BEOL) 兼容氧化物电子学方面的工作,它们在这些解决方案中发挥着关键作用:(1) 为了应对非晶氧化物半导体 (AOS) 晶体管可靠性的关键挑战,这是一种在 M3D IC 中普遍存在的 BEOL 兼容有源器件选项,我开发了一种经济高效的氟化封装技术,可以在较低的热预算下有效修复氧缺陷。(2) 鉴于 3D IC 中片外电压转换效率低下,我开发了 AOS 功率晶体管技术,并通过实验证明了 BEOL 兼容 DC-DC 转换器可实现高效的片上电压转换。 (3) 为了在脑启发计算中实现更多的功率-性能-面积-成本 (PPAC) 优势,我开发了一种与 BEOL 兼容的选择性区域掺杂技术,该技术在强关联氧化物中具有极高的浓度,从而实现了基于 VO 2 的人工神经元和突触的单片集成,从而实现了高效的同型神经形态平台。这些工作强调了与 BEOL 兼容的氧化物电子学在推进面向 AI 的微电子的 M3D 集成和脑启发计算技术方面的重要性。
AR0521P1 是一款双向 TVS 二极管,采用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR0521P1 具有超低电容,典型值为 0.3pF,符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准,具有 ±25kV 空气放电和 ±22kV 接触放电。它组装成超小型 1.0x0.6x0.5mm 无铅 DFN 封装。小尺寸、超低电容和高 ESD 浪涌保护使 AR0521P1 成为保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。
单片微波集成电路 (MMIC) 和发射/接收 (T/R) 模块被广泛应用于有源阵列雷达等系统。小型无人机平台传感器的开发要求重量轻、尺寸紧凑、成本低和可靠。这些要求导致了使用双面厚膜多层基板封装的高度集成 MMIC 的开发。MMIC 所需的组件包括移相器、衰减器、开关、低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器。通过切换发射和接收路径中共享的移相器和衰减器可以实现组件的重复使用。每个完整的 T/R 模块都符合与模块集成的相关天线阵列所要求的半波长间隔约束。
Maxscend TAM 模块和用于前端和连接的 RF 组件(PA 模块、接收模块、Wi-Fi 和连接模块、AiP 模块、分立滤波器、双工器、开关和 LNA)、蓝牙 LE Metanoia Communications Inc. 5G 芯片组、MT3812-射频集成电路、MT2812-可编程基带 SoC 单片电源系统 (MPS) 电源模块、DC/DC 转换器、AC/DC 转换器、汽车电源管理、电机驱动器、传感器、LED 照明 Morita-Tech 天线、屏蔽盒、5G mmWave 和 Sub-6 测试设备 Neoton Optronics Corporation HV GaN HEMT、LV GaN HEMT、设计支持、栅极驱动器/控制器
摘要:本文介绍了一种采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术设计的小面积单片像素探测器 ASIC,用于升级 CERN 的 FASER 实验的预流探测器。该原型的目的是研究快速前端电子器件在像素敏感区域内的集成,并确定能够最好地满足实验规格的配置。为了应对与像素内前置放大器和鉴别器集成相关的若干挑战,自感噪声、不稳定性和串扰被最小化。还将描述用于特性描述和设计选择的方法。这里研究的两种变体将在 FASER 实验预流的预生产 ASIC 中实施,以进行进一步测试。
由于驱动电路占整个面板成本的 5-30%,因此单片集成尤为重要。直接在玻璃上制造驱动器,省去了传统的驱动器“安装”和“封装”步骤,简化了模块的组装,并大幅降低了模块组装设备成本。因此,组装产量增加,而且由于需要的外部互连更少,面板工艺产量和可靠性也得到提高。一旦建立了可靠、成熟的 LPS 工艺,人们就可以设想不仅集成 CMOS 驱动器,而且还集成一系列其他元素(控制器、内存、特定 IC)。有了这些,面板本身就变成了系统,引领夏普长期以来设想并积极追求的 SOP(面板系统)概念时代到来。