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基于 fNIRS 的超扫描证据
意外的急性应激源可能会影响我们与其他合作者在完成联合任务时的共同表征。本研究采用基于新兴功能性近红外光谱（fNIRS）的超扫描方法，探讨实验室诱发的急性应激条件下执行联合西蒙任务时的脑间同步性。行为学结果显示，应激组与对照组均存在联合西蒙效应（JSE），但应激组的联合西蒙效应显著弱于对照组的联合西蒙效应，表明在急性应激状态下完成联合行动任务时，女性区分自我与他人相关心理表征的能力提高，女性行动共同表征的强度减弱。 fNIRS结果显示，在急性应激状态下完成关节Simon任务时，应激组r-TPJ处的脑间同步性显著高于对照组，表明TPJ处脑间同步性的增强可能是急性应激下完成关节动作任务的关键脑间神经机制。
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免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
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免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
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免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
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免责声明：1-本文给出的信息，包括规格和维度，可能会更改，而无需事先通知以改善产品特征。在订购之前，建议购买者与SMC-最新版本的数据表销售部联系SMC -Sangdest最微电子（NANJING）CO.2-如果需要极高的可靠性（例如在核电控制，航空航天和航空，交通设备，医疗设备和安全设备中使用），则应通过使用具有确保安全性或用户的故障安全预防或其他安排的半导体设备来确保安全性。3-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对根据数据表的操作期间因事故或任何其他原因造成的任何损害均承担责任。SMC-最微电子（NANJING）CO.，LTD对任何知识产权索赔或由于数据表中所述的信息，产品或电路的应用而可能导致的任何其他问题承担任何责任。4-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对半导体设备中的任何故障或在超过绝对最大额定值的值时造成的任何次要损害均承担责任。出口这些产品（技术）时，必须根据相关法规采取必要的程序。5-数据表的任何专利或其他权利均未授予任何第三方或SMC的权利 - 最佳微电子（NANJING）Co.，Ltd。6- 6-数据表（s）不可能在任何形式或部分中以明确的书面形式复制或重复，或者不得以任何形式的零件复制或重复。 Ltd. 7-数据中描述的产品（技术）不得向其申请目的的任何一方提供限制国际和平与安全的任何一方，也不应由其直接购买者或任何第三方应用于该目的。
MUR2060WT 超快速整流器
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MURF860 超快速整流器
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超快速、高可靠性的 SOT-MRAM
摘要 — 本文讨论了一种新的 MRAM 技术，其写入方案依赖于自旋轨道力矩 (SOT)。与自旋转移力矩 (STT) MRAM 相比，它提供了非常快速的切换、准无限的耐久性，并通过解决“读取干扰”问题提高了可靠性，这要归功于独立的读写路径。这些特性允许在系统内存层次结构的所有级别引入 SOT，并解决 STT-MRAM 无法轻松实现的应用程序。我们介绍了这项新兴技术和完整的设计框架，允许在任何抽象级别（从设备到系统）设计和模拟混合 CMOS/SOT 复杂电路。获得的结果非常有希望，表明该技术可以降低电路的功耗，而不会明显影响性能。
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