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高阳科技（中国）有限公司
鉴于2023年国内市场利率持续偏低，穗信云链把握机遇，加强与各大金融机构的紧密合作，以更高效率、更低利率为中小企业提供信贷支持。集团不仅全面支持新一代票据及供应链票据受理，还加强银行承兑汇票受理，与近10家银行合作。随着穗信云链服务受理能力的进一步提升，2023年交易规模突破百亿元，较去年同比增长131%。其中票据业务同比增长185%，带动金融科技服务板块经营利润达4,300万港元，同比增长190%。
高导电性PVDF/MWCNTs-AgNWs@MXene双层三维网络的 ...
Sample SE T /dB SE R /dB SE A /dB SE A /SE R /% SSE t /(dB·(cm −2 ·g) −1 ) M3-MX-0 5.0 0.9 4.0 4.3 87.6 M3-MX-5 6.8 1.5 5.3 3.5 147.5 M3-MX-10 7.2 1.7 5.5 3.2 171.0 M3-MX-15 7.0 1.7 5.3 3.0一直m3-ag@mx-15 69.0 10.3 58.7 5.7 2 356.6 m3-ag@mx-20 68.2 10.3 57.8 5.6 2 719.8 m3-ag@mx-25 67.9 10.0 57.0 57.9 5.8 2 439.4 2 439.4
高压下二元富氢超导体的实验研究进展
lah 10（T C = 250 K），Drozdov和Al。（2019）LAH 10（T C = 260 K），Somayazalu和Al。（2019）YH 9（T C = 243 K），Kong和Al。（2019）YH 6（T C = 224 K），Troyan和Al。（2019）CAH 6（T C = 215 K），但等。（2021）CAH 6（T C = 210 K），Li和Al。（2022）SH 3（T C = 203 K），Drozdov和Al。（2015）THH 10（T C = 161 K），Semenoch和Al。（2019）CEH 10（T C = 115 K），Chen和Al。（2021）CEH 9（T C = 100K），Chen和Al。（2021）YH 4（T C = 88 K），Shao和Al。（2021）BAH 12（T C = 20 K），Chhen和Al。（2021）SNH X（T C = 70K），Hong和Al。（2022）
亚利桑那州的碱厂
休斯顿，2024 年 12 月 19 日——Chlorum Solutions USA 选择蒂森克虏伯 Nucera 作为合作伙伴，在亚利桑那州卡萨格兰德开发其第一家美国氯碱工厂。该项目将采用先进工艺来实现化学制造的现代化。这家美国公司专门从事氯碱工厂，并将使用蒂森克虏伯 Nucera 的撬装技术。电解专家将使用撬装技术监督工厂氯碱电解槽的工程和采购。这种模块化方法简化了施工、降低了成本并提高了运营灵活性，以满足当地的生产需求。该工厂符合两家公司对可持续和安全化学生产的承诺，同时解决了供应链挑战。蒂森克虏伯 Nucera USA 首席执行官 Sachin Nijhawan 表示：“我们很自豪能与 Chlorum Solutions USA 合作开展这个开创性的项目，该项目专注于使用模块化设计进行创新。” “与 Chlorum Solutions USA 的此次合作为化学工业的卓越性树立了新的标杆。” Casa Grande 工厂将使用蒂森克虏伯 Nucera 的节能膜技术，与传统方法相比，其对环境的影响更小。通过本地化生产，该工厂无需长途运输氯气。相反，它将直接从盐中生产次氯酸钠、盐酸和苛性钠，为亚利桑那州和附近地区的市场提供可靠、安全的供应。该项目预计将创造工程、运营和管理方面的永久性工作岗位，并为承包商和供应商提供施工机会。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]