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World File Search System压力范围
经胸心内心外线心后...
格伦管 格伦管通过右颈内静脉置入，并推进至上腔静脉 (SVC)。这本质上是一条中心静脉通路，但插入的目的是为了在双向格伦手术后测量格伦压力。对于患有复杂格伦手术（例如之前接受过诺伍德手术）的儿童，这通常不是主要的中央通路，而是会放置额外的 CVC 进行药物和液体给药。如果孩子是简单的格伦患者，没有额外中央通路的格伦管就足够了。（CHI Crumlin 心胸外科医师，2022 年）。在这种情况下，由于存在血栓风险，可以考虑使用抗凝剂，例如 LMWH。表 1：心内导管、正常压力范围和压力升高或降低的潜在原因
Cahn®-1000 微电子天平（低压...
表面积 用户费用：电话、电子邮件 费用基础：按等温线、按样品 联系人：Orhan Talu 教授，(216) 687-3539，o.talu@csuohio.edu（点击获取专业知识） 详细描述：微电子天平，用于在受控流体（气体或蒸汽）环境中测量样品（例如聚合物、微孔固体、金属等）的重量。吸收数据（即重量变化率）直接记录在计算机上。流体环境是手动控制的。在液氮温度下进行氮等温线测量可获得固体（包括介孔、微孔和颗粒）的 BET 表面积（以及许多其他表面积方法）。 操作：该系统不是自动化的。训练有素的研究生助理或技术人员进行实验。实验方案可以根据要求进行调整。 规格：流体：无腐蚀性、无冷凝性（在环境温度下）压力范围：10
加压封闭系统 - Artidor
FS860S 专为需要在短时间内清除大量气体的应用而设计。主要应用包括电机外壳以及大型控制柜。2 英寸技术允许在 Ex p 外壳内低压水平下实现每秒 33 升（~ 120 m³/h）的清除速率。FS860S 还可选择设计为高达 27 mbar 的压力范围，从而使清除速率超过 120m³/h。它是第一款紧凑型电子清除系统，仅使用一个集成输出即可实现如此高的清除量。因此，FS860S 代表了过时的气动清除系统的现代紧凑型替代方案。比例工作阀技术的集成（源自 FS850S）使 2 英寸系统在清洗速率级别中独树一帜：
数据表 SDP8xx-Digital - Sensirion AG
SDP800 传感器系列是 Sensirion 专为大批量应用而设计的数字差压传感器系列。这些传感器可测量空气和非腐蚀性气体的压力，精度极高，无偏移漂移。这些传感器的压力范围高达 ±500 Pa（±2 英寸 H 2 O / ±5 毫巴），即使在测量范围的底端也能提供出色的精度。SDP800 系列具有数字 2 线 I 2 C 接口，可轻松直接连接到微处理器。这些传感器的出色性能基于 Sensirion 的专利 CMOSens® 传感器技术，该技术将传感器元件、信号处理和数字校准结合在一块小型 CMOS 芯片上。差压由热传感器元件使用流通技术测量。久经考验的 CMOS 技术非常适合高质量的大规模生产，是要求严格且成本敏感的 OEM 应用的理想选择。Sensirion CMOSens ® 技术的优势
数据表 AMS 4710 微型压力变送器...
1) 压力范围如表 1 所示。2) 满量程输出 (FSO) 是规定最小压力下的输出信号与规定最大压力下的输出信号（标称 FSO = 10 V）之间的代数差。3) 总精度定义为测量值与室温 (RT) 下理想传递函数的最大偏差（%FSO），包括调整误差（偏移和量程）、非线性、压力迟滞和重复性。非线性是整个压力范围内测得的与最佳拟合直线 (BFSL) 的偏差。压力迟滞是压力在规定的最小压力或最大压力之间循环时，规定范围内任何压力下的输出值的最大偏差。重复性是 10 个压力循环内规定范围内任何压力下输出值的最大变化。 4) 整体误差（也称为总误差带，TEB）定义为整个温度范围（-25 ... 85°C）内测量值与理想传递函数的最大偏差（%FSO）。
采用高选择性浆料进行化学机械抛光 (CMP)，在具有完整电路功能的 STI 上停止新型 IC 背面制备
样品安装 平行样品安装和调整是实现全区域块状硅去除的关键步骤，特别是在使用 Allied Multiprep 或 UltraTech UltraPol 等系统时。尽管在使用 Allied X-Prep 或 UltraTech ASAP-1 等系统进行腔体减薄时，这一步骤并不那么重要，但我们想分享最近在全区域减薄均匀性方面的内部改进。 事实证明，使用压力范围为 0.05 MPa – 0.20 MPa 的富士胶片 Prescale 测量胶片有利于提高样品和抛光垫之间的平行度。该过程包括将压敏胶片放在抛光垫上，然后将样品浸到胶片上。胶片产生的彩色图案指示压力分布，从而可以精确调整样品支架。重复此过程，直到实现均匀分布的彩色图案，确保最佳平行度。图 2 展示了指导调整过程的结果彩色图案。
STM 设计和仪器的进步
扫描隧道显微镜和相关扫描技术在理解表面结构方面取得了显著进展。这一进展主要得益于仪器设计和操作可靠性的改进。几年前，实验人员自豪地展示了他们的仪器在各种环境下的原子分辨率能力，例如空气、惰性气体、液体、超高真空 (UHV) 和低温。今天，扫描隧道显微镜被设计成在极端条件下工作，例如在尽可能低的背景压力、尽可能低的温度和尽可能高的磁场下。例如，Fein 等人 [1] 设计了一种 STM，其工作温度低至 400 mK，磁场强度高达 8 特斯拉。在作者的实验室中，已经建造了一个兼容 UHV 的 STM，其工作压力范围为 10-12 mbar（图 1）。 STM 与其他显微镜或分析技术的结合也已实现，包括 STM 与光学、电子和场离子显微镜以及几乎所有已知的常规表面分析技术的结合。最后，通过改变探针和
新型1,3-二乙酰芘同质异形体的结构和光谱性质随温度和压力的变化
从熔体中获得了 1,3-二乙酰芘的一种新同质异形体，并使用单晶 X 射线衍射、稳态紫外可见光谱和周期性密度泛函理论计算对其进行了彻底表征。实验研究涵盖的温度范围从 90 至 390 K，压力范围从大气压至 4.08 GPa。根据我们之前提出的方法，在金刚石压砧中对样品进行最佳放置，可确保单斜样品在 0.8 A ˚ 以下的数据覆盖率超过 80%。高压晶体结构的无约束 Hirshfeld 原子细化成功，并且观察到羰基氧原子的非谐波行为。与之前表征的多晶型物不同，2 AP- 的结构基于反向平行 2 AP 分子的无限 -堆叠。2 AP- 表现出压电变色和压电氟变色，它们与 -堆叠内的晶面间距离变化直接相关。弱分子间相互作用的重要性体现在 C—HO 相互作用方向的负热膨胀系数高达 55.8 (57) MK 1。
无硅 ScAlN pMUT - A*OAR
摘要 — 本研究介绍了一种有前途的微加工技术，该技术采用无硅 (SON) 工艺在深度为 1 μ m 的真空腔上形成厚度为 2 μ m 的连续单晶硅膜。利用 SON 工艺，已在 8 英寸硅晶片上展示了高填充因子压电微机械超声换能器 (pMUT) 阵列，腔体宽度范围从 170 μ m 到 38 μ m。器件采用 15% 钪掺杂氮化铝作为 pMUT 的压电层，适用于空气耦合和水耦合应用。空气耦合 pMUT 的峰值位移频率为 0.8 至 1.6 MHz，Q 因子在 120 至 194 之间。水耦合 pMUT 阵列显示，在距离 20 毫米的 DI 水中，针式水听器测量的传输压力范围为 0.4 至 6.9 kPa/V，峰值频率在 5 至 13.4 MHz 之间，分数带宽为 56% 至 36%。本文提出的压电 SON 工艺有可能在低成本、高产量 pMUT 制造中获得关注。
韦尔半金属中网络拓扑界面的量子振荡
层状过渡金属硫族化物是电子 Weyl 节点和拓扑超导的有希望的宿主。MoTe 2 是一个引人注目的例子，它同时包含非中心对称 T d 和中心对称 T ' 相，这两种相都被认为是拓扑上非平凡的。施加的压力会将这些相分离的结构转变调整到零温度，从而稳定混合的 T d – T ' 矩阵，该矩阵包含两个非平凡拓扑相之间的界面网络。本文中，我们表明，这一临界压力范围以不同的相干量子振荡为特征，表明拓扑非平凡 T d 和 T ' 相之间的拓扑差异产生了一种新兴的电子结构：拓扑界面网络。拓扑非平凡电子结构和锁定变换势垒的罕见组合导致了这种违反直觉的情况，其中可以在结构不均匀的材料中观察到量子振荡。这些结果进一步开启了稳定多种拓扑相与超导共存的可能性。