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World File Search System厚度变化
使用THZ超材料生物传感器对皮肤癌的早期检测和定量分析
Terahertz成像为早期发现皮肤癌提供了巨大的潜力。这项研究引入了一种超物质单位细胞，该单元旨在在Terahertz（THZ）带中进行非侵入性接触性皮肤癌检测。传感器仅依赖于反射系数响应，从而在不需要复杂的信号处理的情况下对组织性质的细微变化提供了高度的敏感性。这种简单性可能会导致早期癌症检测的经济高效且直接实施。使用代表各种皮肤类型的3D模型进行模拟，包括正常皮肤，基底细胞癌（BCC）和黑色素瘤。使用双Debye模型确定样品的介电特性。模拟表明，超材料设计以1.15 THz的特定频率表现出双负材料特性。在皮肤接触和检测恶性肿瘤后，反射系数显示出向较低频率的转移。值得注意的是，黑色素瘤样品表现出最显着的转移，表明与BCC相比，癌症形式更严重。此外，观察到正常皮肤和恶性皮肤之间的共振频率的差异随样品的厚度增加。传感器在检测癌症厚度方面表现出很高的灵敏度，对于基底细胞癌（BCC）的灵敏度为9.25 GHz/µm，黑色素瘤的灵敏度为10.2 GHz/µm。这些发现强调了传感器在最早阶段检测皮肤癌的能力，无论其严重程度如何。此外，线性回归分析表明，BCC和黑色素瘤的共振频率与癌症厚度变化之间存在牢固的相关性，R2值分别为0.9948和0.9947。
通过冰片包埋水凝胶局部治疗酪氨酸激酶 2 抑制剂：对牛皮癣的预防、治疗和复发管理的评估
银屑病是一种免疫介导的炎症性皮肤病，其特征是慢性复发-缓解过程，目前主要通过局部疗法进行治疗。虽然口服酪氨酸激酶 2 抑制剂 (TYK2i) 是治疗银屑病的有效方法，但局部应用 TYK2i 的潜在疗效仍未得到探索。本文将卡波姆/海藻酸水凝胶与冰片 (BO) 一起包埋作为 TYK2i 的新型局部载体，以增强透皮渗透性和抗银屑病功效。表型图像、银屑病严重程度评分指数 (PSI)、组织学、免疫组织化学染色和 PCR 分析证实，水凝胶系统 TYK2i-BO-gel 在小鼠银屑病样皮炎模型中表现出显著改善的预防和治疗效果。值得注意的是，TYK2i-BO-gel 的效果优于传统的外用皮质类固醇疗法，可显著预防银屑病病变复发，衡量标准是耳朵厚度变化 (p < 0.0001)、PSI (p < 0.0001) 和表皮厚度 (p < 0.05) 减少了近 50%。此外，在人体皮肤外植体模型中也观察到 TYK2i-BO-gel 引起的增强的抗炎作用，这意味着它对人类患者有潜在的应用价值。加入 BO 后，TYK2i-BO-gel 不仅可以增加皮肤渗透性，还可以抑制角质形成细胞中抗菌肽的表达，并通过抑制 STAT3 的激活来促进 TYK2i 的抗 Th17 反应。因此，这项研究代表了 TYK2i-BO-水凝胶作为一种新的抗银屑病管理外用制剂的可及性和有效性，并显示出巨大的临床应用潜力。
智能和...
在儿童期发现智力和认知能力的神经相关性在许多方面可能很重要，例如预测和理解教育能力或对患者进行临床评估。即使当代实质性研究已经建立了大脑结构与一般智力之间的关系，对舌旋及其与智商的联系知之甚少。在本文中进行了研究（1）左右舌旋转的皮质厚度是否与儿童不同水平的智商相关，并且（2）如果位于舌旋流中的皮质厚度变化速率与性能IQ（PIQ）的性能变化有关。神经影像学数据源自Solé-Casals及其同事（2019年）的研究以及Suárez-Pellicioni及其同事（2019）的研究中的数据集。从OpenNeuro brain Imaging数据库下载了两个数据集。的29岁男孩的神经影像学指标用于检验以下假设：较高的智商与舌旋的较薄的皮质厚度有关。二十一个女孩和15岁以下的15岁男孩的神经影像学指标用于检查皮质厚度的变化率是否与性能智商的变化有关。结果表明，高智商与十二岁的皮质厚度有关。进一步的结果表明，舌旋中皮质的变薄速率与性能智商的变化相关。关键字：智商，皮质厚度，舌旋，生物标志物本文增加了越来越多的证据，即区域皮质厚度和皮质厚度的变化是智力的相关生物标志物。可能需要使用较大样本量和纵向设计的未来研究，并需要其他时间点才能确认本文的结果。
0004-282X20160028.pdf - Thieme Connect
多发性硬化症 (MS) 是一种影响中枢神经系统 (CNS) 的慢性炎症性脱髓鞘疾病，大多数患者的特点是复发缓和型病程。在过去的二十年里，越来越多获批的 MS 药物显示出对临床复发和与 CNS 炎症活动相关的磁共振成像 (MRI) 病变的疗效。尽管 MS 治疗对进行性疾病过程的效果有限 1 ，但这可能不仅仅与疾病复发随时间的积累所造成的损害有关 2 。在疾病的早期阶段就已经可以观察到轴突丢失 3 ，这表明神经退行性机制可能在长期残疾中发挥作用。通过 MRI 扫描测量的脑萎缩可能是一种量化神经元和轴突丢失的非侵入性工具。 4 有趣的是，在首次发生临床事件的患者和高度提示 MS 的放射学孤立综合征病例中已经可以看到脑容量的减少 5 。脑萎缩还与认知能力下降和残疾进展有关 3 ，并可能预测从临床孤立综合征转变为确诊的 MS 6 。在本期 Arquivos de Neuropsiquiatria 中，Rojas 等人 7 回顾了脑萎缩在临床实践中的影响。用于测量脑萎缩的神经影像学技术包括自动和半自动方法（横向和纵向），具有一定的可重复性。在用于估计脑容量损失的几种 MRI 技术中，有几种可用的横断面和纵向方法（例如脑实质分数 - BPF、使用萎缩标准化的结构图像评估 - SIENA、Freesurfer、基于体素的形态测量和脑边界移位积分）。BPF 和 SIENA 是最常用的。 3 然而，这些方法在日常实践中应用时可能会产生一些技术困难。几年前，Figueira 等人 8 提出了胼胝体指数，这是一种与 BPF 相关的形态测量参数，可以潜在地区分复发缓解型和进行性 MS。然而，考虑到可能导致脑容量减少的混杂因素，如假性萎缩现象、也可能导致脑萎缩的伴随疾病（如心血管危险因素、中风）以及缺乏考虑到临床实践中常见的其他因素的标准参数 3 ，应在大量 MS 人群中验证所提出方法的可重复性及其应用。尽管如此，将其中一些研究转化为临床实践可能只是时间和资源分配的问题。Rojas 等人 7 还讨论了与整体或节段性脑容量减少相关的残疾进展和认知障碍。整体灰质体积减少与运动障碍的进展相关，而灰质和白质损失都与认知障碍有关 3 。此外，Steenwijk 等人 9 最近发现，多发性硬化症中的脑萎缩以非随机方式发生，并描述了与认知功能障碍相关的不同解剖模式。以扩展残疾状态量表 (EDSS) 评分衡量的身体功能障碍与双侧感觉运动皮质和双侧岛叶的皮质厚度变化相关，而认知与双侧后扣带皮质和双侧颞极的皮质萎缩相关。在另一项研究中，Damasceno 等人 10 评估了 42 名接受治疗且未达到疾病活动证据 (NEDA) 9 状态的复发缓解型多发性硬化症患者的功能测试、认知和脑萎缩情况，
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）