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金属间化合物Zr5al4
使用ARC熔化方法合成多晶Zr 5 Al 4。粉末X射线衍射证实了具有晶格参数的Ti 5 Ga 4型（P6 3 /MCM）的先前报道的晶体结构：A = 8.4312（6）Å，C = 5.7752（8）Å。电阻率和低温磁化率研究表明，Zr 5 Al 4在2 K以下表现出超导行为。归一化的热容量在t c = 1.82 K，ΔC/γtc = 1.41时，证实了散装超导性。Sommerfeld系数γ= 29.4 MJ mol -1 K -2和Debye温度d = 347 K，通过拟合低温热容量数据获得。电子偶联强度λEL-PH = 0.48，并且估计的上部临界场μ0H C2（0）= 1.09 t（脏极限）表明Zr 5 Al 4是弱耦合的II型超导体。第一原理计算显示费米能量附近的Van Hove奇异性存在。
晶间应力腐蚀破裂
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单个鉴赏原子和几个通过硅杂原子固定在石墨烯
我们首次提出了原子中单个单一的自我组装，在簇中（2-6个原子）及其同时的室温稳定稳定锚定在graplene烯中的单个替代si popant上[1]。由于只有少数原子组成的单个原子和原子簇具有不同的物理和化学特性[2，3]，因此这些原子结构在固体载体上具有很高的关注，目前吸引了从催化到纳米乳糖的区域中潜在应用的高度关注[4,5]。途径的受控制造和稳定位置仍然很少。在这里，使用定制的制剂室（基本压力〜10 -9 MBAR）将凹入蒸发到悬浮的单层石墨烯（本质上包括一小部分替代的Si杂原子）中，直接耦合到原子分辨率扫描扫描传输透射电子显微镜（STEM）[6]。
使用流体控制和磁力控制开发磁分离设备
核技术系应用工程，福岛技术学院Mishima Fumito 3-6-1 Gakuen，福岛市，910-8505电子邮件：f-mishim@fukui-ut.ac.jp
二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
理论原子电子学博士职位
新兴的原子电子学领域研究基于原子玻色-爱因斯坦凝聚态 (BEC) 的系统与电子设备和电路之间的相似性。当前项目涵盖在各种外部驱动条件下捕获的单组分和多组分原子 BEC 的理论研究。它将重点研究相干耦合凝聚态中的量子传输和涡旋动力学。该项目旨在（但不限于）开发用于未来计量应用的原子电子器件。
CAFS-A 铯原子频率标准...
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