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通过外延控制锰氧化物薄膜中的金属到绝缘体的转变和磁性
通过外延应变制备锰氧化物薄膜 Dong Li 1† 、Bonan Zhu 2† 、Dirk Backes 3 、Larissa SI Veiga 3 、Tien-Lin Lee 3 、Hongguang Wang 4 、Qian He 5 、Pinku Roy 6,7 、Jiaye Zhang 8 、Jueli Shi 8 、Aiping Chen 6 、Peter A. van Aken 4 、Quanxi Jia 7 、Sarnjeet Dhesi 3 、David O. Scanlon 2,3 、Kelvin HL Zhang 8* 和 Weiwei Li 1* 1 南京航空航天大学物理学院，工业和信息化部空天信息材料与物理重点实验室，南京 211106，中国 2 伦敦大学学院化学系，伦敦 WC1H 0AJ，英国 3 Diamond Light Source Ltd.，哈威尔科学与创新园区，迪德科特，牛津郡 OX11 0DE，英国 4 马克斯普朗克固体研究所，Heisenbergstr. 1, 70569，斯图加特，德国 5 新加坡国立大学材料科学与工程系，新加坡，117575，新加坡 6 综合纳米技术中心 (CINT)，洛斯阿拉莫斯国家实验室，洛斯阿拉莫斯，新墨西哥州 87545，美国 7 纽约州立大学布法罗分校材料设计与创新系，纽约州布法罗 14260，美国 8 厦门大学化工学院，固体表面物理化学国家重点实验室，能源材料化学协同创新中心，厦门 361005，中国 电子邮件：kelvinzhang@xmu.edu.cn，wl337@nuaa.edu.cn † 这些作者对这项工作做出了同等贡献