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World File Search System参数故障
发射二极管和LED产品的终生测试的文献摘要
当前使用的大多数终身测试方法标准都仅考虑参数故障；那就是LED产品的光输出维护。重要的是，测试和预测仅基于系统中LED包的测量。即使考虑了整个系统，研究表明，应用中的照明产品可能会在参数或灾难性上失败。文献表明LED系统寿命取决于应用环境和使用模式。一起，这些条件会导致高LED连接温度（降低了芯片周围的组件，并导致参数衰竭）和互连处的热应力（这导致连接断裂并导致灾难性故障）。因此，为了准确估计LED照明系统的寿命，测试方法和实验设置必须具有改变环境条件和开关开关模式的能力。
年度报告2023
林博士被提升为副教授。Lisa Rein被提升为生物统计学家III。Bi Qing（Michelle）Teng被提升为生物统计学II。詹妮弗·沃德（Jennifer Ward）被提升为研究计划协调员III。drs。Kim和Martens去年获得了出色的研究生教育家奖。drs。Sparapani，Laud和Logan是2023年ISBA Biostats和Pharma Best Paper Award的获奖者，标题为“非参数故障时间：与Heteroskedastic Bayesian添加性回归树和低信息填omnibus dirichlet Process Mixtures”的赛事机器学习，发表在Biometrics中。Ulrich Kemmo tsafack获得了低音（生物制药应用统计研讨会）学生旅行奖，并介绍了用于整合多族和多学生数据的荟萃分析基因聚类算法的海报。彼得·张（Peter Zhang）在7月的全国MD-PHD学生会议上发布了一张海报。XI Fang获得了2023年韩国国际统计协会杰出学生纸奖，并获得了美国统计协会终身数据科学科的学生纸奖。我们从生物统计学和数据科学MA计划中庆祝了我们的第一批毕业生。Logan博士被选为MCW研究卓越研究协会的新成员。 lin和Ahn因其项目的标题为“ FastQdesign：基于现实的FASTQ基于SCRNA-SEQ研究设计问题”的项目获得了CTSI Pilot-Berd方法论创新奖。 Sparapani博士Logan博士被选为MCW研究卓越研究协会的新成员。lin和Ahn因其项目的标题为“ FastQdesign：基于现实的FASTQ基于SCRNA-SEQ研究设计问题”的项目获得了CTSI Pilot-Berd方法论创新奖。Sparapani博士Sparapani博士获得了AHW赠款，标题为“通过ECG通过Veritas软件和混合学习来自动化心肌梗塞诊断”。 Jin博士获得了AHW赠款，标题为“ 3D染色质结构在乳腺癌内分泌耐药性中的作用”。 Banerjee博士获得了综合的伤害中心赠款，标题为“在影响伤害环境中风险预测（SHARP）的随机等级制算法”。博士。
在金属沉积过程中，MIM顶部金属剥离与过渡流相关的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，
对金属沉积过程中的MIM顶部金属剥离的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，Ron Herring，Richard Ducusin，Richard Ducusin，Jinhong Yang Yang和Joseph Chinn Qorvo，2300 Ne Brookwook Wookwwood，Ne Brookwood Parkway，Hillsboro，Hillsboro等503-615-9820关键字：MIM，过渡流，脱皮，溅射，金属，Knudsen编号，电容器泄漏相关测试失败的电容器摘要研究揭示了金属绝缘仪金属金属（MIM）顶部金属剥离和金属沉积工具之间的相关性。简介金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容是基于GAA的RF技术的重要组成部分1,2,3,4。MIM电容器由底部金属板，介电层和顶部金属板组成。MIM电容器的制造涉及多个过程步骤。互连金属零层通常用作MIM底板。在该金属下方或顶部的缺陷可能导致MIM电容器缺陷4。氮化硅或氧化物被广泛用作电容器介电层，并使用PECVD过程沉积。介电层厚度和粗糙度的变化直接影响电容器性能。蒸发或溅射的Ti/pt/au金属堆栈通常用作MIM顶部金属。由于MIM顶部金属通过层间介电VIA连接到下一个上部金属层，因此在MIM金属沉积过程中形成的缺陷也可能导致电容器和通过与通过相关的参数故障。由于MIM过程的复杂性，在过程中无法在串联检测到的缺陷可以在各种过程步骤中形成。过程取决于缺陷的性质和位置，过程控制监视器（PCM）和Diesort测试可以筛选出一些有缺陷的模具，但是除非使用更具破坏性的测试，否则可能无法检测到某些缺陷。MIM电容器的缺陷通过PCM和Diesort测试是一个可靠性的问题。手机制造商和RF设备制造公司的研究都表明，MIM电容器故障是许多早期现场故障的主要原因1,3,4。在Qorvo中，开发了一种电压斜坡方法来检测MIM电容器缺陷4。评估每个单个模具，并在低压区域4中筛选出缺陷的模具。通常需要改进过程来解决相关的测试失败。在本文中，我们讨论了迪索（Diesort）在迪索（Diesort）检测到的电容器泄漏故障的研究，该泄漏失败与MIM顶部金属剥离有关。