摘要:研究人员可以通过研究在现实环境中运动的人类来提高大脑研究的生态效度。最近的研究表明,双层脑电图可以提高步态过程中脑电皮层记录的保真度,但目前尚不清楚这些积极结果是否可以推广到非运动范式。在我们的研究中,我们在参与者打乒乓球时用双层脑电图记录大脑活动,乒乓球是一项全身反应性运动,可以帮助研究视觉运动反馈、物体拦截和表现监控。我们用时频分析和相关头皮和参考噪声数据来表征伪影,以确定不同传感器捕获伪影的效果。正如预期的那样,单个头皮通道与噪声匹配通道时间序列的相关性高于与头部和身体加速度的相关性。然后,我们比较了使用和不使用双层噪声电极的伪影去除方法。独立成分分析将通道分成多个成分,我们根据偶极子模型的拟合并使用自动标记算法来计算高质量大脑成分的数量。我们发现使用噪声电极进行数据处理可以提供更清晰的大脑成分。这些结果推动了记录需要全身运动的人类行为中高保真大脑动态的技术方法,这将对脑科学研究大有裨益。
†sunhlei@mail.sysu.edu.cn; •zengqs@hpstar.ac.cn; §wangmeng5@mail.sysu.edu.cn摘要:在高压下镍镍的Ruddlesden-Popper阶段的超导性识别仍然具有挑战性。在这里,我们报告了对LA 3 Ni 2 O 7的单晶晶体结构,抗性和Meissner效应的全面研究,其静水压力最高为104 GPa。X射线衍射测量结果揭示了从40 GPA高于40 GPA的四方相的结构过渡。在18.0 GPa时,最大发作T C发作为83 K,实现了超导性的零电阻。超导性逐渐被抑制,直到它消失在80 GPA以上,从而导致右三角形的超导区域。在压力下,直接电流磁化率技术成功地检测到了LA 3 Ni 2 O 7中的Meissner效应;估计在22.0 GPA时,最大超导体积分数估计为62.7%。因此,我们证明了双层镍3 ni 2 O 7在高压下的单晶中超导性的庞大性质。结果揭示了LA 3 Ni 2 O 7中超导性,氧含量和结构之间的紧密联系。
摘要 在过去的 10-20 年里,集成电路 (IC) 的发展发生了重大转变,传统的光刻方法在更先进节点的开发时间急剧增加,而要实现与以前相同的性能提升,成本也成倍增加。成本的增加和光刻技术的进步导致人们开始研究先进的封装技术,通过改变 IC 设计方法来实现相同的性能提升。未来先进封装技术将以更低的成本提高性能,人们将 IC 视为一个相互交织工作的组件系统,而不是单个组件。这种思维转变导致了系统级封装 (SiP)、堆叠封装 (PoP) 和扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 等技术的出现。在实现上述技术方面发挥关键作用的一项先进封装技术是临时键合和脱键合 (TB/DB)。 TB/DB 在先进封装中发挥的关键作用在于,通过使用支撑载体晶圆,可以实现晶圆减薄、晶圆凸块、芯片堆叠和化学气相沉积/物理气相沉积 (CVD/PVD) 型工艺等背面处理。支撑载体晶圆还可以减少整个晶圆堆叠的整体翘曲,从而允许使用易翘曲的材料,例如环氧模塑料 (EMC),这在 FOWLP 应用中至关重要。要使用支撑载体晶圆,需要一种坚固的材料解决方案,以便将晶圆粘合在一起,然后在背面处理后通过热滑动、机械或激光脱粘等主要分离方法之一将其释放。Brewer Science 设计并开发了一种双层临时粘合系统。该系统由两种材料组成,一种是通常涂在设备上的热塑性层,另一种是通常涂在载体上的热固性层。为双层系统开发的材料在极高温度应用、EMC 晶圆处理和设备减薄至 20 µm 以下方面表现出色。在本文中,我们将总结它们的功能,并介绍如何通过材料设计来调整两个临时层之间的粘合力。我们还将介绍热固性层的一个新功能,该功能可以进行图案化,从而允许将图案化粘合材料用于 TB/DB 型应用。关键词临时晶圆粘合、双层系统、光图案化、热塑性材料和热固性材料
分数匹配 (SM) [ 24 ] 通过避免计算配分函数,为学习基于能量的模型 (EBM) 提供了一种引人注目的方法。然而,除了一些特殊情况外,学习基于能量的潜变量模型 (EBLVM) 仍然有很大空间。本文提出了一种双层分数匹配 (BiSM) 方法,通过将 SM 重新表述为双层优化问题来学习具有一般结构的 EBLVM。较高级别引入潜变量的变分后验并优化修改的 SM 目标,较低级别优化变分后验以拟合真实后验。为了有效地解决 BiSM,我们开发了一种带有梯度展开的随机优化算法。从理论上讲,我们分析了 BiSM 的一致性和随机算法的收敛性。从实证上,我们展示了 BiSM 在高斯限制玻尔兹曼机和由深度卷积神经网络参数化的高度非结构化 EBLVM 中的前景。当适用时,BiSM 与广泛采用的对比散度和 SM 方法相当;并且可以学习具有难以处理的后验的复杂 EBLVM 来生成自然图像。
摘要本研究提出了一个双层框架,通过最大程度地降低系统的运行成本来满足日常需求并最大程度地利用存储单位的所有者的利益,从而获得了电源系统中电能存储(EES)单位的最佳能源管理。两个代理被认为由电力系统运营商和EES单位的所有者组成。前者试图在提供系统负载时确定系统的最低操作成本,而后者则寻求提供最大的利润。电力系统操作员可以选择由热电器工厂或存储单元提供能源。所提出的双层模型为外部级别的EES所有者和内部电源系统运算符提供了最佳的操作策略。换句话说,电力系统运营商的决策在引入的BI级框架中明确考虑EES所有者的最佳费用/放电计划。引入的BI级方法应用于IEEE RTS 24-BUS网络,以评估模型的性能。
利用 5G 延迟优势实现的 VCSEL 应用部署可以通过使用商业化技术来遵循行业发展时钟速度而受益。[1] 根据功率输出,VCSEL 器件可以根据沉积材料厚度和结构进行大致分类。[2] 本研究量化了与参考金属化膜铝最相关的双层结构特征,以便有效使用。它基于这些发现探索了成功使用常见金属氧化物绝缘体 (SiO 2 / Al 2 O 3 ) 双层处理所需的多元优化,各向同性溅射沉积厚度为 100nm 至 250nm。提出了一个表征关键变量的模型。此外,它还介绍了一种新的高温双层工艺,使用负像抗蚀剂,能够在高温绝缘体沉积期间保持稳定性。本研究确定了制造成功双层的尺寸目标,用于溅射绝缘体,适用于工艺优化,以促进不断发展的 III-V 应用。介绍
2,其中内层相互作用是排斥的,并且层间相互作用很有吸引力。我们在圆环上进行精确的对角度(ED)计算,以研究分离距离d / l b时的相变。d c / l b = 0处的临界点。68的特征是变性和能量水平的交叉。在D / L B 成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。时相关。成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。我们发现了由结合对组成的激子条带相。铁磁基态被强大有效的有吸引力的潜力破坏。电子复合 - fermion(ECF)和一个孔复合费用(HCF)紧密结合。在D / L B> D C / L B区域中,观察到从D→D C极限到大D极限的交叉。电子和孔复合液体(CFL)分别通过相对的相对的复合材料(CF)实现。
摘要:3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者,因其高计算效率而备受关注,其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中,急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文,我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压(CV)存储窗口为6.6 V,是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外,在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压(GV)峰,进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外,采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ,表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后,存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下,编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器,为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
摘要:二维材料有望在下一代电子和光电设备中发挥重要作用。最近,由于其独特的物理特性和潜在的应用,扭曲的双层石墨烯和过渡金属二核苷引起了极大的关注。在这项研究中,我们描述了光学显微镜的使用来收集二硫化钼(MOS 2)的化学蒸气沉积(CVD)的色彩空间,并应用了语义分割卷积神经网络(CNN)的应用,以准确且快速地识别MOS 2 Flakes的厚度。第二个CNN模型经过训练,以在CVD生长的双层薄片的扭曲角度提供精确的预测。该模型利用了一个数据集,该数据集包含10,000多个合成图像,其中包括从六角形到三角形形状的几何形状。通过第二次谐波产生和拉曼光谱执行了对扭曲角度深度学习预测的后续验证。我们的结果引入了一种可扩展的方法,用于自动检查扭曲的原子薄的CVD生长双层。关键字:扭曲角度,过渡金属二核苷(TMD),深度学习,OpenCV,拉曼
进入21世纪以来,我国发展迅速,电动汽车作为汽油车的替代逐渐进入大众的视野。目前,电动汽车换电问题正成为制约其发展的主要因素,新能源的合理开发与研究成为当务之急。微电网成为符合要求的合理产品。然而,微电网系统并非十全十美,如今的换电站集充放电储能功能于一体,与微电网互动形成能量交换。然而,如今的微电网系统面临能源供需关系紧张、负荷不稳定等问题。如何协调微电网与电动汽车换电站两个运营主体的良好互动,保证各自的利益,最终实现节能减排,利于社会发展的目标具有很强的现实意义。本文对电动汽车换电站与孤立微电网的经济调度策略进行研究。建立基于双层优化理论的经济调度模型,将换流站与孤立微电网作为两个独立的实体;基于多目标优化理论将两者整合为一个系统,研究孤立微电网的经济效益。