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World File Search System双层
双层镍的两轨模型的磁相图，具有变化的掺杂
是由最近发现的高t c双层镍超导体LA 3 ni 2 O 7的动机，我们通过使用Lanczos方法对不同的电子密度n进行了全面研究BiLayer 2×2×2群集。我们还采用随机相近似来量化第一个磁不稳定性，而哈伯德耦合强度的提高也有所不同。基于自旋结构因子s（q），我们在固定的hund耦合下定义的平面中获得了丰富的磁相图，其中u是Hubbard的强度和W带宽。我们观察到许多状态，例如A-AFM，条纹，G-AFM和C-AFM。在半填充，n = 2（每个Ni位点，对应于n = 16个电子）时，规范的近方交互作用导致具有抗firomagnetic Couplings的稳健的G-AFM状态（π，π，π，π），均带有内在的层和层之间。通过增加或降低电子密度，从“半空”和“半满”机制中出现铁磁趋势，从而导致许多其他有趣的磁趋势。另外，与半完成相比，在孔或电子掺杂区域中，自旋旋转相关性在较弱。n = 1。5（或n = 12），密度对应于La 3 Ni 2 O 7，我们获得了“条纹2”基态（抗铁磁耦合在一个平面方向上，另一个面积为非磁磁耦合，另一个耦合的铁磁耦合，沿Z AxiS沿2×2×2×2 Cluster沿Z AxiS沿Z Axiis沿Z AxiS）。另外，我们获得了沿Z轴的AFM耦合要比XY平面中的磁耦合要强得多。此外，具有q /π=（0。< /div>的状态6，0。随机相近似的计算具有不同的n的结果，即使这两种技术都是基于完全不同的程序，但n的结果与兰斯佐斯的结果非常相似。6，1）在我们的RPA计算中发现了靠近电子期波形，通过将填充略微降低到n = 1，可以找到。25，可能负责在实验中观察到的电子期SDW。我们的预测可以通过化学掺杂LA 3 Ni 2 O 7来测试。
在三碘铬的扭曲双重双层中电气可调式磁力
moiré超晶格可用于控制材料的电子特性，并可以导致新兴的相关和拓扑现象。非连续性状态和域结构，但对磁性行为的有效操纵仍然具有挑战性。在这里，我们报告了扭曲的双重双层中的电气可调式磁力，即双层和在它们之间有扭曲角的双层 - 分层抗fiferromagnet铬三碘化物。使用磁光kerr效应显微镜，我们观察到具有非零净磁化的抗铁磁和铁磁阶的共存，这是Moiré磁性的标志。这样的磁态延伸到各种扭曲角度（在0°和20°以上的跃迁），并表现出非单调温度依赖性。我们还展示了电压辅助的磁切换。通过模拟的Moiré磁性相图支持了观察到的非平凡磁状态以及通过扭角，温度和电控进行控制。
基于双层CMOS SPAD阵列的无线电池供电探针，用于带电粒子传感
摘要：设计并测试了带电粒子成像的紧凑型探针，并在源活动映射和无线电指导手术中进行了潜在应用。这项技术的开发对医学成像具有显着影响，为医疗保健专业人员提供了准确且有效的诊断和治疗工具。为了满足这些应用程序的可移植性要求，该探针设计用于电池操作和与PC的无线通信。核心传感器是一种双层CMOS SPAD检测器，使用150 nm技术制造，该技术使用重叠的单元格产生巧合信号并降低了深度计数速率（DCR）。传感器与微控制器进行管理和连接，并开发了自定义公司以促进与传感器的通信。通过用DCR来表征板上SPAD检测器的性能，结果与使用故意开发的台式设置在同一芯片样品上进行的表征测量结果一致。
控制双层石墨烯Moiré超级晶格中的umklapp散射
摘要：我们提出了有关电子 - 电子散射的实验发现，其中具有可调的费米波载体，相互晶格矢量和带隙。我们在双层石墨烯（BLG）和HBN的高弹性对齐异质结构中实现这一目标。在半满点附近，对这些设备的电阻的主要贡献是由Umklapp Electron-电子（UEE）散射产生的，这使得石墨烯/HBN Moire ́设备的电阻明显大于非对齐的设备的电阻（在此处禁止UEE）。我们发现，UEE散射的强度遵循Fermi能量的通用缩放，并且在非单声道上取决于超晶格时期。UEE散射可以用电场调节，并受BLG层极化的影响。它具有强粒子 - 孔不对称；当化学电位在传导带中的电阻明显低于在价带中的电阻，这使得电子方案在潜在应用中更实用。关键字：Umklapp散射，双层石墨烯，Moire ́超晶格，层极化，棕色 - Zak振荡
适用于太阳能、风能和地热可再生能源微电网的双层多能源管理系统
高渗透可再生能源固有的间歇性对微电网能源管理提出了经济性和可靠性问题。本研究提出了一种用于高可再生多能源微电网 (MEM) 的两层预测能源管理系统 (PEMS)。在该 MEM 中，地热、太阳能和风能被转换和调节为电力、热能和天然气供应，其中基于电解热电化学效应充分利用了多能源互补性。由于可再生能源 (RES) 的能量耦合越来越紧密，且存在不确定性，因此提出的微电网多能源管理是一个复杂而繁琐的问题。因此，这个棘手的问题可以通过具有不同时间尺度的两层 PEMS 来处理，其中上层最小化系统运行成本，下层应对可再生能源波动。对高可再生 MEM 进行了模拟研究，以表明其有效性和优于单一时间尺度方案。模拟结果表明，采用高可再生能源适应性可降低 22.2% 的运营成本。
通过Alo X盖限制了双层Mose 2场效应晶体的电流密度和接触电阻
摘要：对未来电子应用的原子较薄的半导体对单层（1L）硫属（例如MOS 2）（例如化学蒸气沉积（CVD）生长）非常关注。然而，关于CVD生长的硒的电性能，尤其是Mose 2的报告很少。在这里，我们比较了CVD生长的1L和BiLayer（2L）Mose 2的电性能，并由子材料计的ALO X封顶。与1L通道相比，2L通道表现出约20倍较低的接触电阻（R C）和〜30倍的电流密度。r c通过ALO X封盖进一步降低> 5×，这可以提高晶体管电流密度。总体而言，2L ALO X盖的Mose 2晶体管（约500 nm的通道长度）可提高电流密度（在V DS = 4 V时约为65μM /μm），良好的I ON / I ON / I ON / I ON / I OFF> 10 6，R C为约60kΩ·μm。 1L设备的性能较弱是由于它们对处理和环境的敏感性。我们的结果表明，在不需要直接带隙的应用中，2L（或几层）比1L更可取，这是对未来二维电子产品的关键发现。关键字：丙象钼，单层，双层，接触电阻，晶状体效应晶体管，氧化物封盖，掺杂，2D半导体
CVD Bernal 堆叠双层石墨烯中的可调 1/f 噪声...
摘要：低频噪声是几乎所有电子系统中限制性能的关键因素。凭借其极高的电子迁移率等优异特性，石墨烯在未来的低噪声电子应用方面具有很高的潜力。本文，我们对基于化学气相沉积 Bernal 堆叠双层石墨烯的双栅极石墨烯晶体管中的低频噪声进行了实验分析。制备的双栅极双层石墨烯晶体管分别采用原子层沉积的 Al 2 O 3 和 HfSiO 作为顶栅极和背栅极电介质。结果揭示了明显的 M 形栅极相关噪声行为，可以用定量电荷噪声模型很好地描述。在室温下，10 Hz 下的最小面积归一化噪声谱密度低至约 3 × 10 − 10 μ m 2 · Hz − 1，远低于之前报道的石墨烯器件的最佳结果。此外，在 20 K 温度下，观察到的噪声水平进一步降低了 10 倍以上。同时，噪声谱密度幅度可以在 20 K 时通过双栅极电压调整超过 2 个数量级。关键词：Bernal 堆叠双层石墨烯，双栅极晶体管，1/f 噪声，电荷噪声模型，低温■引言
在静水压力下的扭曲双层石墨烯中的列型与kekulé相位
简介 - 当两个石墨烯层用相对扭曲角θ相互旋转时，扭曲的双层石墨烯（TBG）形成。在一组相称的角度θI[1]下，该系统构成了一个完美的结构结构（“ Moir´e lattice”），其中Bloch的定理适用。此外，对于所谓的“魔术角”，已经预测了靠近电荷中性点附近的扁平频率的消失的费米速度[2,3]。第一个魔术角被发现为θ〜1。05°[4]。 在2018年，TBG围绕第一个魔术角进行了调整，显示出隔热阶段[5]靠近圆顶圆顶阶段[6]旁边的Holelike Moir´e Minibands的半填充[5]，类似于Cuprates [7]中发生的情况[7]。 是，已经预测和观察到了相关的阶段，例如异常的霍尔·弗罗曼德主义[8,9]和量子霍尔效应[10,11]，并且与非琐事Chern数字[12-14]有关。 观察到的超导性（SC）通常归因于存在产生破碎对称性状态[15-18]和奇怪金属行为的电子配对机制，[19-22]，但也讨论了电子 - phonon配对[23,24]。 在扭曲的N层石墨烯中进一步观察到相似的相关效应和鲁棒SC，以2≤n≤5[25]。 值得注意的是，在n> 2的情况下，Pauli限制违反了约3倍的限制[25-28]，这加强了这些分层系统中的SC确实是非常规的观念[29 - 32]。 这可以05°[4]。在2018年，TBG围绕第一个魔术角进行了调整，显示出隔热阶段[5]靠近圆顶圆顶阶段[6]旁边的Holelike Moir´e Minibands的半填充[5]，类似于Cuprates [7]中发生的情况[7]。是，已经预测和观察到了相关的阶段，例如异常的霍尔·弗罗曼德主义[8,9]和量子霍尔效应[10,11]，并且与非琐事Chern数字[12-14]有关。观察到的超导性（SC）通常归因于存在产生破碎对称性状态[15-18]和奇怪金属行为的电子配对机制，[19-22]，但也讨论了电子 - phonon配对[23,24]。在扭曲的N层石墨烯中进一步观察到相似的相关效应和鲁棒SC，以2≤n≤5[25]。值得注意的是，在n> 2的情况下，Pauli限制违反了约3倍的限制[25-28]，这加强了这些分层系统中的SC确实是非常规的观念[29 - 32]。这可以由于电子系统以强耦合极限在强[33 - 41]中实现的出现的Uð4Þ对称性，因此很难解决不同对称性破坏模式之间的竞争。尽管与可以通过电掺杂的铜层相比，这些Moir´e系统似乎得到了很好的控制，但在精确的相图上仍然没有共识，这些相图应敏感地取决于周围的介电环境[21,42]。
测量扭曲双层中的声子分散和电子强调耦合
1浓缩物理系，魏兹曼科学研究所，rehovot 76100，以色列。2国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，日本305-0044。 3耶鲁大学纽黑文耶鲁大学物理系。 4 imdea纳米科学，法拉第9号，28049，西班牙马德里。 5 Donostia国际物理中心，Paseo Manuel deLardizábal4，20018 SanSebastián，西班牙。 6 Dahlem复杂量子系统中心和Fachbereich Physik，FreieUniversität柏林，14195柏林，德国。 †这些作者对这项工作也同样贡献。 *通信：shahal.ilani@weizmann.ac.il2国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，日本305-0044。3耶鲁大学纽黑文耶鲁大学物理系。4 imdea纳米科学，法拉第9号，28049，西班牙马德里。5 Donostia国际物理中心，Paseo Manuel deLardizábal4，20018 SanSebastián，西班牙。 6 Dahlem复杂量子系统中心和Fachbereich Physik，FreieUniversität柏林，14195柏林，德国。 †这些作者对这项工作也同样贡献。 *通信：shahal.ilani@weizmann.ac.il5 Donostia国际物理中心，Paseo Manuel deLardizábal4，20018 SanSebastián，西班牙。6 Dahlem复杂量子系统中心和Fachbereich Physik，FreieUniversität柏林，14195柏林，德国。 †这些作者对这项工作也同样贡献。 *通信：shahal.ilani@weizmann.ac.il6 Dahlem复杂量子系统中心和Fachbereich Physik，FreieUniversität柏林，14195柏林，德国。†这些作者对这项工作也同样贡献。*通信：shahal.ilani@weizmann.ac.il
电生理学和细胞生物学研究
膜片钳设备 ................................................................................................180 - 183 双层工作站 完整的双层工作站 ..............................................................................................184 双层工作站组件列表 ..............................................................................................185 双层钳放大器，BC-535 ......................................................................................186 - 187 法拉第笼，FC 系列 ......................................................................................................188 双层腔室和比色皿，BCH-M13 和 BCH-M22 .............................................................189 灌注模型 BCH-P 双层腔室 .............................................................................................190 BPS-2 和 LPF-8 双层灌注系统 .............................................................................191 LPF-8 贝塞尔滤波器 .............................................................................................................191 SUNStir-3（SUNStir 控制器、SUN-1 灯和 SPIN-2 搅拌板） ................................................................................................................192 - 193 RAC-14 仪器架................................................................................................194 BLM 入门套件 ......................................................................................................194 HST-1 MBB 头部载物台支架 ................................................................................194 BLM-TC Bilaye