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World File Search System双极主
在半导体杂体中观察四极和偶极激子
1 E. L. Ginzton Laboratory, Stanford University, Stanford, CA 94305, USA 2 SLAC National Accelerator Laboratory, Menlo Park, CA 94025 3 Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan 4 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki,日本Tsukuba 305-0044†这些作者同样为这项工作做出了贡献。*电子邮件：leoyu@stanford.edu **电子邮件：tony.heinz@stanford.edu van-der-waals（vdw）材料已经通过层组装开辟了许多通过层组装发现的途径，因为表现出电气可调节的亮度亮度，浓度和exciten contensect，cortensect，contensation and Exciten cortensation and ExciteN，contensation and ExciteNtion and ExciteNtion and ExciteN，并表现出。将层间激子扩展到更多的VDW层，因此提出了有关激子内部连贯性以及在多个接口处Moiré超级峰值之间的耦合的基本问题。在这里，通过组装成角度对准的WSE 2 /WS 2 /WSE 2杂体我们证明了四极激体的出现。我们通过从两个外层之间的相干孔隧道（在外部电场下的可调静态偶极矩）之间的相干孔隧穿来证实了激子的四极性性质，并降低了激子 - 外激体相互作用。在较高的激子密度下，我们还看到了相反对齐的偶极激子的相位标志，这与被诱人的偶性相互作用驱动的交错偶极相一致。我们的演示为发现三个VDW层及以后的新兴激子订购铺平了道路。
情绪稳定器
用于治疗躁狂发作的第一批药物是典型的抗精神病药。目前，他们继续使用并经常使用苯二氮卓类药物；在抑郁发作中，使用了抗抑郁药。 div>但是，这三个药物组（请参阅相应的章节）尚未显示出稳定双极患者在长期治疗中的情绪的功效，甚至会变得更糟。 div>为了获得“情绪稳定剂”的资格，药物必须具有某种有效性来治疗躁郁症，而不会加剧幽默或随着时间的流逝的一般稳定性。 div>这种能力不是“全部或全无”的现象，因为某些药物被认为稳定剂不是良好的抗抑郁药。 div>除了使用“情绪稳定剂”一词之外，一些作者认为，存在的药物可以治疗躁郁症的某些或几个或几个阶段，因此，可以将药物定向于躁狂极，主要是躁狂的极端，并“从上方”减轻躁狂症的症状，以减少躁狂症的症状和“从上方稳定”，以预防男性的复发和复发。 div>同样，降压极主要是定向药物，以“讨论”双极抑郁症和/或“要从下方进行双骨的症状”，以防止复发和抑郁度的度假胜地。 div>锂是情绪的第一个稳定剂，仍然被认为是抗抗病治疗的。 div>卡马西平和丙戊酸， div>但是，治疗所有双相情感障碍病例和/或不是所有患者都能忍受它没有用，因此可以证明需要将新的治疗剂纳入该疾病的治疗。 div>
双...
摘要一种未来的人造视网膜，可以恢复盲人的高敏度视力，将依靠能够使用自适应，双向和高分辨率设备来读（观察）和写入（观察）和写（控制）神经元的尖峰活动。尽管当前的研究重点是克服构建和植入这种设备的技术挑战，利用其能力来实现更急性的视觉感知也将需要实质性的计算进步。使用Ex Vivo多电极阵列实验室原型使用高密度的大规模记录和刺激，我们构成了一些主要的计算问题，并描述了当前的进度和未来解决方案的机会。首先，我们通过使用从大型实验数据集中学到的低维变异性变异性的低维歧管来确定盲视网膜自发活动的细胞类型和位置，然后有效地估计其视觉响应特性。第二，我们通过通过电极阵列传递电流模式来估计对大量相关电刺激的视网膜响应，尖峰对产生的记录进行排序，并使用结果来开发诱发响应的模型。第三，我们通过在视觉系统的整合时间内暂时抛弃各种电刺激的收集来重现给定的视觉目标的所需响应。一起，这些新颖的方法可能会在下一代设备中大大增强人造视力。
3 公司/公司 - 极 avenia
45-8 ENERGY 是一家法国公司，致力于勘探和生产对生态和能源转型至关重要的战略工业气体，例如氦气和天然氢。其方法侧重于短供应链，从而实现针对就近消费的人类规模的本地项目。这在欧洲是独一无二的！该行业的兴起得益于开创性的创新地质方法，该方法得到了与学术和工业合作伙伴合作进行的强大技术创新的支持。45-8 ENERGY 的活动最近得到了法国生态转型部的认可，该部将第一个项目命名为“绿色技术创新”，从而证明了这种方法对生态转型挑战的积极影响。它的几个研发项目也被 MATERALIA 和 AVENIA 竞争集群标记，证明了它们的技术相关性。
在λ-Polytopes的极端点和经典...
我们研究了最近定义的凸线结构的λ-聚型，并应用于通过采样的魔术状态对量子计算的经典模拟。对于每个数字n数字n，都有一个这样的多层。我们建立了{λN，n∈N}族的两个属性，即（i）所有n> m的极端点（顶点）Aα∈λM可用于在λN中构造顶点。（ii）对于通过此映射获得的顶点，具有魔术状态的量子计算的经典模拟可以根据i映射Aα有效地降低为经典模拟。此外，我们描述了λ2中的一个新的顶点，该顶点在已知的分类之外。虽然经典模拟的硬度对于λN的大多数极端点仍然是一个空的问题，但上述结果将量子计算的有效经典模拟扩展到了当前已知的范围之外。
双极等异丁氏二氧化物，用于非水对称氧化还原流量电池
Kaikai Zheng＃，Yu Tong＃，Shihao Zhang，Ruiying He，Lan Xiao，Zoya Iqbal，Yuhong Zhang，Jie Gao *，Lei Zhang *，Lei Zhang *和Yulin li *＃：作者对工作做出了同等贡献。K。Zheng，R。He，Y. yulinli@uma.pt S.中国杭州医学院人民医院电子邮件：K。Zheng，R。He，Y. yulinli@uma.pt S.中国杭州医学院人民医院电子邮件：
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：