图1个极化子跳跃在WO 3中诱导的双波段吸收。A在不同时间间隔的GalvanoStatic电荷插入后WO 3膜的原位光学透射率。b,在450 nm(表示可见范围)和1100 nm(代表NIR范围)的WO 3膜的电荷能力的函数。c,od光谱是波长的函数,以及北极理论的吸收系数的理论计算。理论曲线已分解为下两个面板中的两个偏振子峰。d,在电荷插入过程中在不同时间的WO 3(W 4 F峰)膜的XPS光谱。e,d中XPS光谱得出的相应的W值的比例。XPS光谱和其他电荷插入状态的比例可在图中看到S6。f,C(A 1,A 2;左侧尺度)的两个峰的振幅显示为LI插入时间的函数,并将其与位点饱和理论获得的跳跃效率(H.E;右手尺度)相比。H.E.通过45分钟XPS的插值在D下降到零,从而获得了15和30分钟的点。
– I2 发电资源(包括发电机端子)通过升压变压器的高压侧连接到 100 kV 或以上的电压:a) 单个总铭牌额定值大于 20 MVA。或者,b) 工厂/设施总铭牌额定值大于 75 MVA – I4 分散式发电资源,总容量大于 75 MVA(总铭牌额定值),并通过一个系统连接,该系统主要用于将这种容量输送到电压为 100 kV 或以上的公共连接点 o BES 定义中确定的黑启动资源,包含 I3 适用性部分未规定的排除
离子交换膜(IEM)通常由疏水聚合物基质和离子基组组成,可以根据移植到膜矩阵中的离子基团的类型分类为阴离子交换膜(AEM)和阳离子交换膜(CEMS)。cems用负电荷的组固定(–so 3 - ,–coo-等)进行阳离子但排斥阴离子,而AEM含有带正电荷的组(–NH 3 +,–NRH 2 +,–NR 2 H +,–NR 3 +,PR 3 +,–sr 2 +等。),允许阴离子的渗透,但延迟阳离子[1,2]。IEM的典型聚合物体系结构如图1.1a所示,而典型组如图1.1b所示[3]。根据离子基与聚合物基质的联系,IEM也可以归类为均质和异质膜。在均匀的膜中,带电的组化学键合膜基质,在异质膜中,它们与膜基质物理混合[4]。还有许多其他分类方法,总而言,我们提供了表1.1,列出了IEM的主要类别[5]。
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