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World File Search System双通道
pH7Q 双通道
急救 紧急情况下，请致电毒物控制中心或医生寻求治疗建议。致电毒物控制中心或医生，或前往治疗时，请携带产品容器或标签。 如进入眼睛：睁开眼睛，用水缓慢轻轻冲洗 15-20 分钟。如有隐形眼镜，5 分钟后取下，然后继续冲洗眼睛。 如接触皮肤：脱掉受污染的衣物。立即用大量水冲洗皮肤 15-20 分钟。 如吞咽：如果可以吞咽，让患者小口喝一杯水。除非毒物控制中心或医生告诉您，否则不要催吐。不要给昏迷者口服任何东西。立即致电毒物控制中心或医生寻求治疗建议。 如吸入：将患者移至空气新鲜处。如果患者没有呼吸，请拨打 911 或救护车，然后进行人工呼吸，如果可能，最好是口对口人工呼吸。医生提示：可能存在的粘膜损伤使得洗胃疗法不适用。
双通道图像注册和深
摘要我们已经开发了一种开源软件，称为Bi-enchanel图像登记和深度学习分割（鸟类），用于映射和分析3D显微镜数据，并将其应用于小鼠大脑。鸟类管道包括图像预处理，双通道注册，自动注释，创建3D数字框架，高分辨率可视化和可扩展的定量分析。这种新的双通道登记算法适应来自不同显微镜平台的各种全脑数据，并显示出显着提高的注册精度。此外，由于该平台将注册与神经网络相结合，因此其相对于其他平台的功能改进的功能在于，注册程序可以很容易地为网络构建提供培训数据，而训练有素的神经网络可以有效地进行分段 - 分段 - 分段/有缺陷的大脑数据，否则难以注册。因此，对我们的软件进行了优化，以启用基于跨模式，全脑数据集或基于实时推理的各种感兴趣的大脑区域的基于跨模式的分割分割。作业可以通过斐济插件轻松提交和实现，该插件可以适应大多数计算环境。
对CRISPR-CAS分析的烦恼：双通道...
图1。比例计量CRISPR-CAS12A系统。基于双通道FRET的CRISPR-CAS12A记者系统的示意图。电流（顶部）报告基因系统依赖于荧光团 - 猝灭记者，该记者包括黑暗（非辐射）淬火以防止发射和单个通道读数来检测裂解的报告基因。提出的读取系统而不是使用可见光的淬火。虽然报告荧光团保持与猝灭剂的结合，但报告基因系统形成一个fret对，并在可见的淬灭的发射波长中发出光。在CAS12A裂解时，报告荧光团发射通道中的信号增加，而淬火发射通道中的信号降低。因此，被分析的信号是报告荧光团发射通道与减少淬灭发射通道的比率。
NSI8020/NSI8021：高可靠性双通道数字...
NSI802x器件是高可靠性双通道数字隔离器。NSI802x器件通过UL1577安全认证，支持3kV rms绝缘耐压，同时在低功耗下提供高电磁抗扰度和低辐射。NSI802x的数据速率高达10M bps，共模瞬态抗扰度（CMTI）高达1 0 0kV / us。NSI802x器件提供数字通道方向配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSI802x器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级EMC性能增强了使用的可靠性和稳定性。
NSI822xC 高可靠性双通道数字隔离器
低功耗下电磁抗扰度和低辐射。NSi822xC 的数据速率高达 100Mbps，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 高达 150kV/us。NSi822xC 器件提供数字通道方向配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSi822xC 器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级 EMC 性能提高了使用的可靠性和稳定性。所有设备均提供 AEC-Q100 (1 级) 选项。
CA-IS372x 高速双通道数字隔离器
• 数据速率：DC 至 150Mbps • 坚固的隔离屏障 长使用寿命：>40 年 高达 5000 V RMS 隔离额定值（宽体封装） ±150 kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围：2.5V 至 5.5V • 宽工作温度范围：-40°C 至 125°C • 无需启动初始化 • 默认输出高 (CA-IS372xH) 和低 (CA-IS372xL) 选项 • 高电磁抗扰度 • 低功耗 1Mbps 时每通道 1.5mA，V DD = 5.0V 100Mbps 时每通道 6.6mA，V DD = 5.0V • 最佳传播延迟和偏斜 12ns 典型传播延迟 2ns 传播延迟偏斜（芯片到芯片） 1ns 脉冲宽度失真 5ns 最小脉冲宽度• 施密特触发器输入 • 封装选项 窄体 SOIC8(S) 封装 宽体 SOIC8(G) 封装 宽体 SOIC16(W) 封装 • 安全法规认证 VDE 0884-17 隔离认证 UL 符合 UL1577 要求 IEC 62368-1、IEC 61010-1、GB 4943.1-2011 和 GB 8898-2011 认证
CA-IS372xC 通用双通道数字隔离器
注：1. 爬电距离和电气间隙要求应根据具体应用的设备隔离标准来制定。应注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙，以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下，印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽和/或肋条等技术可用于帮助提高这些规格。2. 此耦合器仅适用于安全等级内的安全电气绝缘。应通过适当的保护电路确保符合安全等级。3. 在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。4. 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。5. 屏障两侧的所有引脚连接在一起，形成一个双端子设备。
NSi8120/NSi8121/NSi8122：高可靠性双通道...
配置和输入电源丢失时的默认输出电平配置。NSi812x 器件的宽电源电压支持直接与大多数数字接口连接，易于进行电平转换。高系统级 EMC 性能提高了使用的可靠性和稳定性。为 3.75kV 部件提供 AEC-Q100（1 级）选项。
双通道芯片冷却建模与优化...
摘要 — 未来处理器预计将具有超高功率密度，而传统的冷却解决方案无法有效缓解这一问题。使用带有微柱芯蒸发器的两相蒸汽室 (VC) 是一种新兴的冷却技术，可通过冷却剂的蒸发过程有效去除高热通量。带有微柱芯的两相 VC 利用毛细管驱动流提供高冷却效率，其中冷却剂由芯吸结构被动驱动，从而无需外部泵。此类新兴冷却技术的热模型对于评估其对未来处理器的影响至关重要。现有的两相 VC 热模型使用计算流体动力学 (CFD) 模块，这需要较长的设计和仿真时间。本文介绍了一种快速、准确的带有微柱芯的两相 VC 紧凑热模型。与 CFD 模型相比，我们的模型实现了 1.25 ◦ C 的最大误差，速度提高了 214 倍。使用我们提出的热模型，我们构建了一个优化流程，选择最佳冷却解决方案及其冷却参数，以在给定处理器和功率分布的温度约束下最小化冷却功率。然后，我们在不同的芯片尺寸和热点分布上演示了我们的优化流程，以在 VC、基于微通道的两相冷却、通过微通道的液体冷却以及热电冷却器和微通道液体冷却的混合冷却技术中选择最佳冷却技术。
用于显示的双通道量子元全息图
范玉斌 , a,b,c, † 梁红 , d,e, † 王昱涵, f, † 陈淑凡, a,b,c 赖方星, f 陈木库, a,b,c 肖淑敏, f,g, * 李仁森, d,e, * 和蔡鼎平 a,b,c, * a 香港城市大学，电机工程学系，香港，中国 b 香港城市大学，生物系统、神经科学及纳米技术中心，香港，中国 c 香港城市大学，太赫兹及毫米波国家重点实验室，香港，中国 d 香港科技大学，物理系，香港，中国 e 香港科技大学，高等研究院量子技术研究中心，香港，中国 f 哈尔滨工业大学（深圳），工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室，广东省半导体光电材料与智能光子学重点实验室系统，深圳，中国 g 鹏程实验室，深圳，中国