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World File Search System双面
成功合成的碳磁铁：双面“ Janus形”石墨烯纳米替烯
着：Shaotang歌曲，Yu Teng，Weichen Tang，Zhen Xu，Yuanyuan He，Jiawei Ruan，Takahiro Kojima，
带有陶瓷中介层的双面堆叠低电感无引线键合 SiC 功率模块
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通函编号 314-01-1255c，日期为 2019 年 8 月 21 日
C — 双面焊缝，带刨槽；D — 双面焊缝，不带刨槽；TW — 全熔透 T 型焊缝；FW — 角焊缝；ss — 单面焊（单面焊接）；bs — 双面焊接；nb — 无衬垫焊接；mb — 有衬垫焊接；gb — 气体衬垫焊接；gg — 焊接时背面刨槽或焊缝背面打磨；ng — 焊接时不（无）背面刨槽或不（无）焊缝背面打磨。".
三菱 - Bitsavers.org
1MX9CMOS快速页面模式 MH1 M09BOJ,JA 60,70,80,100 - 是 1 MX8 CMOS Nibble 模式 MH1M08B1J,JA 70,80,100 - 是 1 MX9 CMOS Nibble 模式 MH1 M09B1J,JA 70,80,100 - 是 1MX8 CMOS 静态列模式 MH1 M08B2J,JA 70,80,100 - 是 1MX9 CMOS 静态列模式 MH1 M09B2J,JA 70,80,100 - 是 1 1MX8 双面 25PIN MH1M08BCJA 70,80,100 - 是 M 1 MX9 双面快速页面模式 MH1M9BODJA 70,80,100 - 是 D 1MX9 双面半字节模式 MH1M9B1DJA 70,80,100 - 是 R 1 MX9 双面 静态列模式 MH1M9B2DJA 70,80,100 - 是 A 2MX4 CMOS 快速页面模式 MH2M04BOJ,JA 70,80,100 - 是 M 2MX4 CMOS 半字节模式 MH2M04B1J,JA 70,80,100 - 是 2MX4 CMOS 静态列模式 MH2M04B2J,JA 70,80,100 - 是 M 256KX32 CMOS 快速页面模式 MH25632BJ 70,80,100 - 是
纳瓦布沙阿户外条件下半切双面PERC单晶光伏组件的电气特性
摘要：光伏组件通常在标准测试条件下的实验室中进行额定值和测试。由于环境条件和运行参数的随机性，例如目标位置的地形、坡度、方向、海拔、反照率和现有技术，此类条件无法在室外维持。由于双面组件能够从正反两面发电，其背面对发电量的影响仍不确定。本研究旨在通过实验分析和预测纳瓦布沙阿室外条件下半切双面PERC单晶光伏(PV)组件的电气特性。为此，我们在一栋部门大楼上方安装了一套实验系统，用于数据记录和分析。使用测光表(HD-2302)测量研究地点的太阳总辐射(Grad)，并使用数字风速计PROVA AVM-05测量环境温度(Ta)、风速(Ws)和相对湿度(Rh)。使用PROVA-1101记录组件正反两面的电气特性。这些数据是在2023年2月至6月的五个月内，从上午9:00到下午4:00，每小时一次持续收集的。此外，我们还使用了不同的现有模型，根据记录数据预测双面光伏组件的电气特性。在分析期间，我们观察到组件正面产生了约91%的输出功率，而背面则占9%。我们发现，Evan-Florschuetz模型方程更适合预测双面组件的效率，因为它基于测量数据的误差更小。关键词：环境温度、半切双面光伏组件、湿度、统计分析、太阳辐射、风速。
M. Ryyan Khan
当前项目•太阳能农场的设计：物理；不同的临床，反照率，温度的影响；跟踪和全球优化。•地面雕刻双面太阳能农场和浮游双面太阳能农场的实验研究（由Ewucrt资助）。•优化面板设置，以减少污垢和清洁成本（由ICT Innovation Fund资助）。•农业 - 伏洛尔电系统的建模和数值分析（由IAR-UIU资助）•基于EGFET的汗水传感器和Zika病毒检测器的研究和数值建模；基于纸张的生物传感器博士项目•光伏的热力学分析：广泛的PV技术的热力学极限（常规PV，有机/激发型PV，双面串联）。•光学模拟：提出和建模两种吸收增强方案 - 分支的纳米线和元摩擦（mm）光捕获（LT）。MM-LT概念可以打破吸收增强的常规极限。•光电模拟：我们应用了耦合的光电模拟框架来分析高效率太阳能电池物理（GAAS细胞，角度限制细胞和双面串联）。双面串联显示出大量产出改进的前景，而添加的制造复杂性很少。•有机光伏（OPV）生长和表征：光电模拟（J-V，EQE）提供了对有机PV（OPV）操作的物理见解。我们已经成长和表征（J-V，EQE）OPV，以支持我们的数值研究和理论。设计来改善这些贫困的移动材料中的载体收集。本科项目•在双工打印文档扫描中取消噪声；语音抑制
带烧结银中介层的双面冷却 SiC MOSFET 功率模块：I. 设计、仿真、
摘要 — 平面双面冷却功率模块因其体积小、散热性能好、封装寄生电感低等特点，在电力驱动逆变器中逐渐流行起来。然而，由于功率模块的器件芯片和两个基板之间采用刚性互连，其可靠性仍令人担忧。本文介绍了一种由低温烧结银制成的多孔中介层，以降低模块中的热机械应力。设计、制造并表征了一种由两个 1200 V、149 A SiC MOSFET 组成的双面冷却半桥模块。通过使用烧结银中介层代替实心铜中介层，我们的模拟结果表明，在总功率损耗为 200 W 时，最脆弱界面（中介层附着层）的热机械应力降低了 42%，SiC MOSFET 的热机械应力降低了 50%，而结温仅上升了 3.6%。烧结银中介层可轻松制成所需尺寸，无需后续加工，也无需进行任何表面处理，即可通过银烧结进行芯片粘合和基板互连。多孔中介层在低力或低压力下也可变形，这有助于适应平面模块结构中的芯片厚度和/或基板间间隙变化，从而简化模块制造。对制造的 SiC 模块电气性能的实验结果验证了使用多孔银中介层制造平面双面冷却电源模块的成功性。
用于模块封装的陶瓷中介层的制造
引言 低温共烧陶瓷 (LTCC) 用于高频应用、集成冷却系统和嵌入式无源元件 [1-3]，以及通过集成整体系统部件来提高系统密度 [2, 4]。LTCC 还被用于制造双面电力电子模块的中介层 [5-9]。双面模块具有互感最小化、双面冷却能力和更高功率密度等优点。然而，它们的设计和制造也存在一些挑战。考虑到功率模块的合理厚度，功率模块顶层和底层之间的绝缘是设计阶段必须首先仔细考虑的关键设计问题之一。另一个挑战是整个功率模块的机械支撑。在没有底板的双面功率模块中，直接键合铜 (DBC) 基板和冷却附件的整个重量可能会直接施加在半导体裸片上。这会给功率半导体芯片及其电气互连带来巨大的应力和应变，最终可能导致功率模块故障。印刷电路板 (PCB) 被用作中介层 [10]，但 PCB 和功率芯片之间的热膨胀系数 (CTE) 失配远高于陶瓷基材料。LTCC 的 CTE (̴ ~4.4 ppm/°C) 非常接近碳化硅器件的 CTE (4.0 ppm/°C)。因此，这提高了模块的可靠性 [7]。此外，LTCC 结构内的嵌入通孔和电气互连使 LTCC 成为功率模块应用的多功能中介层。
通函编号 314-04-1862c，日期为 2022 年 11 月 22 日
通函附录 2 号314-04-1862c，日期为 2022 年 11 月 22 日，《远洋船舶入级与建造规范》，2022 年，ND 号2-020101-152-E 第十四部分。焊接 2 焊接技术要求 1 第 2.10.1 和 2.10.2 款由以下文字替代：ʺ 2.10.1 焊接操作允许采用以下焊接工艺进行：111、131、141、43，这些工艺应确保焊接接头质量良好，具有最大强度、化学成分与母材相似，并具有足够的耐腐蚀性。2.10.2 焊接接头应尽可能位于承受最小应力的区域。焊接余高只能在经登记处特别批准后才能拆除。ʺ。2 2.10.10 款由以下内容替代：ʺ 2.10.10 摩擦搅拌焊的应用。摩擦搅拌焊 (FSW) 程序应基于 ISO 25239:2020 的要求。根据适用程序，FSW 分为双面单道焊、双面多道焊或带可调探头工具的单面焊接。《船舶建造与船舶材料及产品制造技术监督规范》第3篇“材料制造技术监督”4.1、4.4.7、4.5.10和7.6条规定了焊接操作人员持证上岗和FSW生产工艺认可的要求。2.10.10.1 FSW可适用于采用双面单道焊工艺、双面多道焊工艺或单面可调式探头工装的对接焊缝。FSW可采用单肩工装（可调式探头）或双肩工装（由不带力控制的固定长度探头和带力控制的可调长度探头分开）进行。2.10.10.2 对于无支撑面的 FSW 焊接接头，仅可采用双面单道焊或双面多道焊。2.10.20.3 FSW 焊接设备。焊接设备和 FSW 工具应能够产生符合规定验收水平要求的焊缝。焊接设备应保持良好状态，必要时应进行维修或调整，并应在公司的文件中说明。安装新设备或翻新设备后，应进行适当的测试以验证设备是否正常运行，并应在公司的文件中说明。应通过 FSW 设备进行参考参数的再现性测试，以证明焊接设备可以重复生产符合表 3.3.5 规定的验收水平的焊缝。为此，在以下情况下，应在通过焊接工艺认证的范围内并符合认证条件进行试件焊接和试件机械试验：