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World File Search System反冲
首次测量核反冲电离产量……
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使用脉冲 keV 离子束进行透射飞行时间反冲检测，实现具有高深度分辨率的灵敏多元素分析
评估了使用脉冲 keV 离子束在透射几何中对薄膜和准二维系统进行灵敏的多元素分析的飞行时间反冲检测的潜力。虽然飞行时间方法允许同时检测多种元素，而最大程度上不受反冲电荷状态的影响，但 keV 射弹能量可保证高反冲截面，从而在低剂量下获得高灵敏度。我们展示了该方法的能力，使用 22 Ne 和 40 Ar 作为射弹，穿过具有可选 LiF 涂层和单晶硅膜的薄碳箔，以用于不同的样品制备程序和晶体取向。使用大型位置灵敏探测器（0.13 sr），深度分辨率低于 6 nm，灵敏度低于 10 14
激光诱导的金属滴和粉末颗粒的反冲压力
在过去的几年中，增材制造已成为一个主要的研究课题和工业生产的一部分。现在，许多技术允许使用多种材料构建 3D 结构。在金属加工中，激光束通常用作热源来熔化金属丝或粉末。飞溅物和粉末颗粒的轨迹可能会受到激光束辐射的影响。激光束光被材料部分吸收，然后转化为热量，这会导致熔化甚至汽化。材料的汽化会在熔池上产生反冲压力，从而影响其几何形状和动力学。然而，反冲压力对液滴和粉末颗粒等悬浮物体的影响仍然相对未知。它们与熔池相比不同的尺寸和边界条件可能会影响它们在高激光束辐射下的行为。
氮化镓（GaN）中质子反冲离子的LET和射程特性
近年来，氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 受到航天电子界越来越多的关注。尽管 GaN 的电子质量优于 Si，电子迁移率更高，热导率优于砷化镓 (GaAs)，但后者的辐射硬度研究已有数十年 [1]，并且普遍得到充分了解。航天电子设备面临的主要威胁之一是重离子轰击引起的单粒子效应 (SEE)。虽然大多数此类事件是由银河宇宙射线 (GCR) 造成的，但这些粒子的能量通常比实验室环境中产生的更高。作为一种折衷方案，人们使用低能离子来产生类似的效果。通过这些重离子测试，结合工程控制和统计模型，通常可以可靠地预测电子设备的辐射硬度。在过去的 15 年里，人们对 GaN 设备 [2-7] 的 SEE 和位移损伤剂量 (DDD) 进行了广泛的研究和测试。不幸的是，即使是这些低能量重离子也只有全球少数几家工厂生产。一种更常见的高能粒子是质子。在医疗行业中，约 200 MeV 的质子被大量用于治疗和诊断目的，与重离子相比，它相对容易获得 [8]。许多研究