XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System反向偏压
重掺杂磷注入 4H-SiC 上的 Ni 肖特基势垒
意大利微电子与微系统研究所 (CNR_IMM)，第 VIII 大街，5 号工业区，95121 卡塔尼亚，意大利摘要研究了在重掺杂（ND >10 19 cm -3 ）n 型磷注入碳化硅 (4H-SiC) 上形成的 Ni 肖特基势垒的电行为，重点研究了正向和反向偏压下的电流传输机制。肖特基二极管的正向电流-电压特性表明，主要的电流传输是热电子场发射机制。另一方面，反向偏压特性不能用独特的机制来描述。事实上，在中等反向偏压下，注入引起的损伤是导致漏电流温度升高的原因，而随着偏压的增加，纯场发射机制趋近于。讨论了重掺杂层上的金属/4H-SiC 接触在实际器件中的潜在应用。关键词：4H-SiC，电气特性，电流传输，肖特基器件
PIC 和 ePIC 平台的 3 dB OE 带宽为 110 GHz
摘要 — 我们介绍了一种 SOI 波导耦合锗光电二极管，它在 2 V 反向偏压下具有非常高的 OE -3 dB 带宽 ≥ 110 GHz。这种性能是通过一种新颖的结构实现的，即将锗夹在两个原位掺杂的硅区域之间。这种制造方法可以避免将离子注入锗，这无疑有利于带宽，因为少数载流子扩散效应受到强烈抑制。在 1550 nm (-2 V) 时实现了 >0.6 A/W 的响应度，而该器件的暗电流约为 300 nA (-2 V)。据我们所知，这是最先进的锗光电探测器，具有带宽、最先进的响应度以及中等暗电流。我们证明，这种新型光电二极管可以高产量制造。
有机光电二极管及其光电应用
400 nm 至 800 nm。（实线）包括 CsI(Tl) 闪烁体的发射光谱以供比较。（虚线）（b）不同光活性层厚度的 OPD 在暗条件和 950 µW/cm 2 光照辐照度（波长 546 nm）下实验和拟合的电流密度 (J) 与电压 (V) 特性。当实线符号表示光响应时，空心符号表示测得的暗电流。实线是根据非理想二极管方程拟合的暗电流密度。虚线表示当分流电阻 R sh 为无穷大时的理想 JV 曲线。（c）对于具有不同活性层厚度的 OPD，暗电流密度 (J dark ) 测量图与内部电场的关系。（d）反向偏压为 1.5V 时具有 320 nm 厚度活性层的 OPD 的外部量子效率 (EQE)...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36