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World File Search System反向电压
MCT2、MCT2E 光耦合器 - BG-Electronics GmbH
输入输出电压：MCT2 ± 1.5 kV。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。MCT2E ± 3.55 kV。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。集电极-基极电压 70 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。集电极-发射极电压（见注释 1）30 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。发射极-集电极电压 7 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。发射极-基极电压 7 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入二极管反向电压 3 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入二极管连续正向电流 60 mA。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>........输入二极管峰值正向电流 (t w ≤ 1 ns, PRF ≤ 300 Hz) 3 A .......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>.25°C 自然通风温度下（或低于）的连续功率耗散：红外发光二极管（见注释 2）200 mW .. < /div>...........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。光电晶体管（见注 2）200 mW。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。红外发射二极管加光电晶体管总计（见注释 3）250 mW。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围，T A –55 °C 至 100 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。存储温度范围，T stg –55 °C 至 150 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。距外壳 1.6 毫米（1/16 英寸）的引线温度 10 秒 260 °C。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
Solidtron™ 固态启动器点火开关，TO-247 (5L)
表 1 最大额定值 符号 值 单位 断态重复峰值电压 V DRM 1500 V 反向重复峰值电压 V RRM -10 V 断态电压变化率抗扰度（VD =1500V） dv/dt 1000 V/µSec 峰值非重复浪涌电流（1/2 正弦波脉冲持续时间 =/<300nSec） I TSM 4000 A 峰值重复浪涌电流（1/2 正弦波脉冲持续时间 =/<300nSec） I TRM 3500 A 电流变化率 dI/dt 100 kA/µSec 临界电容放电事件积分（欠阻尼 LCR 电路） I 2 t CRITICAL TBD A 2 秒重复电容放电事件积分（欠阻尼 LCR 电路） I 2 t REPETITIVE 2A 2秒连续栅极-阴极反向电压V GKS -9 V正向峰值栅极电流（10
mil−std−750−1a 带变更 3 - ASSIST-QuickSearch
1001.4 气压（降低） 1011.1 浸没 1015.1 稳态初级光电流辐照程序（电子束） 1016 绝缘电阻 1017.1 中子辐照 1018.6 内部气体分析（IGA） 1019.6 稳态总剂量辐照程序 1020.5 静电放电敏感度（ESD）分类 1021.4 防潮性 1022.7 耐溶剂性 1026.5 稳态工作寿命 1027.3 稳态工作寿命（样品计划） 1031.5 高温寿命（非工作） 1032.2 高温（非工作）寿命（样品计划） 1033 反向电压泄漏稳定性 1036.3 间歇工作寿命 1037.3 间歇使用寿命（样本计划） 1038.5 老化（二极管、整流器和齐纳二极管） 1039.4 老化（晶体管） 1040 老化（晶闸管（可控整流器）） 1041.4 盐雾环境（腐蚀） 1042.4 功率 MOSFET 或绝缘栅双极晶体管（IGBT）的老化和寿命测试 1046.3 盐雾（腐蚀） 1048.1 阻塞寿命 1049 阻塞寿命（样本计划） 1051.9 温度循环（空气对空气） 1054.1 封装环境压力测试 1055.1 监控任务温度循环 1056.8 热冲击（液体对液体） 1057.1 抗玻璃破裂 1061.1 温度测量，外壳和螺柱 1066.1 露点 1071.16气密密封 1080.1 单粒子烧毁和单粒子栅极破裂 1081.1 介电耐压
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
ccf-电子元件.pdf
[学分：4 (3Th + 1P)] ELT-H-CC-1-1-TH 课程名称：电路理论和电子设备基础 [学分：3；授课时数：45] UNIT-I [12 小时] 电路元件：电阻和电阻器：类型、颜色编码和额定功率，可变电阻器，电容和电容器：类型、颜色编码和额定电压，电感和电感器：类型、颜色编码，电感线圈，空心和铁心线圈，自感和互感，变压器。电路分析：电压和电流源的概念，与电感器相关的磁通漏守恒和与电容器相关的电荷，基尔霍夫电压定律，基尔霍夫电流定律，电压和电流源的变换，网格分析和节点分析，星三角网络和转换。直流分析：直流激励下串联 RL 和 RC 电路的瞬态响应。交流分析：电路参数响应、交流激励下串联 RL、RC 和 RLC 电路的频率响应、电感器和电容器的品质因数 (Q)、串联和并联谐振电路、Q 因数。网络定理：叠加定理、戴维南定理、诺顿定理、互易定理和最大功率传输定理。第二单元 [11 小时] 半导体基础：半导体材料：类型和特性，固体能带的概念：金属、绝缘体和半导体、本征和非本征半导体、P 型和 N 型半导体、能带图、有效质量的概念、直接和间接带隙半导体、费米能级、态密度、半导体中电流传导的机制（漂移和扩散）、漂移速度、迁移率、电阻率、电导率、霍尔效应（无推导）。结型二极管及其应用：PN 结：晶圆级结构、能带图、耗尽层、二极管方程和 IV 特性、理想二极管、静态和动态电阻、反向饱和电流、齐纳和雪崩击穿、齐纳二极管、作为电压调节器的齐纳二极管、整流器：半波整流器、全波整流器（中心抽头和桥式）、峰值反向电压、纹波系数、效率、线路调节率、负载调节率、变压器利用率、并联电容滤波器、泄放电阻器的概念。