反射信号

基于MOSFET的吸收剂，用于5G大型MIMO基站的反射信号 - 电路透视

摘要 - 损耗的传播对基站子系统的整体性能和效率具有负面影响。与4G技术相比，5G技术的一个关键特征提高了效率。5G巨大的MIMO基站结构可能会遭受这些损失，这会影响基本变电站的包容性能和效率。此外，在5G技术中，由于接收器（R X）分支的信号反映了与5G Mimo基站的循环器相连的信号。这种反射损失是由于R X分支的不匹配的负载阻抗和发射机（T X）分支的源阻抗。这项研究的主要目的是使用MOSFET吸收T X和R X之间阻抗不匹配而导致的反射信号。之后，每当基本站的R X分支反射时，就可以通过数学上的MOSFET的源电流和排水电流进行了两个比较。此外，通过将T X分支，天线，R X分支和MOSFET连接到四端口循环器的每个端口，提出了提出的电路模型。在1.4 V峰值处的13 dbm的反射RF功率纠正到其等效的直流值1.004 V。然而，使用LC滤波器，这些电流和电压的这些值在整流器的输出端进行脉动和过滤。索引术语 - 基线站，循环器，MOSFET，收发器，微波设备，纳米技术，5G，VLSI