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World File Search System反应层
开发了氮化铝和Cu – P – Sn – Ni合金之间的界面微观结构，用于不同的初始钛层厚度
与5μm厚的Ti层之间的650°C和950°C之间的键合1小时如图6。在BSE图像中显示的ALN层中的灰色区域。6（b）和6（d）是yttria。NBD模式是从相应TEM图像中以黄色圆圈的区域获取的。可以看出，随着加热温度从650°C上升到750°C，由于Cu – Ti IMC层的生长，残留的Ti层消失了。另外，可以看出，Cu – Ti IMC的层消失，并且在850°C或更高的ALN界面处形成一个明显的界面反应层。这些界面反应层的厚度，从图。6，在850°C下为≈0.5μm，在950°C下为≈1μm，
Ti/Sige和Co
研究了Ti和Co与Si，_。，GE，底物反应的形成和稳定性。对于Ti/Sige系统，当C.54 Ti（Si，YGE，）2层形式时，GE索引>'最初与Si， - ，GE，基板的GE索引相同（即.v = x）。之后，从底物从底物通过晶格和晶粒结构扩散延伸到C54层中。散布到C54晶格中的一些Si取代了晶格中的GE，而C54 Ti（Si，_ ,, ge ,,）z变得富含硅（即y 对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。 随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。 对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。 发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。 我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）驱动的。 co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。
通过独立二维反应层中的双极电化学微调还原氧化石墨烯的功能
Seyyed Mohsen Beladi-Mousavi、Gerardo Salinas、Nikolas Antonatos、Vlastimil Mazanek、Patrick Garrigue 等人。通过独立 2D 反应层中的双极电化学微调还原氧化石墨烯的功能。Carbon，2022 年，191，第 439-447 页。�10.1016/j.carbon.2022.02.010�。�hal-03635847�
作者版本 EB-PVD 钆的比较研究...
本研究比较了 EB-PVD 锆酸钆 (GZO) 和富氧化钇氧化锆（65YZ，65 wt % Y 2 O 3 剩余氧化锆）涂层的 CMAS 抗性行为。通过在 1250 °C 下进行长期渗透测试（最长 50 小时），研究了渗透动力学以及不同反应产物的稳定性和防护性。结果表明，对于本研究中使用的特定微观结构，与 GZO 相比，65YZ 具有更高的渗透抗性并且形成的反应层更薄。分析表明，65YZ 的更好性能与协同反应机制有关，该机制包括富钙磷灰石和均匀的石榴石相层的形成。与 65YZ 相比，GZO 形成磷灰石需要更多的稀土 (RE)，这意味着在形成磷灰石晶体之前会溶解更多的 Gd，这导致 GZO 层的消耗量高于 65YZ。详细讨论了这些机制的含义，包括石榴石形成的趋势、磷灰石相与 Ca 和 RE 含量的平衡，以及由于 RE 溶解到玻璃中而导致的粘度降低的影响。然而，本研究中使用的涂层的微观结构差异也可能影响不同的渗透阻力和反应动力学，需要加以考虑。